显示装置的制作方法

本申请要求2019年6月21日提交的第10-2019-0074199号韩国专利申请的优先权以及所有权益，该申请的内容通过引用整体合并于此。

一个或多个示例性实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种用于实现高质量的显示装置。

背景技术：

显示装置是可视地表达数据的装置。显示装置包括被划分为显示区域和外围区域的基板。显示区域包括彼此绝缘的扫描线和数据线以及多个像素。显示区域进一步包括薄膜晶体管以及电连接到与相应像素对应的薄膜晶体管的像素电极。显示区域还可以包括被共同提供在像素中的对电极。外围区域可以包括用于将电信号递送到显示区域、扫描驱动器、数据驱动器、控制器等的各种布线。

显示装置用于各种目的。另外，由于厚度小且重量轻，显示装置被更广泛地使用。包括在像素中的像素电路已经以各种形式被设计，以实现显示装置的高质量和高分辨率。

技术实现要素：

一个或多个示例性实施例提供了一种用于实现高质量图像的显示装置。然而，目的仅是示例性的，并且示例性实施例的范围并不限于此。

附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的示例性实施例的实践而习得。

根据一个或多个示例性实施例，显示装置包括：基板；布置在基板上并且包括驱动半导体层和驱动栅电极的驱动薄膜晶体管；布置在基板上并且在第一方向上延伸的第一扫描线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线；与第一扫描线布置在同一层中的节点连接线；以及布置在数据线与节点连接线之间并且与驱动栅电极设置在同一层中的屏蔽导电层，其中节点连接线的一端通过第一节点接触孔连接到驱动栅电极。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括通过第三接触孔连接到第一扫描线的第一栅电极层，其中屏蔽导电层从第一栅电极层延伸。

在示例性实施例中，屏蔽导电层和节点连接线可以在第二方向上延伸。

在示例性实施例中，第一栅电极层可以包括补偿薄膜晶体管的补偿栅电极和开关薄膜晶体管的开关栅电极，并且屏蔽导电层可以被布置在补偿栅电极与开关栅电极之间。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括在第二方向上延伸并且与数据线布置在同一层中的驱动电压线，并且屏蔽导电层可以被布置在数据线与驱动电压线之间。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括连接到第一扫描线并且包括补偿半导体层和补偿栅电极的补偿薄膜晶体管，并且节点连接线的另一端可以通过第二节点接触孔连接到补偿半导体层。

在示例性实施例中，第一扫描线的电阻值可以小于驱动栅电极的电阻值。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：包括作为下电极的驱动栅电极以及与下电极重叠并且限定具有闭合形状的存储开口的上电极的存储电容器，并且第一节点接触孔可以被布置在存储开口中。

在示例性实施例中，存储开口的尺寸可以大于第一节点接触孔的尺寸。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：布置在基板上并且包括发射控制半导体层和发射控制栅电极的发射控制薄膜晶体管；以及将发射控制信号递送到发射控制栅电极的发射控制线，其中发射控制栅电极可以被提供为发射控制线的一部分。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：与第一扫描线分离并且在第一方向上延伸的第二扫描线；以及通过第四接触孔连接到第二扫描线的第二栅电极层，其中屏蔽导电层可以从第二栅电极层延伸。

在示例性实施例中，第二栅电极层可以是第一初始化薄膜晶体管的第一初始化栅电极的一部分。

在示例性实施例中，第一初始化栅电极可以具有弯曲形状。

在示例性实施例中，屏蔽导电层可以在第二方向上延伸。

根据一个或多个示例性实施例，显示装置包括：基板；布置在基板上并且包括驱动栅电极和驱动半导体层的驱动薄膜晶体管，而第一栅绝缘层被布置在驱动栅电极与驱动半导体层之间；与驱动栅电极布置在同一层中的屏蔽导电层；布置在屏蔽导电层上的第二栅绝缘层和层间绝缘层；布置在层间绝缘层上并且通过穿透层间绝缘层和第二栅绝缘层的第一节点接触孔而连接到驱动栅电极的节点连接线；与节点连接线布置在同一层中并且在第一方向上延伸的第一扫描线；覆盖第一扫描线和节点连接线的通孔层；以及布置在通孔层上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线，其中屏蔽导电层可以在数据线与节点连接线之间在第二方向上延伸。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括通过第三接触孔连接到第一扫描线的第一栅电极层，并且屏蔽导电层可以从第一栅电极层延伸。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括：在第一方向上延伸的第二扫描线；以及通过第四接触孔连接到第二扫描线的第二栅电极层，其中屏蔽导电层可以从第二栅电极层延伸。

