10因等离子体处理被还原。 在这种情形下，由于第一栅极242的第二延伸部分247充当阻挡掩模，因此除了第一氧化物 半导体层210的中心部分之外的第一氧化物半导体层210的边缘部分被还原成导电的。即， 由于第一氧化物半导体层210的中心部分被第一栅极242的第二延伸部分247和第一绝缘 层230阻挡，因此第一氧化物半导体层210的中心部分没有被还原并且保持非导电性质。
[0120] 第六存储电极284从第一栅极242的第二延伸部分247的边缘末端起算的宽度是 大约1. 5微米。
[0121] 因此，作为第一栅极242的第二延伸部分247的边缘部分的第五存储电极282、与 第五存储电极282交叠的作为第一氧化物半导体层210的边缘部分的第六存储电极284、 以及第五存储电极282和第六存储电极284之间的第一绝缘层230构成第三存储电容器 Cst3〇
[0122] 在根据本发明的第二实施方式的OLED显示装置中，由于第一存储电容器Cstl、第 二存储电容器Cst2和第三存储电容器Cst3分别使用第一氧化物半导体层210的一部分作 为第二存储电极、第三存储电极和第六存储电极，因此存储电容增加或被最大化，而孔径比 没有减小。
[0123] 在这种情形下，由于第一存储电容器Cstl和第三存储电容器Cst3中的每个沿着 第一栅极242的第一延伸部分246和第二延伸部分247的边缘部分形成，因此第一存储电 容器Cstl和第三存储电容器Cst3的面积相对小。然而，由于作为第一存储电容器Cstl和 第三存储电容器Cst3的电介质层的第一绝缘层230具有相对小的厚度，因此第一存储电容 器Cstl和第三存储电容器Cst3具有足够的存储电容。
[0124] 第一存储电容器Cstl和第三存储电容器Cst3中的每个包括作为电介质层的第一 绝缘层230。第一绝缘层230由无机绝缘材料形成并且具有相对小的厚度。因此，尽管第一 存储电容器Cstl和第三存储电容器Cst3的面积相对小，但第一存储电容器Cstl和第三存 储电容器Cst3具有足够的存储电容。
[0125] 如上所述，在本发明的OLED显示装置中，使用存储电极作为阻挡掩模将氧化物半 导体层还原成导电的，氧化物半导体层的被还原的部分用作存储电极。即，不需要另外的存 储电极。因此，存储电容增大，而孔径比没有减小。
[0126] 另外，由于第一存储电容器和第三存储电容器包括作为电介质层的厚度相对小的 第一绝缘层，因此存储电容器在电极面积相对小的情况下具有足够的存储电容。因此，OLED 显示装置的孔径比的减小被最小化或被防止。
[0127] 本领域的技术人员应该清楚，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可在本发 明中进行各种修改和变形。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改形式和变形形式，只要它们 在所附权利要求书及其等同物的范围内。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括： 第一氧化物半导体层，其包括第一区至第四区； 第一绝缘层，其在所述第一氧化物半导体层上； 第一栅极，其在所述第一绝缘层上并且与所述第一区完全交叠； 第一存储电极，其从所述第一栅极延伸并且与所述第二区交叠； 第二绝缘层，其覆盖所述第一栅极和所述第一存储电极，并且将所述第H区和第四区 露出； 第一源极和第一漏极，其在所述第二绝缘层上并且接触所述第H区和所述第四区； 发光二极管，其连接到所述第一漏极， 其中，在除了所述第一存储电极的中也之外的所述第一存储电极的边缘处的所述第二 区的一部分是导电的，W形成第二存储电极，并且所述第一存储电极和所述第二存储电极 W及所述第一绝缘层构成第一存储电容器。
2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二区相对于第一方 向具有第一长度，所述第一方向与将所述第一源极和所述第一漏极沿着所述第一氧化物半 导体层连接的第二方向交叉，所述第一存储电极和所述第二区之间的交叠区域相对于所述 第一方向具有第二长度，其中，所述第二长度小于所述第一长度。
3. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一绝缘层具有第一 厚度，并且所述第二绝缘层具有大于所述第一厚度的第二厚度。
4. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还 包括： 第二氧化物半导体层，其在所述第一绝缘层下方； 第二栅极，其在所述第一绝缘层上并且与所述第二氧化物半导体层交叠； 第二源极和第二漏极，其在所述第二绝缘层上并且分别接触所述第二氧化物半导体层 的第一侧和第二侧；W及 延伸部分，其从所述第二漏极延伸，W将所述第二漏极与所述第一栅极连接， 其中，所述延伸部分与所述第一氧化物半导体层的第五区交叠，所述第五区是导电的， 其中，所述延伸部分、所述第五区和所述第二绝缘层构成第二存储电容器。
