原成导电的 边缘区112b，边缘区112b充当第二存储电极118 (图4B)。
[0096] 因此，提供包括作为电介质层的第一绝缘层130的第一存储电容器Cstl，OLED显 示装置的存储电容器Cst具有足够的存储电容并且孔径比的减小被防止或被最小化。
[0097] 图9是根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置的一部分的平面图。图10是 图9中的第三存储电容器的平面图，图11是图9中的沿着ΧΙ-ΧΓ线截取的剖视图。
[0098] 如图9至图11中所示，在根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置中，选通线 GL和数据线DL彼此交叉，以限定像素区。另外，电力线VDD与数据线DL分隔开并且平行于 数据线DL，以与选通线GL交叉，参考线RL与选通线GL分隔开并且平行于选通线GL，以与 数据线DL和电力线VDD交叉。
[0099] 在各像素区中，形成开关TFT Ts(图2中）、驱动TFT Td(图2中）、参考TFT Tr(图 2中）、存储电容器Cst(图2中）和发光二极管E(图2中）。
[0100] 驱动TFT Td包括第一氧化物半导体层210、第一栅极242、第一源极262和第一漏 极264,开关TFT Ts包括第二氧化物半导体层220、第二栅极244、第二源极266和第二漏极 268。
[0101] 第一氧化物半导体层210的第一区（未示出）与第一栅极242交叠以充当驱动 TFT Td的沟道，第一源极262和第一漏极264分别接触第一氧化物半导体层210的在第一 区（未示出）两侧的第三区和第四区（未示出）。在这种情形下，第一氧化物半导体层210 的第三区和第四区（未示出）中的氧化物半导体材料被还原，使得第三区和第四区（未示 出）具有导电性质。
[0102] 即，第一栅绝缘层230和第一栅极242堆叠在第一氧化物半导体层210的第一区 (未示出）上，并且形成第二绝缘层250以覆盖第一栅极242,第二绝缘层250包括分别将 第一氧化物半导体层110的第三区和第四区（未示出）露出的第一半导体接触孔251和第 二半导体接触孔252。第一源极262和第一漏极264形成在第二绝缘层250上并且分别通 过第一半导体接触孔251和第二半导体接触孔252接触第一氧化物半导体层210的第三区 和第四区（未示出）。在这种情形下，在形成第一绝缘层230和第一栅极242的步骤中，第 一氧化物半导体层210的第三区和第四区（未示出）中的每个因等离子体处理被还原成导 电的。第一绝缘层230可以是栅绝缘层，第二绝缘层250可以是层间绝缘层。
[0103] 第二氧化物半导体层220的第一区（未示出）与第二栅极244交叠以充当开关 TFT Ts的沟道，第二源极266和第二漏极268分别接触第二氧化物半导体层220的在第一 区（未示出）两侧的第二区和第三区（未示出）。在这种情形下，第二氧化物半导体层220 的第二区和第三区（未示出）中的氧化物半导体材料被还原，使得第二区和第三区（未示 出）具有导电性质。
[0104] 即，第一栅绝缘层230和第二栅极244堆叠在第二氧化物半导体层220的第一区 (未示出）上，并且形成第二绝缘层250以覆盖第二栅极244,第二绝缘层250还包括分别 将第二氧化物半导体层220的第二区和第三区（未示出）露出的第三半导体接触孔153和 第四半导体接触孔154。第二源极266和第二漏极268形成在第二绝缘层250上并且分别 通过第三半导体接触孔253和第四半导体接触孔254接触第二氧化物半导体层220的第二 区和第三区（未示出）。在这种情形下，在形成第一绝缘层230和第二栅极244的步骤中， 第二氧化物半导体层220的第二区和第三区（未示出）中的每个因等离子体处理被还原成 导电的。
[0105] 参考TFT Tr包括第三氧化物半导体层、第三栅极248、第三源极272和第三漏极 274。在图9中，参考TFT Tr的第三漏极274和驱动TFT Td的第一漏极264是相同的元件。 另选地，参考TFT Tr的第三漏极274和驱动TFT Td的第一漏极264可形成为彼此分开并 且通过连接图案彼此电连接。另外，在图9中，第三氧化物半导体层是第一氧化物半导体层 210的一部分。另选地，第三氧化物半导体层可被形成为与第一氧化物半导体层110分开。
