一种硅片电池镀膜用石墨舟片及石墨舟的制作方法

本实用新型属于太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种硅片电池镀膜用石墨舟片及石墨舟，尤其是用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片及石墨舟。

背景技术：

随着太阳能光伏发电市场对高功率太阳能光伏组件的需求激增，叠瓦、半片太阳能光伏组件已成为高功率组件的主流产品。因大尺寸整片硅片(如m9190x190mm,m10200x200mm,m12210x210mm)已超出现有管式镀膜炉管管径极限范围，不能进行镀膜，对管式镀膜炉管进行改造，使得改造成本上升。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型要解决的问题是提供一种硅片电池镀膜用石墨舟片及石墨舟，尤其适合半片硅片进行镀膜时使用，在不改变石墨舟整体的结构的情况下，改变硅片放置区的结构，降低改造成本，便于大尺寸硅片进行镀膜。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，包括石墨舟片本体和分隔件，石墨舟片本体上设有多个硅片放置区，多个硅片放置区沿着石墨舟片本体的长度方向依次设置，分隔件设于硅片放置区处，硅片放置区周侧设有卡点。

进一步的，硅片放置区为长方形通孔结构，硅片放置区的长度大于宽度。

进一步的，硅片放置区的长度与半片硅片的长度相适应，硅片放置区的宽度与半片硅片的宽度相适应。

进一步的，分隔件为十字型结构，设于硅片放置区上。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟，包括多个上述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、连接杆和隔挡件，多个石墨舟片均与连接杆连接，隔挡件设于连接杆上，且隔挡件设于相邻石墨舟片之间，多个石墨舟片平行设置。

进一步的，隔挡件为陶瓷套，陶瓷套的长度为10.48-10.52mm。

由于采用上述技术方案，使得石墨舟片结构简单，硅片放置区为长方形结构，便于半片硅片的放置，同时，具有分隔件，对硅片进行分隔，防止硅片粘片；在不改变石墨舟结构的情况下，石墨舟片之间的距离减小，满足半片硅片镀膜的产能需求，且改造成本低。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的石英舟片结构示意图。

图中：

1、石英舟片本体2、硅片放置区3、分隔件

4、卡点

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1示出了本实用新型一实施例的结构示意图，具体示出了本实施例的结构，本实施例涉及一种硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法，尤其是一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、石墨舟及镀膜方法，用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜时使用，采用有用于放置半片硅片的石墨舟片的石墨舟进行硅片电池的镀膜，使得大尺寸硅片电池镀膜时能够满足管式镀膜炉需求，在不改造现有的管式镀膜炉的结构情况下，能够对大尺寸硅片电池进行镀膜。这里的大尺寸硅片为m6、m9、m10、m12及以上。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片，如图1所示，包括石墨舟片本体1和分隔件3，石墨舟片本体1上设有多个硅片放置区2，多个硅片放置区2沿着石墨舟片本体1的长度方向依次设置，分隔件3设于硅片放置区2处，硅片放置区2的周侧设有卡点4。该硅片放置区2用于放置硅片用，便于对硅片进行镀膜，且在硅片放置区2放置两片硅片，两片分别放置于硅片放置区2的两侧，背对背设置，进行单面镀膜，分隔件3的设置，对两件硅片进行分隔，防止两片硅片粘片。

具体地，该石墨舟片本体1为长方体结构，具有一定的厚度，其厚度根据实际需求进行选择，同时，在石墨舟片本体1的两端分别具有连接凸耳，用于与石墨杆连接，在石墨舟片本体1的两端均具有多个连接凸耳，根据实际需求进行选择，优选的，在本实施例中，石墨舟片本体1的两端均具有两个连接凸耳，便于多个石墨舟片本体1连接构成石墨舟整体，结构稳定，使用寿命长。

该石墨舟片本体1上设有多个硅片放置区2，用于放置硅片用，该硅片放置区2为长方形通孔结构，位于石墨舟片在宽度方向上的中间部分，同时，该硅片放置区2的长度大于宽度，便于对大尺寸硅片的半片放置，硅片放置区2的长度和宽度根据半片大尺寸硅片的长度和宽度进行选择，硅片放置区2的长度与半片大尺寸硅片的长度相适应，硅片放置区的宽度与半片大尺寸硅片的宽度相适应，便于半片大尺寸硅片的放置。

在硅片放置区2的周侧设有卡点4，便于硅片卡在硅片放置区2处，进行硅片的放置，进行镀膜。卡点4的数量为多个，至少为三个，呈三角形设置，对硅片的三边进行支撑，便于硅片安装在石墨舟片上，进行镀膜。