在示例性实施例中，驱动半导体层可以是弯曲的。

在示例性实施例中，显示装置可以进一步包括在第二方向上延伸并且与数据线布置在同一层中的驱动电压线，并且节点连接线可以与驱动电压线重叠。

在示例性实施例中，屏蔽导电层可以接收扫描信号。

附图说明

特定示例性实施例的以上和其它方面、特征和优点将从下面结合附图的描述更显而易见，其中：

图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图；

图2是根据示例性实施例的显示装置的示意性框图；

图3是包括在图1中所示的显示装置中的像素的等效电路图的示例性实施例；

图4a是示意性地图示根据示例性实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的平面图；

图4b至图4e是分别示出根据层的图4a中所示的配置的示意性布局图；

图5是示出图4a中所示的屏蔽导电层的配置的一部分的示意性布局图；

图6示出了沿线i-i’截取的、图4a的截面图的局部配置；

图7是沿线ii-ii’和iii-iii’截取的图4a的截面图，其中示出了在其中布置有有机发光器件的配置；

图8是包括在图1中所示的显示装置中的像素的等效电路图的另一示例性实施例；并且

图9是示意性地图示根据示例性实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的布局图。

具体实施方式

现将详细参考示例性实施例，示例性实施例的示例被图示在附图中，在附图中相同的附图标记始终指的是相同的元件。就此而言，本示例性实施例可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下通过参考附图描述的示例性实施例仅用于解释本说明书的方面。本文中使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在限制。如本文中使用的，单数形式“一”和“该”旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限定“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。

在示例性实施例中，当层、区域或部件被称为在另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可以直接在另一层、区域或部件上，或者可以在该层、区域或部件和另一层、区域或部件之间存在中间层、区域或部件。

为了便于解释，可以夸大附图中的部件的尺寸。换句话说，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地示出，因此下面的示例性实施例不限于此。将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。因此，以下讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离本文中的教导。

在下面的示例性实施例中，当层、区域或部件连接到另一层、区域或部件时，该层、区域或部件可以直接连接到该另一层、区域或部件，或者可以间接连接到该另一层、区域或部件，而其他层、区域或部件在该层、区域或部件和该另一层、区域或部件之间。例如，在本说明书中，当层、区域或部件电连接到另一层、区域或部件时，该层、区域或部件可以以直接方式电连接到该另一层、区域或部件，或者以间接方式电连接到该另一层、区域或部件，而其他层、区域或部件在该层、区域或部件和该另一层、区域或部件之间。

作为用于显示图像的装置的显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子显示器、阴极射线显示器等。

在下文中，有机发光显示装置被描述为根据示例性实施例的显示装置的示例，但是根据本发明的显示装置不限于此，并且显示装置可以是各种类型的显示装置。

图1是根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图。

参考图1，显示装置包括显示区域da以及围绕显示区域da的外围区域pa。各自包括有机发光器件(“oled”)的像素px可以被布置在显示区域da中以提供图像。作为在其中不提供图像的区域并且被称为非显示区域的外围区域pa可以包括用于提供要施加到像素px的电信号的扫描驱动器和数据驱动器以及用于提供诸如驱动电压和公共电压的电力的电力线。

图2是根据示例性实施例的显示装置的示意性框图。

根据示例性实施例的显示装置包括包含多个像素px的显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。

显示单元10被布置在显示区域da中，并且位于多条扫描线sl1至sln+1、多条数据线dl1至dlm以及多条发射控制线el1至eln的交叉点处，并且包括近似以矩阵布置的多个像素px。多条扫描线sl1至sln+1和多条发射控制线el1至eln在作为行方向的第一方向上延伸，并且多条数据线dl1至dlm和驱动电压线elvddl在作为列方向的第二方向上延伸。在一条像素线中，多条扫描线sl1至sln+1的n值可以与多条发射控制线el1至eln的n值不同。

每个像素px连接到提供到显示单元10的多条扫描线sl1至sln+1中的三条扫描线。扫描驱动器20生成三个扫描信号，并且通过多条扫描线sl1至sln+1将扫描信号传输到每个像素px。也就是说，扫描驱动器20将当前扫描信号顺序地提供到扫描线sl2至sln、先前扫描线sl1至sln-1或后续扫描线sl3至sln+1。

初始化电压线il可以从在外部的电源vint接收初始化电压，并且将初始化电压提供到每个像素px。

另外，每个像素px连接到连接到显示单元10的多条数据线dl1至dlm中的数据线以及连接到显示单元10的多条发射控制线el1至eln中的发射控制线。

数据驱动器30通过多条数据线dl1至dlm将数据信号递送到像素px。每次扫描信号被提供到扫描线sl2至sln时，数据信号被提供到响应于扫描信号而被选择的像素px。

发射控制驱动器40生成发射控制信号，并且通过多条发射控制线el1至eln将发射控制信号递送到像素px。发射控制信号控制像素px的发射时间。根据像素px的内部结构，可以省略发射控制驱动器40。

