状结构比较明显，热电薄膜的颗粒粒径呈梯度排布。 铜电极薄膜的厚度为100~200nm，镶过渡层的厚度小于50nm，常温瓣射得到的柔性热电薄 膜器件单个热电偶对的内阻为789Q，在化温差下输出电压为0. 1ImV，弯折后电压变化率 为 14. 8%。
[0047] 实施例2
[0048] 按本发明中的制备方法制备瓣射温度为350°C、热电臂为6mm长的柔性热电薄膜 器件，其制备过程如下；①利用磁控瓣射仪和电极掩模版按图1中的步骤（1)制备化电极 薄膜和Ni过渡层。用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部分，调控磁控瓣射仪在气压值1. 5Pa， 瓣射功率30W，基底温度为100°C的条件下，在聚酷亚胺柔性基底上线瓣射铜电极薄膜化， 然后瓣射镶过渡层0. 25h。②利用磁控瓣射仪和BST炬i2_x訊Jes，X= 1. 2~2. 0)热电材 料掩模板按图1中的步骤（2)制备BST热电薄膜。用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部分， 瓣射模式采用Te祀共瓣技术，将BST祀材和Te祀材分别安装在磁控瓣射仪的B祀和C祀 位置。调控磁控瓣射仪在B祀；气压值1. 5Pa，瓣射功率35W，基底温度为350°C，C祀；气压 值1. 5Pa，瓣射功率55W，基底温度为350°C的条件下瓣射比。然后调控磁控瓣射仪在B祀； 气压值2. 5Pa，瓣射功率25W，基底温度为350°C，C祀；气压值2. 5Pa，瓣射功率45W，基底温 度为350°C的条件下继续瓣射比。⑨利用磁控瓣射仪和BTS热电材料掩模版按图1中的步 骤（3)制备BTS炬i2Te3_xSex，X= 0~1. 1)热电薄膜，用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部 分，同样采用Te祀共瓣技术，将BTS祀材和Te祀材分别安装在磁控瓣射仪的B祀和C祀位 置。调控磁控瓣射仪在B祀；气压值1. 5Pa，瓣射功率35W，基底温度为350°C，C祀；气压值 1. 5Pa，瓣射功率55W，基底温度为350°C的条件下瓣射比。然后调控磁控瓣射仪在B祀：气 压值2. 5Pa，瓣射功率25W，基底温度为350°C，C祀；气压值2. 5Pa，瓣射功率45W，基底温度 为350°C的条件下继续瓣射比。BST热电薄膜和BTS热电薄膜由铜电极薄膜连接，在聚酷亚 胺柔性基底上形成阵列化排布的、串联的p-n热电偶对，构成面内型结构的柔性热电薄膜 器件。
[0049] 从图3中BST热电薄膜和BTS热电薄膜的沈M图可W看出，350°C瓣射得到的薄膜 粒径较大，颗粒间连接紧密，且有一定的烙融现象；该说明35(TC条件下薄膜粒子的扩散比 较明显，且在晶粒的岛状生长过程中，相邻小岛结合时释放的能量使得薄膜出现烙融状态， 该有利于提高热电薄膜的电导率，热电薄膜的颗粒粒径呈梯度排布。铜电极薄膜的厚度为 100~200nm，镶过渡层的厚度小于50nm，350°C瓣射得到的柔性热电薄膜器件单个热电偶 对的内阻为205 0,在化温差下输出电压为0. 15mV，弯折后电压变化率为7%。
[0050] 实施例3
