1.一种半导体电路结构，包括：
半导体衬底，具有第一电路区域和第二电路区域；
有源区域，从所述半导体衬底延伸并且由隔离部件围绕；
第一晶体管，包括形成在所述有源区域上并且设置在所述第一电路区域中的第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件具有小于参考节距的第一栅极节距；以及
第二晶体管，包括形成在所述有源区域上并且设置在所述第二电路区域中的第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件具有大于所述参考节距的第二栅极节距，其中，所述第二晶体管是高频晶体管，并且所述第一晶体管是逻辑晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体电路结构，其中，所述参考节距根据所述第一晶体管和所述第二晶体管的制造技术和特性来确定。
3.根据权利要求1所述的半导体电路结构，还包括第三晶体管，所述第三晶体管包括形成在所述有源区域上并且设置在所述半导体衬底的第三电路区域中的第三栅极堆叠件，所述第三栅极堆叠件具有与所述第一栅极节距和所述第二栅极节距不同的第三栅极节距。
4.根据权利要求1所述的半导体电路结构，其中，
所述第一栅极堆叠件包括第一栅极高度；并且
所述第二栅极堆叠件包括小于所述第一栅极高度的第二栅极高度。
5.根据权利要求4所述的半导体电路结构，其中，
所述第一栅极堆叠件和所述第二栅极堆叠件的截面轮廓不同；
所述第一栅极堆叠件包括具有梯形形状的顶部；并且
所述第二栅极堆叠件包括具有圆形拐角的顶部。
6.根据权利要求5所述的半导体电路结构，其中，
所述第二栅极堆叠件的每个还包括位于所述有源区域的顶面之上的上部和位于所述有源区域的所述顶面下方的下部；并且
所述下部在截面图中具有不平坦的轮廓。
7.根据权利要求6所述的半导体电路结构，其中，
每个所述第二栅极堆叠件的所述下部在底面处跨越第一宽度w1，在中间位置处跨越第二宽度w2，并且在与所述有源区域的所述顶面齐平的顶面处跨越第三宽度w3；
w1和w3的每个大于w2；并且
w3大于w1。
8.根据权利要求7所述的半导体电路结构，其中，
第一比率w1/w2在1.05和1.13之间的范围内；并且
第二比率w3/w2在1.2和1.3之间的范围内。
9.一种半导体电路结构，包括：
半导体衬底，具有第一电路区域和第二电路区域；
逻辑晶体管，包括设置在所述第一电路区域中的第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件具有第一栅极节距；
高频晶体管，包括设置在所述第二电路区域中的第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件具有大于所述第一栅极节距的第二栅极节距；
第一伪区域和第二伪区域，所述第一伪区域围绕所述逻辑晶体管，所述第二伪区域围绕所述高频晶体管；以及
保护环，设置在所述第二电路区域和所述第二伪区域之间，其中，
所述第一伪区域包括第一伪栅极，所述第一伪栅极配置为具有等于所述第一栅极节距的第三栅极节距；并且
所述第二伪区域包括第二伪栅极，所述第二伪栅极配置为具有小于所述第二栅极节距的第四栅极节距。
10.一种半导体结构，包括：
半导体衬底，具有第一电路区域和第二电路区域；
逻辑晶体管，包括设置在所述第一电路区域中的第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件具有第一栅极节距和第一栅极高度；
高频晶体管，包括设置在所述第二电路区域中的第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件具有大于所述第一栅极节距的第二栅极节距和小于所述第一栅极高度的第二栅极高度；
第一伪区域和第二伪区域，所述第一伪区域围绕所述逻辑晶体管，所述第二伪区域围绕所述高频晶体管；以及
保护环，设置在所述第二电路区域和所述第二伪区域之间，其中，
所述第一伪区域包括第一伪栅极，所述第一伪栅极配置为具有等于所述第一栅极节距的第三栅极节距，并且
所述第二伪区域包括第二伪栅极，所述第二伪栅极配置为具有小于所述第二栅极节距的第四栅极节距。