控制器50将从外部递送的多个图像信号ir、ig和ib转换成多个图像数据信号dr、dg和db，并且将图像数据信号dr、dg和db递送到数据驱动器30。另外，控制器50接收垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync和时钟信号mclk，生成用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号，并且将控制信号分别递送到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。也就是说，控制器50生成用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号scs、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号dcs以及用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ecs，并且递送以上描述的信号。

多个像素px各自从外部接收驱动电压elvdd和公共电力电压elvss。驱动电压elvdd可以是高电平电压，并且公共电力电压elvss可以是低于驱动电压elvdd的电压或接地电压。驱动电压elvdd通过驱动电压线elvddl被供给到每个像素px。

多个像素px各自响应于通过多条数据线dl1至dlm递送的数据信号，通过提供到像素px的有机发光器件的驱动电流来发射具有特定亮度的光。

图3是包括在图1中所示的显示装置中的像素的等效电路图的示例性实施例。

参考图3，像素px包括信号线121、131、132、133和151，连接到信号线的多个薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7，电容器cst，初始化电压线103，驱动电压线152和有机发光器件oled。

图3示出了在其中每个像素px包括信号线121、131、132、133和151，初始化电压线103和驱动电压线152的情况，但是本发明不限于此。作为另一示例性实施例，信号线121、131、132、133和151或/和初始化电压线103中的至少一条可以被邻近像素px共享。

薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7。

信号线包括递送扫描信号sn的当前扫描线131、将先前扫描信号sn-1递送到第一初始化薄膜晶体管t4的先前扫描线132、将后续扫描信号sn+1递送到第二初始化薄膜晶体管t7的后续扫描线133、将发射控制信号en递送到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线121以及与当前扫描线131交叉并且递送数据信号dm的数据线151。驱动电压线152将驱动电压elvdd递送到驱动薄膜晶体管t1，并且初始化电压线103递送将驱动薄膜晶体管t1和有机发光器件oled的像素电极初始化的初始化电压vint。

驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1连接到存储电容器cst的下电极cst1，驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1通过操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线152，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1通过发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光器件oled的像素电极。驱动薄膜晶体管t1响应于开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且将驱动电流ioled提供到有机发光器件oled。

开关薄膜晶体管t2的开关栅电极g2连接到当前扫描线131，开关薄膜晶体管t2的开关源电极s2连接到数据线151，并且开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1并且通过操作控制薄膜晶体管t5也连接到驱动电压线152。开关薄膜晶体管t2响应于通过当前扫描线131递送的扫描信号sn而被导通，并且执行将通过数据线151递送的数据信号dm递送到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1的开关操作。

补偿薄膜晶体管t3的补偿栅电极g3连接到当前扫描线131，补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1并且通过发射控制薄膜晶体管t6也连接到有机发光器件oled的像素电极，并且补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3连接到存储电容器cst的下电极cst1、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。补偿薄膜晶体管t3响应于通过当前扫描线131接收的扫描信号sn而被导通，并且将驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1和驱动漏电极d1彼此电连接，从而二极管连接驱动薄膜晶体管t1。

第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅电极g4连接到先前扫描线132，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7和初始化电压线103，并且第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4连接到存储电容器cst的下电极cst1、补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。第一初始化薄膜晶体管t4响应于通过先前扫描线132递送的先前扫描信号sn-1而被导通，并且将初始化电压vint递送到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1，从而执行将驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1的电压初始化的初始化操作。

操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅电极g5连接到发射控制线121，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源电极s5连接到驱动电压线152，并且操作控制薄膜晶体管t5的操作控制漏电极d5连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1和开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2。

发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅电极g6连接到发射控制线121，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源电极s6连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1和补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3，并且发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6电连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7和有机发光器件oled的像素电极。发射控制栅电极g6可以被提供为发射控制线121的一部分。

操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于通过发射控制线121递送的发射控制信号en而同时被导通，使得驱动电压elvdd被递送到有机发光器件oled并且驱动电流ioled流过有机发光器件oled。

第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅电极g7连接到后续扫描线133，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6和有机发光器件oled的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7连接到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4和初始化电压线103。第二初始化薄膜晶体管t7响应于通过后续扫描线133递送的后续扫描信号sn+1而被导通，并且将有机发光器件oled的像素电极初始化。

尽管图3示出了在其中第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7分别连接到先前扫描线132和后续扫描线133的情况，但是本发明不限于此。作为另一示例性实施例，第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7都可以连接到先前扫描线132，并且可以响应于先前扫描信号sn-1而被驱动。另外，图3中所示的源电极s1至s7和漏电极d1至d4的位置可以根据薄膜晶体管是p型还是n型而彼此改变。

根据示例性实施例的每个像素px的详细操作如下。

在初始化时段期间，当通过先前扫描线132提供先前扫描信号sn-1时，第一初始化薄膜晶体管t4响应于先前扫描信号sn-1而被导通，并且驱动薄膜晶体管t1被从初始化电压线103提供的初始化电压vint初始化。

