[0098] 具体为：在形成有平坦化层9的图案的基板上沉积一层透明导电材料薄膜，可选 用氧化铟锡（IT0)等材料，并进行图形化形成像素电极10的图案，如图13所示；
[0099] 在形成有像素电极10的图案的基板上沉积一层非金属薄膜，可选用SiNx等材料， 并进行图形化，形成第一钝化层11的图案，所述第一钝化层11的图案中形成有过孔，如图 13所示；
[0100] 继续沉积一层透明导电材料薄膜，厚度为500?800A,并进行图形化，形成公共电 极12的图案，如图14所示。
[0101] 优选的，本发明实施例所述的方法还可具体包括：
[0102] 通过第一次掩膜工艺在基板上形成包括栅极2的图案和有源层4的图案；
[0103] 通过第二次掩膜工艺形成栅绝缘层3的图案；
[0104] 通过第三次掩膜工艺形成包括源漏极7的图案；
[0105] 通过第四次掩膜工艺形成平坦化层9的图案；
[0106] 通过第五次掩膜工艺形成包括像素电极10的图案。
[0107] 优选的，该方法还包括：在形成有源层4的图案之后，形成欧姆接触层5的图案； 相应的，
[0108] 所述通过第三次掩膜工艺形成包括源漏极7的图案，具体包括：
[0109] 通过第三次掩膜工艺形成欧姆接触层5的图案以及包括源漏极7的图案。
[0110] 优选的，该方法还包括：在形成所述包括源漏极7的图案之后，形成第一钝化层11 的图案；相应的，
[0111] 所述通过第四次掩膜工艺形成平坦化层9的图案，具体包括：
[0112] 通过第四次掩膜工艺同时形成所述第一钝化层11的图案以及所述平坦化层9的 图案。
[0113] 优选的，该方法还包括：通过第六次掩膜工艺形成第二钝化层8的图案；以及，通 过第七次掩膜工艺形成包括公共电极12的图案。
[0114] 从上述阵列基板的制作方法可以看出，与现有技术相比，栅极和有源层的制备均 各需要一块掩膜版，而本发明中所述栅极和有源层的制备仅需要一块掩膜版，较少了掩膜 工艺的次数，有效节省了成本，提高了生产效率。
[0115] 本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板是利用上述方法制作得到 的，结构如图1所示，与现有技术相同，包括：形成于基板1上的包括栅极2的图案；形成于 包括栅极2的图案上覆盖整个基板1的栅绝缘层3的图案；形成于栅绝缘层3的图案上的 有源层4的图案；形成于栅绝缘层3的图案上的包括源漏极7的图案，所述G0A区域的包括 源漏极7的图案通过栅绝缘层3的图案上的过孔与包括栅极2的图案相连；形成于包括源 漏极7的图案和栅绝缘层3的图案上的平坦化层9的图案；形成于平坦化层9的图案上通 过平坦化层9的图案上的过孔与包括源漏极7的图案相连的像素电极10的图案；所述包括 栅极2的图案和有源层4的图案是由一次掩膜工艺形成的。
[0116] 优选的，所述阵列基板还包括：形成在有源层4的图案上方以及包括源漏极7的图 案下方的欧姆接触层5的图案。
[0117] 优选的，所述阵列基板还包括：形成在包括源漏极7的图案上方以及平坦化层9的 下方形成的第一钝化层11的图案。
[0118] 优选的，所述阵列基板还包括：形成在包括像素电极10的图案上方的第二钝化层 8的图案，如图12所示，以及形成在第二钝化层8的图案上方的包括公共电极12的图案。
[0119] 本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括有如上所述的阵列基 板。
[0120] 以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成包括栅极的图案、栅绝缘层的图案、 有源层的图案、包括源漏极的图案、平坦化层的图案、包括像素电极的图案；其特征在于，所 述包括栅极的图案和有源层的图案通过一次掩膜工艺形成。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法具体包括： 采用半色调掩膜工艺和离地剥离工艺形成所述包括栅极的图案和有源层的图案。
3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用半色调掩膜工艺和离地剥离工 艺形成所述包括栅极的图案和有源层的图案，具体包括： 在基板上顺序形成栅金属层薄膜、栅绝缘层薄膜、W及有源层薄膜，并在所述有源层薄 膜上涂覆感光材料； 利用半色调掩膜版对所述感光材料进行曝光显影，在对应有源层图案的区域形成感光 材料完全保留区，在对应包括栅极的图案的区域形成感光材料半保留区，其余区域形成感 光材料完全去除区； 通过第一次刻蚀去除感光材料完全去除区的有源层薄膜、栅绝缘层薄膜W及栅金属层 薄膜； 进行感光材料的灰化处理，去除感光材料半保留区的感光材料，并通过第二次刻蚀，去 除感光材料半保留区的有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，得到包括栅极的图案； 再形成一层覆盖整个基板的栅绝缘层薄膜，并采用离地剥离工艺去除所述感光材料完 全保留区上的栅绝缘层薄膜和感光材料，得到有源层的图案。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：在形成有源层的图案之 后，形成欧姆接触层的图案。
