有机发光二极管显示装置及其制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求2013年11月26日在韩国提交的韩国专利申请No. 10-2013-0144341 的优先权权益，该专利申请以引用方式并入本文。
技术领域
[0002] 本发明涉及一种有机发光二极管（OLED)显示装置，更特别地，涉及一种存储容量 提高的OLED显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 近来，随着社会进入信息时代，将所有种类的电信号表现为视觉图像的各种类型 的显示装置得到快速发展。例如，液晶显示（LCD)装置和有机发光二极管（OLED)显示装置 被广泛引入，用作阴极射线管型显示装置的替代品。
[0004] 作为新型平板显示装置的OLED显示装置是自发光型。OLED显示装置具有优异的 视角、对比度等特性。另外，由于OLED显示装置不需要背光组件，因此OLED显示装置具有 低重量和低功耗。此外，OLED显示装置具有高响应速率、低生产成本等优点。另外，OLED显 示装置的所有元件是固态相的，OLED显示装置抵御外部冲击的能力强。特别地，在生产成 本方面具有大的优势。OLED显示装置的制造工艺非常简单，需要沉积设备和封装设备。
[0005] 在有源矩阵型OLED装置中，用于控制像素的电流的电压被充入存储电容器中，使 得电流的大小得以保持，直至下一帧。
[0006] 图1是相关技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。
[0007] 如图1中所示，OLED显示装置包括沿着第一方向的选通线GL、沿着第二方向的数 据线DL、开关薄膜晶体管（TFT)Tsw、存储电容器Cst、驱动TFT Tdr和发光二极管E。选通 线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区P。
[0008] 开关TFT Tsw设置在选通线GL和数据线DL的交叉部分并且连接到选通线GL和 数据线DL。驱动TFT Tdr电连接到开关TFT Tsw。
[0009] 驱动TFT Tdr和存储电容器Cst连接到开关TFT Tsw和高电平电压VDD。发光二 极管E连接到驱动TFT Tdr和低电平电压VSS。
[0010] 当开关TFT Tsw因通过选通线GL施加的选通信号而导通时，来自数据线DL的数 据信号被施加到驱动TFT Tdr的栅极和存储电容器Cst的电极。当驱动TFT Tdr因数据信 号而导通时，从高电平电压VDD向发光二极管E供应电流。结果，发光二极管E发光。在这 种情况下，当驱动TFT Tdr导通时，到发光二极管E的电流的大小被确定，使得发光二极管 E可产生灰阶。
[0011] 存储电容器Cst用于当开关TFT Tsw截止时保持驱动TFT Tdr的栅极的电压。因 此，即使开关TFT Tsw截止，到发光二极管E的电流的大小也得以保持至下一帧。
[0012] 为了生产高分辨率显示装置，应该增加单位面积中的像素区P的数量。即，在高分 辨率显示装置中，一个像素区P的大小减小。
[0013] 当一个像素区P的大小减小时，存储电容器Cst的大小也减小，以致存储电容减 小。
[0014] 当增大存储电容器Cst的大小以提供高存储电容时，孔径比减小。
【发明内容】
[0015] 因此，本发明致力于一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或 更多个问题的OLED显示装置。
[0016] 本发明的附加特征和优点将在随后的描述中阐述并且根据描述将部分变得显而 易见，或者可通过本发明的实践而得知。将通过书面描述及其权利要求书以及附图中特别 指出的结构来实现和获得本发明的这些和其它优点。
[0017] 根据本发明，如本文中实施和广义描述的，一种有机发光二极管显示装置包括：第 一氧化物半导体层，其包括第一区至第四区；第一绝缘层，其在所述第一氧化物半导体层 上；第一栅极，其在所述第一绝缘层上并且与所述第一区完全交叠；第一存储电极，其从所 述第一栅极延伸并且与所述第二区交叠；第二绝缘层，其覆盖所述第一栅极和所述第一存 储电极并且将所述第三区和第四区露出；第一源极和第一漏极，其在所述第二绝缘层上并 且接触所述第三区和所述第四区；发光二极管，其连接到所述第一漏极，其中，在除了所述 第一存储电极的中心之外的所述第一存储电极的边缘处的所述第二区的一部分是导电的， 以形成第二存储电极，并且所述第一存储电极、所述第二存储电极和所述第一绝缘层构成 第一存储电容器。