在数据编程时段期间，当通过当前扫描线131提供扫描信号sn时，开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3响应于扫描信号sn而被导通。在此情况下，驱动薄膜晶体管t1被导通的补偿薄膜晶体管t3二极管连接，并且在正方向上偏置。

通过这样做，作为从数据线151提供的数据信号dm减去驱动薄膜晶体管t1的阈值电压(vth)(vth为负值)的值的补偿电压dm+vth被施加到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。

驱动电压elvdd和补偿电压dm+vth被分别施加在存储电容器cst的两端，并且与存储电容器cst的两端处的电压之间的差对应的电荷被存储在存储电容器cst中。

在发射时段期间，操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于从发射控制线121提供的发射控制信号en而被导通。根据驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1的电压与驱动电压elvdd之间的差的驱动电流ioled被生成，并且驱动电流ioled通过发射控制薄膜晶体管t6被提供到有机发光器件oled。

根据本示例性实施例的显示装置包括连接到当前扫描线131并且接收扫描信号sn的屏蔽导电层141。屏蔽导电层141可以阻挡可能发生在布置有数据线151的部分a与将驱动薄膜晶体管t1连接到补偿薄膜晶体管t3的部分b之间的寄生电容。由于不是恒定电压而是脉冲信号的扫描信号被施加到屏蔽导电层141，因此施加到像素电路的电压可以被保持为低。

在下文中，将参考图4a至图7的布局图和截面图更详细地描述根据示例性实施例的显示装置。

图4a是示意性地图示根据示例性实施例的像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的布局图。图4b至图4e分别为示出根据层的图4a中所示的配置的示意性布局图。

图5是示出图4a中所示的屏蔽导电层的配置的一部分的示意性布局图。图6示出了沿线i-i’截取的图4a的截面图的局部配置。图7是沿线ii-ii’和iii-iii’截取的图4a的截面图，其中示出了布置有有机发光器件的配置。

如图4a至图5中所示，根据示例性实施例的显示装置包括在第一方向上延伸的当前扫描线131、先前扫描线132、发射控制线121和初始化电压线103，并且包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线151和驱动电压线152。

在示例性实施例中，当前扫描线131和先前扫描线132可以包括相同的材料并且被布置在同一层中。先前扫描线132可以连接到后续扫描线133(参见图3)，并且提供与后续扫描线133的信号相同的信号。当前扫描线131和先前扫描线132被布置在与在其中布置有薄膜晶体管t1至t7的栅电极g1至g7的层不同的层中，并且可以各自具有小于栅电极g1至g7的电阻的电阻。也就是说，当前扫描线131的比电阻值可以小于栅电极g1至g7的比电阻值。因此，可以有效防止或最小化由于扫描信号sn的施加而产生的rc延迟。

例如，当前扫描线131和先前扫描线132可以被布置在直接在层间绝缘层114上的层中，包括包含铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且包括包含以上提到的材料的多层或单层。例如，当前扫描线131和先前扫描线132可以各自具有ti/al/ti的多层结构。

栅电极g1至g7可以被布置在第一栅绝缘层112上(例如，被布置在第一栅绝缘层112与第二栅绝缘层113之间)，包括钼(mo)、钛(ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极g1至g7可以是单个mo层。

第二栅绝缘层113和层间绝缘层114可以被布置在当前扫描线131与栅电极g1至g7之间。也就是说，当前扫描线131和先前扫描线132被布置在与布置有栅电极g1至g7的层不同的层上，并且当前扫描线131和先前扫描线132可以通过接触孔连接到栅电极g1至g7。

此外，发射控制线121可以包括与栅电极g1至g7相同的材料，并且被布置在第一栅绝缘层112上，第一栅绝缘层112是在其上布置有栅电极g1至g7的同一层。也就是说，发射控制线121可以与栅电极g1至g7在同一层中。

数据线151和驱动电压线152可以被布置在当前扫描线131与平坦化层116之间。数据线151和驱动电压线152的比电阻值可以类似于当前扫描线131的比电阻值。例如，数据线151和驱动电压线152可以包括包含al、cu或ti的导电材料，并且可以包括包含以上提到的材料的多层或单层。例如，数据线151和驱动电压线152可以具有ti/al/ti的多层结构。

另外，根据示例性实施例的显示装置包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6、第二初始化薄膜晶体管t7和存储电容器cst。

驱动薄膜晶体管t1的驱动半导体层a1、开关薄膜晶体管t2的开关半导体层a2、补偿薄膜晶体管t3的补偿半导体层a3、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化半导体层a4、操作控制薄膜晶体管t5的操作控制半导体层a5、发射控制薄膜晶体管t6的发射控制半导体层a6以及第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化半导体层a7被布置在同一层中并且包括相同的材料。例如，半导体层a1至a7可以包括多晶硅。另外，半导体层a1至a7可以彼此连接并且被弯曲成各种形状。

