抗pid晶体硅电池的高频放电制备法
【专利说明】
[0001]技术领域:本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制备方法，特别是一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法。
[0002]【背景技术】:在现有晶体硅太阳能电池的制备中，制造者对所制备的电池是否具有抗PID性能非常注重，因为光伏组件产生电位诱发衰减效应会对光伏组件的使用产生较大的影响。现有抗PID的制备方法中有一种UV法，即通过紫外线产生臭氧，然后通过臭氧对硅片表面进行氧化而产生一层二氧化硅膜，该膜和电池片上的氮化硅膜一起共同作为减反射层抗PID。UV法在使用中存在的不足是:1、生产效率低，这在于，它对硅片的氧化处理需耗时30分钟以上，而且还需通过其它辅助手段(如加热等)来强化氧化效果才能完成，这对于流水作业的硅片生产线，它严重影响着生产进程并使得其生产效率低下；2、稳定性较差，3、成本较高。
[0003]
【发明内容】
:本发明的目的在于，针对现有抗PID制备方法中UV法在使用中所存在的上述不足，而提供一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它可较好的克服现有技术中所存在的不足，具有耗时短、生产效率高，生产成本低，稳定性好的效果。
[0004]通过下述技术方案可实现本发明的目的，一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，包括将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后，其特征在于，还包括再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面，使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜，然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材加工完成。
[0005]所述二氧化娃膜的厚度为2?5nm。
[0006]所述臭氧对硅片基材表面进行氧化的时间为5?6s。
[0007]所述高频发射器放电的频率为2900?3100赫兹。
[0008]所述臭氧流的流量为15?30mg/L。
[0009]1.本发明的效果在于:1、耗时短、生产效率高，使用本方法在硅片基材上生成二氧化硅膜仅需5?6s，所用时间仅为现有技术的三百分之一，生产效率大幅度的提高，这在于，本方法采用了通过高频发射器放电产生臭氧的方式对硅片基材进行氧化，该方法产生的臭氧速率快，浓度尚，且稳定，从而，可快速对娃片进彳丁氧化，使得生广率大幅提尚；2、生产成本低，这在于本方法所用装置简单，而且不需要其它辅助手段和辅助设备，装置的运行费用也很低，所以，本方法的成本可比现有技术降低50% ;3、使用简单方便，本方法可以通过调节射频功率调节产生臭氧浓度，简单、易行；4、具有良好的抗PID效果，由本方法制成的组件在85°C，85%相对湿度，-1000V电压下老化96小时后，功率衰减小于3%，EL下未见明显发黑区域。
【附图说明】
:
[0010]附图1为本发明所制硅片的简易结构示意图。
[0011]下面结合附图及实施例对本发明进一步阐述:【具体实施方式】:
[0012]实施例1，参见附图1，一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它是将硅片基材I先进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺处理，然后再将硅片基材I置于常温常压相对密闭的空间内，用高频发射器放电激发氧气生成臭氧并流喷向硅片基材I表面，使臭氧对硅片基材I表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜2，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜2上沉积一层厚SOnm的氮化硅减反射膜3，然后对硅片进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度为3nm，臭氧对娃片基材I表面进彳丁氧化的时间为5.3s，高频发射器放电的频率为3000赫兹，所述臭氧流的流量为23mg/L。
[0013]实施例2，参见附图1，一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它是将硅片基材I先进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺处理，然后再将硅片基材I置于常温常压相对密闭的空间内，用高频发射器放电激发氧气生成臭氧并流喷向硅片基材I表面，使臭氧对硅片基材I表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜2，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜2上沉积一层厚85nm的氮化硅减反射膜3，然后对硅片进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度为2nm，臭氧对娃片基材I表面进彳丁氧化的时间为5s，高频发射器放电的频率为2900赫兹，所述臭氧流的流量为16mg/L。
[0014]实施例3，参见附图1，一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它是将硅片基材I先进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺处理，然后再将硅片基材I置于常温常压相对密闭的空间内，用高频发射器放电激发氧气生成臭氧并流喷向硅片基材I表面，使臭氧对硅片基材I表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜2，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜2上沉积一层厚77nm的氮化硅减反射膜3，然后对硅片进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材I加工完成；其中一氧化娃I旲的厚度为5nm，臭氧对娃片基材I表面进彳丁氧化的时间为6s，高频发射器放电的频率为3100赫兹，所述臭氧流的流量为29mg/L。
【主权项】
1.一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，包括将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后，其特征在于，还包括再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面，使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜，然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材加工完成。
2.按权利要求1所述的抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，其特征在于，所述二氧化娃膜的厚度为2?5nm。
3.按权利要求1所述的抗PID晶体娃电池的高频放电制备法，其特征在于，所述臭氧对娃片基材表面进行氧化的时间为5?6s。
4.按权利要求1所述的抗PID晶体娃电池的高频放电制备法，其特征在于，所述高频发射器放电的频率为2900?3100赫兹。
5.按权利要求1或2或3或4所述的抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，其特征在于，所述臭氧流的流量为15?30mg/L。
【专利摘要】本发明提供一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法，它是将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后，再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面，使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜，之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜，然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺，直至硅片基材加工完成。它的效果在于：1、耗时短、生产效率高；2、生产成本低，可比现有技术降低50％；3、使用简单方便；4、具有良好的抗PID效果。
【IPC分类】H01L31-18
【公开号】CN104600159
【申请号】CN201510043308
【发明人】孙杰, 熊大明, 龚海波, 习冬勇, 万小强, 高杨
【申请人】江西瑞晶太阳能科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月22日