在本实施例中，以m12硅片为例，该硅片放置区的长度为209.8-210.2mm，硅片放置区的宽度为104.8-105.2mm。

上述的分隔件3为十字型结构，设于硅片放置区2上，分隔件3的四个自由端部分别与硅片放置区2的通孔的侧壁连接，使得分隔件3位于硅片放置区2的中间位置，对硅片放置区2的两侧的硅片进行分隔。该分隔件3的材质与石墨舟片本体1的材质相同，且分隔件3通过螺栓等连接件与硅片放置区2的侧壁固定连接，在硅片放置区2的侧壁上设有安装槽，且在安装槽底部设有螺纹孔，分隔件3的端部设有安装孔，分隔件3在安装时，分隔件3端部的安装孔与螺纹孔的位置相对应，便于分隔件通过螺栓等连接件与硅片放置区的侧壁连接。

该分隔件3也可以是x型结构，或者是两个平行设置的支撑杆，或者是其他形状结构，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。

硅片放置区2的数量为多个，多个硅片放置区2沿着石墨舟片本体1的长度方向依次设置，且多个硅片放置区位于同一直线上，等间隔设置，其数量根据石墨舟片本体1的长度进行选择，使得硅片放置区2布满石墨舟片本体1，使得每个石墨舟片本体1上可以放置多个硅片，进行多个硅片镀膜。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟，包括多个上述的用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池镀膜用石墨舟片、连接杆和隔挡件，多个石墨舟片均与连接杆连接，隔挡件设于连接杆上，且隔挡件设于相邻石墨舟片之间，多个石墨舟片平行设置。连接杆的数量为多个，均与多个石墨舟片连接，且多个连接杆平行设置。也就是，多个石墨舟片平行设置，且等间隔设置，在石墨舟片的长度方向上设有多个安装通孔，位于硅片放置区的上下两侧，连接杆穿过多个石墨舟片上相对应的安装通孔，将多个石墨舟片连接在一起，构成石墨舟本体，同时，相邻石墨舟片之间的连接杆上设有隔挡件，对相邻石墨舟片进行隔挡，使得多个石墨舟片等间距设置在连接杆上。在石墨舟片的连接凸耳处设有石墨杆，石墨杆将多个连接凸耳连接在一起。多个石墨舟片平行设置，且多个连接杆平行设置，便于硅片镀膜时镀膜均匀。

优选的，上述的连接杆为陶瓷杆，隔挡件为陶瓷套，陶瓷套套装在连接杆上，且陶瓷套的长度为10.48-10.52mm，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。与现有石墨舟相比，石墨舟片的数量增加，缩短舟片之间的距离，产能损失的风险降低，弥补了在不改变石墨舟整体结构的情况下，满足半片硅片的镀膜，满足产能需求。

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，包括以下步骤，

s1：对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片：在进行插片之前，对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片，在进行硅片切割时，采用激光进行切割，将硅片切割成对称的半片硅片，则该半片硅片的形状为长方形，其长度与切割前的硅片的长度相同，其宽度为切割前的硅片的宽度的一半。

s2：对半片硅片进行插片，装载在石墨舟上：将半片硅片放置在石墨舟上的硅片放置区处，并通过卡点进行卡接，将半片硅片卡接在硅片放置区处，且半片硅片放置在硅片放置区的两侧，并通过分隔件进行分隔，进行单面镀膜。

s3：对半片硅片进行镀膜，在半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜：将装载有半片硅片的石墨舟放入镀膜设备中，进行镀膜：

首先，进行第一次镀膜：硅片镀膜过程中，第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，进行第一次镀膜，其中，

第一镀膜时间为120-180s，第一镀膜压力为1500-1900mtorr，硅烷的流量为850-1150sccm，氨气的流量为4-6slm，第一镀膜温度为400-500℃，使得氨气和硅烷在高温下反应，在硅片表面沉积，生成一层含氢的非晶薄膜。

其次，硅片镀膜过程中，第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，

第二镀膜时间为180-240s，第二镀膜压力为1500-1900mtorr，硅烷的流量为470-770sccm，氨气的流量为4.8-8.8slm，第二镀膜温度为400-500℃，使得氨气和硅烷在高温下反应，在硅片表面沉积，在第一次镀膜生成的薄膜上再次生成一层含氢的非晶薄膜

最后，硅片镀膜过程中，第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，

第三镀膜时间为270-370s，第三镀膜压力为1500-1900mtorr，硅烷的流量为310-610sccm，氨气的流量为2.4-6.4slm，第三镀膜温度为400-500℃，使得氨气和硅烷在高温下反应，在硅片表面沉积，在第二次镀膜生成的薄膜上再次生成一层含氢的非晶薄膜。