半导体层a1至a7可以各自包括沟道区以及在沟道区的两侧的源区和漏区。例如，源区和漏区可以被掺杂有杂质，并且杂质可以包括n型杂质或p型杂质。源区和漏区分别与源电极和漏电极对应。在下文中，将使用术语“源区”和“漏区”代替术语“源电极”和“漏电极”。

驱动薄膜晶体管t1包括驱动半导体层a1、驱动栅电极g1、驱动源区s1和驱动漏区d1。驱动半导体层a1是弯曲的。存储电容器cst形成在驱动薄膜晶体管t1上以与驱动薄膜晶体管t1重叠。

驱动半导体层a1包括驱动沟道区以及在驱动沟道区的两侧的驱动源区s1和驱动漏区d1。驱动半导体层a1具有弯曲形状，并且因此可以比其他半导体层a2至a7长。例如，由于驱动半导体层a1具有在若干个位置处弯曲的形状，像欧米茄“ω”或字母“s”的形状，因此驱动半导体层a1可以在狭窄的空间中具有大的沟道长度(参见图4b)。由于驱动半导体层a1是长的，因此施加到驱动栅电极g1的栅电压的驱动范围增大。因此，可以更精确地控制从有机发光器件oled发射的光的灰度，并且可以改善显示质量。

存储电容器cst包括下电极cst1和上电极cst2，而第二栅绝缘层113被布置在下电极cst1与上电极cst2之间。这里，驱动栅电极g1还用作下电极cst1。也就是说，驱动栅电极g1与下电极cst1一体地形成。第二栅绝缘层113用作存储电容器cst的介电层，并且存储电容由存储在存储电容器cst中的电荷以及下电极cst1与上电极cst2之间的电压来确定。

下电极cst1为具有岛的形式的浮置电极，并且包括与发射控制线121、开关栅电极g2、补偿栅电极g3、第一初始化栅电极g4、操作控制栅电极g5、发射控制栅电极g6和第二初始化栅电极g7(参见图4c)相同的材料并且与发射控制线121、开关栅电极g2、补偿栅电极g3、第一初始化栅电极g4、操作控制栅电极g5、发射控制栅电极g6和第二初始化栅电极g7(参见图4c)布置在同一层中。

上电极cst2被布置在第二栅绝缘层113上。上电极cst2限定存储开口sop。上电极cst2与下电极cst1的整个部分重叠。存储开口sop可以具有穿透上电极cst2的闭合曲线的形式。这里，简单的闭合曲线指示当在直线或曲线(例如，多边形或圆形)上绘制点时，起点与终点相同的闭合形状。上电极cst2通过接触孔连接到驱动电压线152，并且接收驱动电压elvdd。

开关薄膜晶体管t2包括开关半导体层a2和开关栅电极g2。开关半导体层a2包括在开关沟道区的两侧的开关源区s2和开关漏区d2。开关漏区d2连接到驱动源区s1。

补偿薄膜晶体管t3包括补偿半导体层a3和补偿栅电极g3。补偿半导体层a3包括在补偿沟道区的两侧的补偿源区s3和补偿漏区d3。由补偿半导体层a3形成的补偿薄膜晶体管t3为包括两个补偿沟道区的双薄膜晶体管。补偿沟道区之间的区域是掺杂有杂质的区域，并且部分地为双薄膜晶体管的一个沟道区的源区和双薄膜晶体管的另一沟道区的漏区。补偿漏区d3可以通过节点连接线135连接到下电极cst1。补偿栅电极g3可以形成额外的双栅电极以防止漏电流。

第一初始化薄膜晶体管t4包括第一初始化半导体层a4和第一初始化栅电极g4。第一初始化半导体层a4包括在第一初始化沟道区的两侧的第一初始化源区s4和第一初始化漏区d4。由第一初始化半导体层a4形成的第一初始化薄膜晶体管t4为包括两个第一初始化沟道区的双薄膜晶体管。第一初始化沟道区之间的区域是掺杂有杂质的区域，并且部分地为双薄膜晶体管的一个沟道区的源区和双薄膜晶体管的另一沟道区的漏区。第一初始化漏区d4可以通过节点连接线135连接到下电极cst1。第一初始化源区s4可以连接到初始化电压线103。

操作控制薄膜晶体管t5包括操作控制半导体层a5和操作控制栅电极g5。操作控制半导体层a5包括在操作控制沟道区的两侧的操作控制源区s5和操作控制漏区d5。操作控制漏区d5可以连接到驱动源区s1。

发射控制薄膜晶体管t6包括发射控制半导体层a6和发射控制栅电极g6。发射控制半导体层a6包括在发射控制沟道区的两侧的发射控制源区s6和发射控制漏区d6。发射控制源区s6可以连接到驱动漏区d1。

第二初始化薄膜晶体管t7包括第二初始化半导体层a7和第二初始化栅电极g7。第二初始化半导体层a7包括在第二初始化沟道区的两侧的第二初始化源区s7和第二初始化漏区d7。