[0106] 第一氧化物半导体层210的第六区（未示出）与第三栅极248交叠以充当参考 TFT Tr的沟道，第三源极272和第三漏极274分别接触第一氧化物半导体层210的在第六 区（未示出）两侧的第四区（未示出）和第七区（未示出）。第三源极272的一端通过第 五半导体接触孔256接触第一氧化物半导体层210,第三源极272的另一端通过参考接触孔 257接触参考线RL。在这种情形下，第一氧化物半导体层210的第四区（未示出）和第七 区（未示出）中的氧化物半导体材料被还原，使得第四区和第七区（未示出）具有导电性 质。
[0107] 开关TFT Ts电连接到选通线GL和数据线DL并且设置在选通线GL和数据线DL的 交叉部分。即，开关TFT Ts的第二栅极244连接到选通线GL，开关TFT Ts的第二源极266 连接到数据线DL。
[0108] 驱动TFT Td的第一栅极242电连接到开关TFT Ts的第二漏极268。即，从开关 TFT Ts的第二漏极268延伸的延伸部分270和驱动TFT Td的第一栅极242通过栅接触孔 255进行接触，使得驱动TFT Td的第一栅极242电连接到开关TFT Ts的第二漏极268。更 详细地，开关TFT Ts的第二漏极268的延伸部分270接触驱动TFT Td的第一栅极242的 第一延伸部分246。另外，驱动TFT Td的第一源极262连接到电力线VDD，驱动TFT Td的 第一漏极264连接到参考TFT Tr的第三漏极274。
[0109] 在图9中，驱动TFT Td和参考TFT Tr共用漏极。另选地，驱动TFT Td的第一漏 极264和参考TFT Tr的第三漏极274可被形成为是分开的并且可电连接。
[0110] 参考TFT Tr的第三栅极248连接到选通线GL，参考TFT Tr的第三源极272连接 到参考线RL。
[0111] 发光二极管E连接到驱动TFT Td的第一漏极264并且包括阳极、有机发光层和阴 极。例如，阳极连接到驱动TFT Td的第一漏极264。在OLED显示装置中，来自有机发光层 的光穿过阳极和基板201或穿过阴极。即，OLED显示装置是底部发射型或顶部发射型。
[0112] 有机发光二极管E可形成在上面形成有驱动TFT Td的基板201上方，或者可形成 在面对基板201的相对基板（未示出）上。
[0113] 存储电容器Cst包括第一存储电容器Cstl。第一氧化物半导体层210的一部分和 第一栅极242的第一延伸部分246交叠，以形成第一存储电容器Cstl。
[0114] 第一存储电容器Cstl包括作为第一栅极242的第一延伸部分246的边缘部分的 第一存储电极（未不出）和作为第一氧化物半导体层210的第二区（未不出）的边缘部分 的第二存储电极（未示出）。在形成第一栅极242的第一延伸部分246的步骤期间或在此 之后，第一氧化物半导体层210因等离子体处理被还原。在这种情形下，由于第一栅极242 的第一延伸部分246充当阻挡掩模，因此第一氧化物半导体层的第二区（未示出）中除了 第二区（未示出）的中心部分之外的边缘部分被还原成导电的。即，由于第二区（未示出） 的中心部分被第一栅极242的第一延伸部分246和第一绝缘层230阻挡，因此第二区（未 示出）的中心部分没有被还原并且保持非导电性质。
[0115] 第二存储电极（未示出）从第一栅极242的第一延伸部分246的边缘末端起算的 宽度是大约1.5微米。
[0116] 因此，作为第一栅极242的第一延伸部分246的边缘部分的第一存储电极（未示 出）、与第一存储电极（未示出）交叠的作为第一氧化物半导体层210的第二区（未示出） 的边缘部分的第二存储电极（未示出）、以及第一存储电极（未示出）和第二存储电极（未 不出）之间的第一绝缘层230构成第一存储电容器Cstl。
[0117] 另外，存储电容器Cst还包括第二存储电容器Cst2。第二存储电容器Cst2包括作 为第一氧化物半导体层210的导电的第五区（未不出）的第三存储电极、作为第二漏极268 的延伸部分270的第四存储电极、以及作为第三存储电极和第四存储电极之间的电介质层 的第二绝缘层250。
[0118] 此外，存储电容器Cst还包括第三存储电容器Cst。第三存储电容器Cst包括第一 半导体层210的一部分和第一栅极242的第二延伸部分247。
[0119] 即，第三存储电容器Cst包括作为第一栅极242的第二延伸部分247的边缘部分 的第五存储电极282和作为与第一栅极242的第二延伸部分247 (即，第五存储电极282)交 叠的第一氧化物半导体层210的边缘部分的第六存储电极284。在形成第一栅极242的第 二延伸部分247的步骤期间或在此之后，第一氧化物半导体层2