5. 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还 包括： 选通线，其沿着第H方向延伸； 数据线，其沿着第四方向延伸，W与所述选通线交叉；W及 电力线，其平行于所述选通线和所述数据线中的一个延伸， 其中，所述第二栅极连接到所述选通线，所述第二源极连接到所述数据线，其中，所述 第一源极连接到所述电力线。
6. 根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一氧化物半导体层、 所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极构成驱动薄膜晶体管，并且所述第二氧化物 半导体层、所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极构成开关薄膜晶体管，W及 所述有机发光二极管显示装置还包括： 参考线，其平行于所述选通线和所述数据线中的另一个延伸； 参考薄膜晶体管，其连接到所述选通线、所述第一漏极和所述参考线，w控制所述驱动 薄膜晶体管的阔值电压。
7. 根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还 包括第H存储电极，所述第H存储电极从所述第一栅极延伸并且与所述第一氧化物半导体 层的第六区交叠， 其中，在除了所述第H存储电极的中也之外的所述第H存储电极的边缘处的所述第六 区的一部分是导电的，W形成第四存储电极，并且所述第H存储电极和所述第四存储电极 W及所述第一绝缘层构成第H存储电容器。
8. -种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括W下步骤： 在基板上形成氧化物半导体层； 在所述氧化物半导体层的第一区上形成第一绝缘图案和栅极并且在所述氧化物半导 体层的第二区上形成第二绝缘图案和第一存储电极； 通过执行等离子体处理，还原在所述第一存储电极的边缘内侧的所述第二区的一部 分； 形成绝缘层，所述绝缘层将所述氧化物半导体层的在所述第一区的两侧的第H区和第 四区露出，并且覆盖所述栅极和所述第一存储电极； 在所述绝缘层上形成接触所述第H区和所述第四区的源极和漏极；W及 形成与所述漏极连接的发光二极管。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中，在除了所述第一存储电极的中也之外的所述第 一存储电极的边缘处的所述第二区的一部分在通过执行等离子体处理还原所述第一存储 电极的所述边缘内侧的所述第二区的所述一部分的步骤中被还原，使得被还原的部分形成 第二存储电极，W及 其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极W及所述第一绝缘层构成第一存储电容 器。
10. 根据权利要求8所述的方法，其中，在所述氧化物半导体层的所述第一区上形成所 述第一绝缘图案和所述栅极并且在所述氧化物半导体层的所述第二区上形成所述第二绝 缘图案和所述第一存储电极的步骤包括： 在所述氧化物半导体层上顺序地形成绝缘膜和金属膜； 在所述金属层上对应于所述第一区和所述第二区形成第一光刻胶图案和第二光刻胶 图案；W及 使用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案蚀刻所述金属膜和所述绝缘膜W形 成所述第一绝缘图案、所述第二绝缘图案、所述栅极和所述第一存储电极， 其中，所述等离子体处理使用所述第二光刻胶图案和所述第一存储电极中的至少一个 作为阻挡掩模，并且使用SFe气体或CF4气体。
【专利摘要】有机发光二极管显示装置及其制造方法。OLED显示装置包括：第一氧化物半导体层，其包括第一区至第四区；第一绝缘层，其在该第一氧化物半导体层上；第一栅极，其在该第一绝缘层上并且与该第一区完全交叠；第一存储电极，其从该第一栅极延伸并且与该第二区交叠；第二绝缘层，其覆盖该第一栅极和该第一存储电极并且将该第三区和第四区露出；第一源极和第一漏极，其在该第二绝缘层上并且接触该第三区和该第四区；发光二极管，其连接到该第一漏极，其中，在除了该第一存储电极的中心之外的该第一存储电极的边缘处的该第二区的一部分是导电的，以形成第二存储电极，该第一存储电极、该第二存储电极和该第一绝缘层构成第一存储电容器。
【IPC分类】H01L27-32, H01L51-56
【公开号】CN104681585
【申请号】CN201410693939
【发明人】秋教燮, 裵钟旭, 赵宝敬
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年11月26日