初始化电压线103可以包括与半导体层a1至a7相同的材料并且与半导体层a1至a7布置在同一层中(参见图4b)。初始化电压线103可以连接到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源区s4和第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源区s7。

驱动薄膜晶体管t1的驱动半导体层a1的一端连接到开关半导体层a2和操作控制半导体层a5，并且驱动半导体层a1的另一端连接到补偿半导体层a3和发射控制半导体层a6。因此，驱动源区s1连接到开关漏区d2和操作控制漏区d5，并且驱动漏区d1连接到补偿源区s3和发射控制源区s6。

存储电容器cst的下电极cst1通过节点连接线135连接到补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4。节点连接线135与当前扫描线131设置在同一层中(参见图4d)。节点连接线135的一端通过限定在第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中的第一节点接触孔cnt1连接到下电极cst1。这里，第一节点接触孔cnt1被布置在由上电极cst2限定的存储开口sop中。由于存储开口sop的尺寸大于第一节点接触孔cnt1的尺寸，因此第一节点接触孔cnt1可以与下电极cst1接触而不与上电极cst2接触。

节点连接线135的另一端通过限定在第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114中的第二节点接触孔cnt2连接到补偿漏区d3和第一初始化漏区d4。

存储电容器cst的上电极cst2通过限定在层间绝缘层114和通孔层115中的接触孔连接到驱动电压线152，并且从驱动电压线152接收驱动电压elvdd。

另外，开关薄膜晶体管t2被用作用于选择用于发光的像素px的开关器件。开关栅电极g2通过接触孔连接到布置在与在其上设置有开关栅电极g2的层不同的层上的当前扫描线131，开关源区s2通过接触孔连接到数据线151，并且开关漏区d2连接到驱动薄膜晶体管t1和操作控制薄膜晶体管t5。

发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏区d6可以通过限定在通孔层115和平坦化层116中的通孔直接连接到有机发光器件oled的像素电极210。

根据本示例性实施例的显示装置包括用于减小寄生电容的屏蔽导电层141。屏蔽导电层141可以从通过第三接触孔cnt3(参见图5)连接到当前扫描线131的第一栅电极层123延伸。换句话说，可以理解，屏蔽导电层141与第一栅电极层123一体地形成。

第一栅电极层123可以包括补偿薄膜晶体管t3的补偿栅电极g3和开关薄膜晶体管t2的开关栅电极g2。屏蔽导电层141可以被布置在开关栅电极g2与补偿栅电极g3之间。换句话说，由于第一栅电极层123通过第三接触孔cnt3连接到当前扫描线131，因此作为脉冲信号的扫描信号sn(参见图3)可以被提供到屏蔽导电层141。

参考分别为在屏蔽导电层141的外围处的配置的示意图和屏蔽导电层141的外围的截面图的图5和图6，在平面图中，屏蔽导电层141被布置在数据线151与节点连接线135之间。屏蔽导电层141、数据线151和节点连接线135都在第二方向上延伸。

屏蔽导电层141可以被布置在第一栅绝缘层112上并且与栅电极g1至g7在同一层中。屏蔽导电层141可以被布置在开关薄膜晶体管t2与补偿薄膜晶体管t3之间。另外，数据线151可以通过第一连接电极134连接到开关薄膜晶体管t2的开关半导体层a2。

当显示装置不包括屏蔽导电层141时，可能在数据线151与节点连接线135之间产生寄生电容，并且因此，驱动薄膜晶体管t1等的特性可能根据数据线151的信号提供而改变。

然而，由于根据本示例性实施例的显示装置包括屏蔽导电层141，因此可以有效防止寄生电容的产生。另外，由于屏蔽导电层141接收作为脉冲信号的扫描信号sn并且链接到扫描信号sn，因此可以最小化由于来自数据线151的信号引起的耦合影响。

在下文中，将根据堆叠顺序描述包括在示例性实施例的显示装置中的配置。图7示出了在其中有机发光器件oled被布置在图4a的沿线ii-ii’和iii-iii’截取的截面上的配置。

基板110可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。当基板110是柔性的或可弯曲的时，基板110可以包括例如聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。基板110可以具有包括以上提到的材料的单层或多层结构，并且在多层结构的情况下，基板110可以进一步包括无机层。在一些示例性实施例中，基板110可以具有包括有机材料/无机材料/有机材料的结构。

在基板110上的缓冲层111可以减少或防止异物、水分或外部空气从基板110的底部的渗透，并且在基板110上提供平坦化的表面。例如，缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以包括包含无机材料和有机材料的单层或多层结构。

阻挡层(未示出)可以被进一步包括在基板110与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或最小化来自基板110的杂质等渗透到半导体层a1至a7中。阻挡层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以包括包含无机材料和有机材料的单层或多层结构。