[0018] 在另一方面，一种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括：在基板上形 成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层的第一区上形成第一绝缘图案和栅极，并且在 所述氧化物半导体层的第二区上形成第二绝缘图案和第一存储电极；通过执行等离子体处 理，还原在所述第一存储电极的边缘内侧的所述第二区的一部分；形成绝缘层，所述绝缘层 将所述氧化物半导体层的在所述第一区两侧的第三区和第四区露出并且覆盖所述栅极和 所述第一存储电极；在所述绝缘层上形成接触所述第三区和所述第四区的源极和漏极；以 及形成与所述漏极连接的发光二极管。
[0019] 要理解，以上总体描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且旨在对要求 保护的本发明提供进一步说明。
【附图说明】
[0020] 附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入本说明书中且构成本说明书的一 部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。
[0021] 图1是相关技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。
[0022] 图2是根据本发明的OLED显示装置的电路图。
[0023] 图3是根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的一部分的平面图。
[0024] 图4A和图4B分别是图3中的第一存储电容器的平面图和剖视图。
[0025] 图5是图3中的沿着V-V'线截取的剖视图。
[0026] 图6是图3中的沿着VI-VI'线截取的剖视图。
[0027] 图7是用于说明存储电容器中的问题的平面图。
[0028] 图8A至图8D是示出第一存储电容器的制造过程的剖视图。
[0029] 图9是根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置的一部分的平面图。
[0030] 图10是图9中的第三存储电容器的平面图。
[0031] 图11是图9中的沿着ΧΙ-ΧΓ线截取的剖视图。
【具体实施方式】
[0032] 现在，将详细参照本发明的优选实施方式，在附图中示出这些实施方式的示例。
[0033] 图2是根据本发明的OLED显示装置的电路图。
[0034] 如图2中所示，根据本发明的OLED显示装置在一个像素区中包括开关薄膜晶体管 (TFT)Ts、驱动TFT TcU参考TFT Tr、存储电容器Cst和发光二极管E。
[0035] 更详细地，沿着第一方向延伸的选通线GL和沿着第二方向延伸的数据线DL彼此 交叉，以限定像素区。另外，形成向驱动TFT Td施加高电平电压的电力线VDD和向参考TFT Tr施加参考电压的参考线RL。
[0036] 在各像素区中，形成开关TFT Ts、驱动TFT TcU参考TFT Tr、存储电容器Cst和发 光二极管E。
[0037] 开关TFT Ts的栅极和源极分别连接到选通线GL和数据线DL，以接收选通信号和 数据信号。驱动TFT Td的栅极连接到开关TFT Ts的漏极。
[0038] 驱动TFT Td的漏极连接到参考TFT Tr的漏极和发光二极管E的第一电极（即， 阳极），驱动TFT Td的源极连接到电力线VDD。发光二极管E的第二电极（即，阴极）连接 到低电平电压。
[0039] 参考TFT Tr的栅极连接到选通线GL，参考TFT Tr的源极连接到参考线RL。可改 变参考TFT "Tr"的源极和漏极的位置。即，参考TFT Tr的源极连接到驱动TFTTd的漏极， 参考TFT Tr的漏极连接到参考线RL。另外，参考TFT Tr的栅极可连接到另一条信号线，而 不连接到选通线GL。
[0040] 存储电容器Cst包括第一存储电容器Cstl(图3中）和第二存储电容器Cst2(图 3中）。
[0041] 第一存储电容器Cstl的第一存储电极电连接到开关TFT Ts的漏极和驱动TFT Td 的栅极，第一存储电容器Cstl的第二存储电极电连接到驱动TFT Td的漏极。
[0042] 另外，第二存储电容器Cst2的第一存储电极电连接到驱动TFT Td的漏极，第二存 储电容器Cst2的第二存储电极电连接到开关TFT Ts的漏极和驱动TFT Td的栅极。
[0043] 开关TFT Ts因选通信号进行开关，以向驱动TFT Td的栅极提供数据信号，驱动 TFT Td因数据信号进行开关，以控制通入发光二极管E的电流。用于控制发光二极管E的 电流的电压被充入存储电容器Cst中，使得电流的大小得以保持至下一帧。
[0044] 当开关TFT Ts因通过选通线GL施加的选通信号而导通时，来