有机发光显示装置及其制造方法
【专利说明】有机发光显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年12月2日提交至韩国知识产权局的第10_2013_0148648号韩国专利申请的优先权和利益，其全部内容通过整体引用并入本文。
技术领域
[0003]本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0004]有机发光显示装置是利用发光的有机发光元件显示图像的自发光显示装置。与液晶显示器(LCD)不同，有机发光显示装置不需要光源，因此可降低有机发光显示装置的厚度和重量。
[0005]此外，有机发光显示装置具有高的质量特性，例如低功耗、高亮度和高响应速度等，因此其作为用于电子装置的下一代显示装置而变得显著。
[0006]通常，有机发光元件包括插入在第一电极和第二电极之间的有机发射层(EML)，因此当电压被施加于各个电极时，从第一电极供给的空穴和从第二电极供给的电子被注入到有机发射层中并且在有机发射层中复合以形成作为空穴-电子对的激子，并且通过激子返回到基态时产生的能量来发射光。
[0007]第一电极和第二电极连接至与其对应的布线，以从外部驱动单元接收驱动电压并将电场施加于有机发射层。
[0008]同时，第一电极和第二电极通过布置在基底的非发射区域中的接触部分电连接至外部驱动单元(包括布线)。接触部分可被配置成通过接触孔等电连接至第一电极或第二电极的驱动电压布线。
[0009]布置在接触部分中的驱动电压布线可由形成在基底上、包括透明导电层、栅电极层、数据电极层等的多个层组成，并且可通过共同的(或集合的)蚀刻工艺图案化。
[0010]在执行共同的蚀刻工艺过程中，栅电极层的侧表面被蚀刻以具有下切结构，并且在下切部分中产生空气间隙。
[0011]由于下切结构产生的空气间隙可在形成于栅电极层上部的绝缘层中产生裂缝或中断，因此，绝缘功能可能退化从而在栅电极层和数据电极层之间产生短路。
[0012]此外，在接触部分上执行图案化工艺之后，执行清洗工艺，在这种情况下，水分等可能残留在下切结构中从而影响后续工艺，使得接触部分有缺陷。
【发明内容】
[0013]本发明的实施方式涉及能够最小化电极接触部分中的下切缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
[0014]根据本发明的实施方式的包括发光区域和非发光区域的有机发光显示装置包括:有机发光元件，该有机发光元件包括设置在发光区域中的第一电极和第二电极以及形成在两个电极之间的有机发射层；驱动电压供给线，设置在非发光区域中并且将驱动电压提供给第一电极和第二电极；以及接触部分，设置在非发光区域中并设置成与第一电极接触以将从驱动电压供给线提供的驱动电压供给至第一电极，其中接触部分被形成为多个层，所述多个层被图案化为使得第二导电层覆盖第一导电层。
[0015]第一导电层可以是栅电极层，第二导电层可以是数据电极层。
[0016]第一导电层和第二导电层被共同蚀刻。
[0017]接触部分还可包括形成在第一导电层下方并且通过接触孔电连接至第一电极的金属层。
[0018]金属层可以由透明导电材料形成。
[0019]第一电极可以是像素电极。
[0020]像素电极可以是阳极电极。
[0021]用于制造根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的方法，包括:在基底上形成第一导电图案，所述基底包括限定在其上的发光区域和非发光区域；在第一导电图案上形成与形成在非发光区域中的第一导电图案直接接触的第一金属层；在第一金属层上顺序地形成层间绝缘层和第二金属层；共同蚀刻第一金属层和第二金属层，以图案化第一金属层从而形成暴露第一导电图案的一部分的第二导电图案，并且同时图案化覆盖第二导电图案的边缘的第二金属层，以形成第三导电图案；以及在发光区域中形成电连接至非发光区域的暴露的第一导电图案的像素电极。
[0022]第二导电图案和第三导电图案的形成可包括:在具有层间绝缘层和第二金属层的基底的整个表面上顺序地沉积光致抗蚀剂层并形成暴露第二金属层的一部分的光致抗蚀剂图案；以及将其上形成有光致抗蚀剂图案的基底暴露于蚀刻溶液中，以同时去除暴露的第二金属层以及位于第二金属层下方并沉积为对应于第二金属层的暴露的第一金属层，从而图案化暴露第一导电图案的一部分的第一金属层和第二金属层。
[0023]第二导电图案可以为栅电极层，第三导电图案可以是数据电极层。
[0024]像素电极可以是阳极电极。
[0025]第一导电图案可以由透明导电材料形成。
【附图说明】
[0026]在下文中将参照附图更全面地描述示例性实施方式。然而，它们可具体化为不同的形式并且不应被解释为限于本文所述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并向本领域技术人员传递示例性实施方式的范围。
[0027]在附图中，为了说明清楚起见，尺寸可能被放大。应理解当元件被称作在两个元件“之间”时，其可以是两个元件之间的唯一元件，或者还可存在一个或多个中间元件。全文中相同的参考数字指代相同的元件。
[0028]图1是根据本发明实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图；
[0029]图2是图1的驱动晶体管的示意性剖视图；
[0030]图3是根据本发明实施方式的有机发光显示装置中电极接触部分和电力线的示意性剖视图；以及
[0031]图4A至4E是顺序示出了制造图3的电极接触部分和电力线的工艺的剖视图。
【具体实施方式】
[0032]实施方式的细节包括在下述详细说明和附图中。
[0033]本发明的优点和特征以及用于实现这些优点和特征的方法将结合附图通过下文描述的实施方式详细地阐明。
[0034]然而，本发明的实施方式可以以许多不同的形式实现，并且不应被理解为限于本文所述的实施方式。相反地，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并向本领域技术人员传递如本发明权利要求所定义的本发明的范围。在整个说明书中，相同的参考数字将用于表示相同或类似的部件。
[0035]为了使本发明变得清楚，与说明无关的部分将被省略，并且因为各个部件的尺寸和厚度是为了说明的目的任意示出的，所以本发明并非必须局限于本说明。
[0036]在附图中，为了清楚起见，层、膜、区域等的厚度被放大。此外，在附图中，为了简洁起见，一些层和区域的厚度被放大。
[0037]应理解，当如层、膜、区域、或基底的元件被称为位于另一元件“上”时，其可以是直接位于另一元件上或者也可以存在中间元件。
[0038]在下文中，将参照附图对根据本发明的实施方式的有机发光显示装置及其制造方法进行描述。
[0039]图1是根据本发明实施方式的有机发光显示装置的像素的电路图，以及图2是图1的驱动晶体管的示意性剖视图。
[0040]参照图1和图2，根据本发明实施方式的有机发光显示装置的像素包括:连接至栅极线GL和数据线DL的开关薄膜晶体管(TFT) Tl、连接至开关TFT Tl的驱动TFT T2、电力线PL、有机发光元件E和连接在电力线PL和开关TFT Tl的漏电极之间的存储电容器C，有机发光元件E连接至驱动TFT T2。
[0041]当扫描脉冲被供给至栅极线GL时，开关TFT Tl导通以将供给至数据线DL的数据信号供给至存储电容器C和驱动TFT T2的栅电极。
[0042]响应于供给至驱动TFT T2的栅电极的数据信号，驱动TFT