半导体层a1、a3和a6可以被布置在缓冲层111上。半导体层a1、a3和a6可以包括非晶硅或多晶硅。在另一示例性实施例中，半导体层a1可以包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)中的至少一种的氧化物。在一些示例性实施例中，半导体层a1可以包括基于zn氧化物的材料，例如，zn氧化物、in-zn氧化物、ga-in-zn氧化物等。在另一示例性实施例中，半导体层a1可以包括在zno中包括诸如in、ga或sn的金属的in-ga-zn-o(“igzo”)半导体、in-sn-zn-o(“itzo”)半导体或in-ga-sn-zn-o(“igtzo”)半导体。半导体层a1、a3和a6可以包括沟道区以及布置在沟道区的两侧的源区和漏区。半导体层a1、a3和a6每个可以包括单层或多层。

在半导体层a1、a3和a6上，栅电极g1、g3和g6被布置成分别与半导体层a1、a3和a6至少部分地重叠，而第一栅绝缘层112在半导体层a1、a3和a6以及栅电极g1、g3和g6之间。栅电极g1、g3和g6可以包括mo、al、cu、ti等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极g1、g3和g6可以各自包括单个mo层。

第一栅绝缘层112可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氧氮化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)、氧化锌(zno2)等。

第二栅绝缘层113可以被提供为覆盖栅电极g1、g3和g6。第二栅绝缘层113可以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

存储电容器cst的下电极cst1可以与驱动薄膜晶体管t1重叠。例如，驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1可以用作存储电容器cst的下电极cst1。

存储电容器cst的上电极cst2与下电极cst1重叠，而第二栅绝缘层113在上电极cst2与下电极cst1之间。在此情况下，第二栅绝缘层113可以用作存储电容器cst的介电层。上电极cst2可以包括包含mo、al、cu、ti等的导电材料，并且可以包括包含以上提到的材料的多层或单层。

层间绝缘层114可以被提供成覆盖存储电容器cst的上电极cst2。层间绝缘层114可以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

节点连接线135被布置在层间绝缘层114上。节点连接线135可以包括包含铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上提到的材料的多层或单层。例如，节点连接线135可以具有ti/al/ti的多层结构。

节点连接线135的一端可以通过穿透层间绝缘层114和第二栅绝缘层113的第一节点接触孔cnt1而连接到驱动栅电极g1，并且节点连接线135的另一端可以通过穿透层间绝缘层114、第二栅绝缘层113和第一栅绝缘层112的第二节点接触孔cnt2而连接到补偿半导体层a3。

通孔层115可以在节点连接线135和第二连接电极136上，并且数据线151和驱动电压线152可以在通孔层115上。

例如，通孔层115可以包括像苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺、六甲基二硅烷(“hmdso”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)和聚苯乙烯(“ps”)的通用商业聚合物，具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、它们的共混物等。通孔层115可以包括无机材料。例如，通孔层115可以包括sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。当通孔层115包括无机材料时，可以执行化学平坦化抛光。另外，通孔层115可以包括有机材料和无机材料。

数据线151和驱动电压线152被布置在通孔层115上。数据线151和驱动电压线152可以各自包括包含al、cu、ti等的导电材料，并且可以包括包含以上提到的材料的多层或单层。

平坦化层116在数据线151和驱动电压线152上。平坦化层116可以包括诸如亚克力、bcb、聚酰亚胺(“pi”)或hmdso的有机材料。可替代地，平坦化层116可以包括无机材料。平坦化层116通常可以将覆盖薄膜晶体管t1至t7的保护层的上部分平坦化。平坦化层116可以包括单层或多层。

包括像素电极210、对电极230以及位于像素电极210与对电极230之间并且包括发射层的中间层220的有机发光器件oled可以被布置在平坦化层116上。

像素电极210通过通孔连接到第二连接电极136，穿透平坦化层116和通孔层115，并且通过第二连接电极136连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏区d6。

像素限定层117可以被布置在平坦化层116上。像素限定层117通过与每个像素px对应的开口来限定像素px。也就是说，开口暴露像素电极210的至少中心部分。像素限定层117还通过增大像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离，来防止在像素电极210的边缘处产生电弧等。像素限定层117可以包括有机材料，例如，pi、hmdso等。

有机发光器件oled的中间层220可以包括低分子量材料或聚合物材料。例如，当中间层220包括低分子量材料时，空穴注入层(“hil”)、发射层(“eml”)、电子传输层(“etl”)、电子注入层(“eil”)等可以具有单层结构或多层堆叠结构，并且低分子量材料可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(“cupc”)、n,n’-双(萘-1-基)-n,n’-二苯基-联苯胺(“npb”)和三-8-羟基喹啉铝(“alq3”)。这种层可以通过真空沉积方法形成。