5. 根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述包括栅极的图案和有源层的图案通 过一次掩膜工艺形成，具体包括： 在基板上顺序形成栅金属层薄膜、栅绝缘层薄膜、有源层薄膜W及欧姆接触层薄膜，并 在所述欧姆接触层薄膜上涂覆感光材料； 利用半色调掩膜版对所述感光材料进行曝光显影，在对应有源层图案和欧姆接触层 图案的区域形成感光材料完全保留区，在对应包括栅极的图案的区域形成感光材料半保留 区，其余区域形成感光材料完全去除区； 通过第一次刻蚀去除感光材料完全去除区的欧姆接触层薄膜、有源层薄膜、栅绝缘层 薄膜W及栅金属层薄膜； 进行感光材料的灰化处理，去除感光材料半保留区的感光材料，并通过第二次刻蚀，去 除感光材料半保留区的欧姆接触层薄膜、有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，得到包括栅极的图 案； 再形成一层覆盖整个基板的栅绝缘层薄膜，并采用离地剥离工艺去除所述感光材料完 全保留区上的栅绝缘层薄膜和感光材料，得到有源层的图案。
6. 根据权利要求3或5所述的方法，其特征在于，所述感光材料为；光刻胶或感光树 脂。
7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法具体包括： 通过第一次掩膜工艺在基板上形成包括栅极的图案和有源层的图案； 通过第二次掩膜工艺形成栅绝缘层的图案； 通过第H次掩膜工艺形成包括源漏极的图案； 通过第四次掩膜工艺形成平坦化层的图案； 通过第五次掩膜工艺形成包括像素电极的图案。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括： 在形成有源层的图案之后，形成欧姆接触层的图案； 所述通过第H次掩膜工艺形成包括源漏极的图案，具体包括： 通过第H次掩膜工艺形成欧姆接触层的图案W及包括源漏极的图案。
9. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括： 在形成所述包括源漏极的图案之后，形成第一纯化层的图案； 所述通过第四次掩膜工艺形成平坦化层的图案，具体包括： 通过第四次掩膜工艺同时形成所述第一纯化层的图案W及所述平坦化层的图案。
10. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括： 通过第六次掩膜工艺形成第二纯化层的图案；W及 通过第走次掩膜工艺形成包括公共电极的图案。
11. 一种阵列基板，其特征在于，包括基板W及在基板上形成的包括栅极的图案、栅绝 缘层的图案、有源层的图案、包括源漏极的图案、平坦化层的图案、包括像素电极的图案；其 特征在于，所述包括栅极的图案和有源层的图案是由一次掩膜工艺形成的。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，还包括；形成在有源层的图案上方 W及包括源漏极的图案下方的欧姆接触层的图案。
13. 根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，还包括；形成在包括源漏极的图案 上方W及平坦化层的下方形成的第一纯化层的图案。
14. 根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，还包括；形成在包括像素电极的图 案上方的第二纯化层的图案W及形成在第二纯化层的图案上方的包括公共电极的图案。
15. -种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求11-14所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成包括栅极的图案、栅绝缘层的图案、有源层的图案、包括源漏极的图案、平坦化层的图案、包括像素电极的图案；所述包括栅极的图案和有源层的图案通过一次掩膜工艺形成。本发明还同时公开了一种阵列基板和显示装置，运用该方法和装置可减少阵列基板制备过程中掩膜版的数量，提高生产效率，节约成本。
【IPC分类】G02F1-1368, H01L21-77
【公开号】CN104576523
【申请号】CN201310485935
【发明人】姜晓辉, 郭建, 李田生
【申请人】北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月16日
【公告号】WO2015055054A1