镀膜完成后，在半片硅片表面镀上减反射钝化膜，减少硅片表面的光反射率，氢离子的注入，增强硅片表面和体内的钝化效果，降低载流子的复合。

实施例一

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，以210x210mm为例进行说明，包括以下步骤，

s1：对硅片进行切割，将硅片一分为二：在进行插片之前，对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片，在硅片进行切割时，采用激光进行切割，将210x210mm硅片切割成210x105mm的半片硅片。

s2：对半片硅片进行插片，装载在石墨舟上：石墨舟的石墨舟片上的硅片放置区为210x105mm，便于半片硅片的放置，并通过卡点卡接，半片硅片放置在硅片放置区的两侧，进行单面镀膜；

s3：对半片硅片进行镀膜，在半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜：将装载有硅片的石墨舟放入镀膜设备中，进行镀膜：

第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，其中，第一镀膜时间为120s，第一镀膜压力为1500mtorr，硅烷的流量为850sccm，氨气的流量为4slm，第一镀膜温度为400℃。

第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，第二镀膜时间为180s，第二镀膜压力为1500mtorr，硅烷的流量为470sccm，氨气的流量为4.8slm，第二镀膜温度为400℃。

第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，第三镀膜时间为270s，第三镀膜压力为1500mtorr，硅烷的流量为310sccm，氨气的流量为2.4slm，第三镀膜温度为400℃。

实施例二

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，以210x210mm为例进行说明，包括以下步骤，

s1：对硅片进行切割，将硅片一分为二：在进行插片之前，对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片，在硅片进行切割时，采用激光进行切割，将210x210mm硅片切割成210x105mm的半片硅片。

s2：对半片硅片进行插片，装载在石墨舟上：石墨舟的石墨舟片上的硅片放置区为210x105mm，便于半片硅片的放置，并通过卡点卡接，半片硅片放置在硅片放置区的两侧，进行单面镀膜；

s3：对半片硅片进行镀膜，在半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜：将装载有硅片的石墨舟放入镀膜设备中，进行镀膜：

第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，其中，第一镀膜时间为180s，第一镀膜压力为1900mtorr，硅烷的流量为1150sccm，氨气的流量为6slm，第一镀膜温度为500℃。

第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，第二镀膜时间为240s，第二镀膜压力为1900mtorr，硅烷的流量为770sccm，氨气的流量为8.8slm，第二镀膜温度为500℃。

第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，第三镀膜时间为370s，第三镀膜压力为1900mtorr，硅烷的流量为610sccm，氨气的流量为6.4slm，第三镀膜温度为500℃。

实施例三

一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池的镀膜方法，以210x210mm为例进行说明，包括以下步骤，

s1：对硅片进行切割，将硅片一分为二：在进行插片之前，对硅片进行切割，将硅片一分为二，形成半片硅片，在硅片进行切割时，采用激光进行切割，将210x210mm硅片切割成210x105mm的半片硅片。

s2：对半片硅片进行插片，装载在石墨舟上：石墨舟的石墨舟片上的硅片放置区为210x105mm，便于半片硅片的放置，并通过卡点卡接，半片硅片放置在硅片放置区的两侧，进行单面镀膜；

s3：对半片硅片进行镀膜，在半片硅片镀膜过程中，进行多次镀膜：将装载有硅片的石墨舟放入镀膜设备中，进行镀膜：

第一次镀膜时，按照第一镀膜温度和第一镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第一镀膜时间，其中，第一镀膜时间为150s，第一镀膜压力为1700mtorr，硅烷的流量为1000sccm，氨气的流量为5slm，第一镀膜温度为450℃。

第二次镀膜时，按照第二镀膜温度和第二镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第二镀膜时间，其中，第二镀膜时间为210s，第二镀膜压力为1700mtorr，硅烷的流量为620sccm，氨气的流量为6.8slm，第二镀膜温度为450℃。

第三次镀膜时，按照第三镀膜温度和第三镀膜压力，通入硅烷和氨气，并设定第三镀膜时间，其中，第三镀膜时间为320s，第三镀膜压力为1700mtorr，硅烷的流量为460sccm，氨气的流量为4.4slm，第三镀膜温度为450℃。

由于采用上述技术方案，使得石墨舟片结构简单，硅片放置区为长方形结构，便于半片硅片的放置，同时，具有分隔件，对硅片进行分隔，防止硅片粘片；在不改变石墨舟结构的情况下，石墨舟片之间的距离减小，满足半片硅片镀膜的产能需求，且改造成本低。

以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。