当中间层220包括聚合物材料时，中间层220通常可以具有包括htl和eml的结构。在此情况下，例如，htl可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)(“pedot”)，并且eml可以包括诸如聚苯乙炔(“ppv”)类材料和聚芴的聚合物材料。中间层220可以通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(“liti”)方法等形成。

然而，中间层220不限于此，并且可以具有各种结构。另外，中间层220可以包括在多个像素电极210之上一体地形成的层，并且还可以包括被图案化为与多个像素电极210中的每个像素电极210对应的层。

对电极230可以被布置在显示区域da中以覆盖显示区域da。也就是说，对电极230可以一体地形成在多个有机发光器件oled上方，以与多个像素电极210对应。

由于有机发光器件oled可能由于来自外部的水分或氧气而被轻易损坏，因此薄膜封装层300可以覆盖有机发光器件oled以用于保护。薄膜封装层300可以覆盖显示区域da并且延伸到显示区域da的外部区域。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

例如，第一无机封装层310可以覆盖对电极230，并且包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(in2o3)、氧化锡(sno2)、氧化铟锡(“ito”)、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅等。诸如封盖层(未示出)的其他层可以根据需要位于第一无机封装层310与对电极230之间。当第一无机封装层310沿着位于其下方的结构被提供时，第一无机封装层310的上表面是不平坦的。

有机封装层320覆盖第一无机封装层310，并且与第一无机封装层310不同，有机封装层320可以具有近似平坦的上表面。更具体地，有机封装层320的上表面可以在与显示区域da对应的部分中近似平坦。例如，有机封装层320可以包括从由亚克力、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅烷组成的组中选择的至少一种材料。

例如，第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、in2o3、sno2、ito、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅等。

如以上所描述的，薄膜封装层300包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。通过使用这个多层结构，即使在薄膜封装层300中出现裂纹时，也可以防止在第一无机封装层310与有机封装层320之间或在有机封装层320与第二无机封装层330之间的这种裂缝的连接。通过这样做，可以防止或最小化外部水分或氧气通过其渗透到显示区域da中的路径的形成。

尽管未示出，但是用于防止掩模的压印的间隔件可以被进一步提供在像素限定层117上，并且用于减少外部光的反射的诸如偏振层、黑矩阵、滤色器和/或包括触摸电极的触摸屏的各种功能层可以被提供在薄膜封装层300上。

图8是根据另一示例性实施例的像素的等效电路图，并且图9是示意性地图示包括在图8中的像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的平面图。在图8和图9中，与图3和图4的附图标记相同的附图标记指代与图3和图4的构件相同的构件，并且因此将省略重复的描述。

参考图8，像素px包括信号线121、131、132和151，连接到信号线121、131、132和151的多个薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7，电容器cst，初始化电压线103，驱动电压线152以及有机发光器件oled。

在本示例性实施例中，连接到先前扫描线132的屏蔽导电层142可以被布置在布置有数据线151的部分a以及将驱动薄膜晶体管t1连接到补偿薄膜晶体管t3的部分b之间。屏蔽导电层142连接到先前扫描线132，并且可以接收先前扫描信号sn-1。

屏蔽导电层142可以用于防止可能出现在部分a与部分b之间的寄生电容。

参考图9，屏蔽导电层142在第二方向上延伸，并且在俯视平面图中，屏蔽导电层142被布置在数据线151与节点连接线135之间。由于节点连接线135与驱动电压线152重叠，因此屏蔽导电层142可以被理解为被布置在数据线151与驱动电压线152之间。

在本示例性实施例中，屏蔽导电层142可以从通过第四接触孔cnt4连接到先前扫描线132的第二栅电极层125延伸。第二栅电极层125可以是第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅电极g4。第一初始化栅电极g4可以弯曲两次并且与第一初始化半导体层a4重叠两次。例如，第一初始化栅电极g4可以具有字母“c”的形式。第一初始化栅电极g4可以是双栅电极，并且第一初始化薄膜晶体管t4可以是双薄膜晶体管。

屏蔽导电层142可以被布置在数据线151与节点连接线135之间，以防止寄生电容的出现。另外，屏蔽导电层142接收作为脉冲信号的先前扫描信号sn-1，并且与先前扫描信号sn-1链接。因此，可以最小化由于来自数据线151的信号引起的耦合影响。

如以上描述的，在示例性实施例中，与栅电极g1至g7布置在同一层中的屏蔽导电层141或142被布置在将驱动薄膜晶体管t1与补偿薄膜晶体管t3连接的节点连接线135与数据线151之间。因此，可以减少由于寄生电容引起的串扰。

另外，由于具有比薄膜晶体管t1至t7的栅电极g1至g7的电阻低的电阻的扫描线131，因此可以防止rc延迟。

应理解，本文中描述的示例性实施例应仅在描述性意义上被考虑而不用于限制目的。每个示例性实施例内的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它示例性实施例中的其它相似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在一个或多个实施例中进行形式上和细节上的各种修改，而不背离由所附权利要求限定的精神和范围。