结构，尽管在第二源极和漏极金属层127的蚀刻工艺中由于钝化层125的台阶差而产生第二源极和漏极金属层127的开口缺陷，但阳极金属层143与第一源极和漏极金属层122之间的电连接未改变。施加给阳极金属层143的信号是通过驱动薄膜晶体管DRT施加的电源电压ELVDD。
[0053]同时，在阳极金属层143上进一步形成防止湿气渗透进入有机发光层的至少一个钝化层、有机层、保护膜等，由此形成一个有机发光二极管显示器。
[0054]下文，将参照图5A-5H描述制造根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法。
[0055]图5A-5H是图3的部分IV-1V’和V_V’的工艺剖面图，图解了制造根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法。首先，参照图5A，图5A的(a)图解了图3的部分IV-1V’，该部分是阳极电极与驱动薄膜晶体管相连接的区域，图5A的(b)图解了图3的部分V-V’，该部分是驱动薄膜晶体管的区域。
[0056]首先，制备基板100，基板100成为将要在其上形成像素图案的对象。在此，基板100可由具有柔性的柔性塑料材料形成，从而有机发光二极管显示器即使在像纸张一样弯曲时仍能保持显示性能。
[0057]接着，在基板100上形成由绝缘材料，例如无机绝缘材料的氧化硅(S12)或硅的氮化物(SiNx)形成的缓冲层(未示出)。根据半导体层(未示出)的特性，可省略缓冲层(未示出)。
[0058]随后，在缓冲层(未示出)上形成具有低电阻特性的第一金属材料。例如，第一金属材料可形成为包括铝(Al)、铝合金(AlNd)JH (Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中任意一种的单层结构，或者可形成为包括上述两种或更多种材料的双层或三层结构。使用掩模将第一金属材料构图，由此形成包括信号线和驱动薄膜晶体管的栅极电极1131的栅极金属层113。该图中显示了栅极金属层113和栅极电极1131具有单层结构的一个例子。
[0059]接着，参照图5B，在包括栅极金属层113和栅极电极1131的基板100上形成由无机绝缘材料的氧化硅(S12)或硅的氮化物(SiNx)形成的栅极绝缘层115。随后，与栅极电极1131对应地由选自非晶硅、多晶硅和氧化物半导体任意一种形成半导体层121。
[0060]随后，参照图5C，在栅极绝缘层115和半导体层121上沉积绝缘材料。将绝缘材料与栅极绝缘层115的部分区域一起构图，由此形成用于部分暴露栅极金属层113和半导体层121的蚀刻阻止层116。
[0061]接着，参照图5D，在蚀刻阻止层116上沉积第二金属材料并构图，由此形成第一源极和漏极金属层122以及驱动薄膜晶体管的源极电极和漏极电极1221。在此，第二金属材料可包括铝(Al)、铝合金(AlNd)J^ (Cu)、铜合金，钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的一种或多种。
[0062]此外，当构图第二金属材料时，同时形成通过其施加数据信号的数据线、通过其施加电源电压的电源线(未示出)等。当在通过蚀刻阻止层116的接触孔所暴露的驱动晶体管的半导体层121上接触第二金属材料并构图时，同时形成由第二金属材料形成的源极电极和漏极电极1221。因此，依次层叠在驱动晶体管的区域中的栅极电极1131、半导体层121以及源极电极和漏极电极1221构成了一个驱动薄膜晶体管。
[0063]在此，作为一个例子显示了第一源极和漏极金属层122具有单层结构的情形。然而，第一源极和漏极金属层122可通过组合两种不同的金属材料形成为双层或三层结构。
[0064]尽管图中未示出，但开关薄膜晶体管和采样薄膜晶体管也可形成为与驱动晶体管相同的层叠结构。
[0065]接着，参照图5E，在包括第一源极和漏极金属层122的基板100的整个表面上沉积绝缘材料并构图，由此形成钝化层125。在此，通过构图工艺，钝化层125使形成在其下方的第一源极和漏极金属层122暴露出来。
[0066]随后，参照图5F，沉积第三金属材料并构图，以覆盖钝化层125的顶部，由此形成第二源极和漏极金属层127以及驱动薄膜晶体管的辅助栅极电极1271。在此，第三金属材料可以是与构成第一源极和漏极金属层122的第二金属材料相同的材料。
[0067]特别是，在该工艺中，第二源极和漏极金属层127通过形成在钝化层125中的接触孔与第一源极和漏极金属层122接触，从而将从第一源极和漏极金属层122施加的信号提供给第二源极和漏极金属层127。因为施加给栅极电极1131的相同信号被施加给辅助栅极电极1271，所以实现了双栅极结构的驱动薄膜晶体管。
[0068]接着，参照图5G，在包括第二源极和漏极金属层127以及辅助栅极电极1271的基板100的整个表面上沉积无机绝缘材料氧化硅(S12)、硅的氮化物(SiNx)等并构图，由此形成层间绝缘层131。特别是，在沉积绝缘材料之后，通过构图工艺在层间绝缘层131上形成第一和第二接触孔141和142，通过第一和第二接触孔141和142，对于第二源极和漏极金属层127来说至少两个区域被暴露。第一接触孔141形成为与电容器重叠，第二接触孔142形成在第一源极和漏极金属层122与第二源极和漏极金属层127直接接触的区域上。随后，参照图5H，在层间绝缘层131上沉积诸如ITO的透明金属材料，然后选择性构图该透明金属材料，由此形成双栅极结构的阳极金属层143。阳极金属层143通过第一和第二接触孔141和142与第二源极和漏极金属层127接触，且阳极金属层143对于每个像素来说具有分离的形式。
[0069]特别是，在该示例性实施方式中，与常规技术相比，阳极金属层143在一个方向上进一步一直延伸至第二接触孔，以与顶部通过第二接触孔142暴露的第二源极和漏极金属层127直接接触。
[0070]因此，尽管由于钝化层125的台阶差而在第二源极和漏极金属层127中产生开口缺陷，但因为保持了阳极金属层143与同第一源极和漏极金属层122直接接触的第二源极和漏极金属层127之间的接触，所以阳极金属层143接收正常施加的信号。
[0071]尽管图中未示出，但在阳极金属层143上进一步形成防止湿气渗透进入有机发光层的至少一个钝化层、有机层、保护膜等，由此完成一个有机发光二极管显示器的制造工
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[0072]同时，将描述检测在根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器中，是否正常形成了双栅极结构的阳极金属层以及检查尽管正常形成了阳极金属层但仍额外产生开口缺陷的方法。
[0073]图6A是像素的等效电路图，图解了检测根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器的开口缺陷的方法，图6B是施加给图6A的像素的信号的信号波形图。
[0074]参照图6A和图6B，本发明的有机发光二极管显示器的开口缺陷检测方法是一种检测有机发光二极管EL与驱动薄膜晶体管DRT之间的开口缺陷的方法，该方法包括向开关薄膜晶体管SWT的栅极电极和漏极电极施加DC波形的第一电压、向驱动薄膜晶体管DRT的漏极电极施加第一电压、以及向采样薄膜晶体管SST的漏极电极施加DC波形的第二电压并向采样薄膜晶体管SST的栅极电极施加以预定宽