[0化1] 按本发明中的制备方法制备热电臂为8mm长、瓣射温度为350°C、在350°C条件下 退火比的柔性热电薄膜器件，其制备过程如下；①利用磁控瓣射仪和电极掩模版按图1中 的步骤（1)制备化电极薄膜和Ni过渡层。用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部分，调控磁控 瓣射仪在气压值1. 5Pa，瓣射功率30W，基底温度为100°C的条件下，先瓣射铜电极薄膜化， 然后瓣射Ni过渡层0. 25h。②利用磁控瓣射仪和BST炬i2_x訊Je3,X= 1. 2~2. 0)热电材 料掩模版按图1中的步骤（2)制备BST热电薄膜，用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部分， 瓣射模式采用Te祀共瓣技术，将BST祀材和Te祀材分别安装在磁控瓣射仪的B祀和C祀 位置。调控磁控瓣射仪在B祀；气压值1. 5Pa，瓣射功率35W，基底温度为350°C，C祀；气压 值1. 5Pa，瓣射功率55W，基底温度为350°C的条件下瓣射比，然后调控磁控瓣射仪在B祀； 气压值2. 5Pa，瓣射功率25W，基底温度为350°C，C祀；气压值2. 5Pa，瓣射功率45W，基底温 度为350°C的条件下继续瓣射比。⑨利用磁控瓣射仪和BTS热电材料掩模版按图1中的步 骤（3)制备BTS炬i2Te3_xSex，X= 0~1. 1)热电薄膜，用电极掩膜板覆盖不需要瓣射的部 分，同样采用Te祀共瓣技术，将BTS祀材和Te祀材分别安装在磁控瓣射仪的B祀和C祀位 置。调控磁控瓣射仪在B祀；气压值1. 5Pa，瓣射功率35W，基底温度为350°C，C祀；气压值 1. 5Pa，瓣射功率55W，基底温度为350°C的条件下瓣射比，然后调控磁控瓣射仪在B祀：气 压值2. 5Pa，瓣射功率25W，基底温度为350°C，C祀；气压值2. 5Pa，瓣射功率45W，基底温度 为350°C的条件下继续瓣射比。④加工完柔性热电薄膜器件后，将其置于退火炉中升温至 350°C退火比。BST热电薄膜和BTS热电薄膜由铜电极薄膜连接，在聚酷亚胺柔性基底上形 成阵列化排布的、串联的P-n热电偶对，构成面内型结构的柔性热电薄膜器件。
[0化引从图4中BST热电薄膜和BTS热电薄膜的沈M图可W看出，经过350°C退火处理后， 薄膜颗粒的扩散能力得到进一步提高，且结晶效果明显，最大粒径达到了微米级别。而且， 薄膜中的颗粒粒径呈梯度排布，靠近基底上的第一颗粒层晶粒较小，粒径在500nmW内；而 第二颗粒层的晶粒粒径较大，在500nm~lym之间，结晶效果明显，其热电性能也得到了 较大的提高。铜电极薄膜的厚度为100~200皿，镶过渡层的厚度小于50皿，经过350°C退 火处理得到的柔性热电薄膜器件单个热电偶对的内阻为484Q，在化温差下输出电压达到 0. 21mV，弯折后电压变化率为9. 3%。
[0053]实施例4
[0化4] 本发明的柔性热电薄膜器件在化温差下可产生2. 4mV电压，且输出电压与温差之 间的线性关系明显，可W用做热电堆红外传感器。此为本发明的一实施方式。当外界环境 中的光照射在柔性热电薄膜器件的中屯、时，其中的红外光会被器件中屯、的黑色吸光膜吸收 并转化成热量，因此在器件中屯、形成高温区；器件中屯、和器件边缘之间的温差会使得热电 堆中的载流子流动并形成电压信号，根据器件输出的电压信号便能计算出器件中屯、和外界 环境间的温差，同时也能计算出红外光的能量。
[0055] 在具体实施过程中，柔性热电薄膜器件的制备工艺参数与实施例3中的参数相 同，将黑色吸光膜（有机绝缘膜）贴在退火后器件的中屯、位置，并在器件的输出端连接两根 输出导线，W便与电压表相连接，利用模拟日光氣灯或太阳光照射器件的中屯、吸光膜，电压 表上即会出现电压值。
[0056] 实施例5
[0057] 本发明的柔性热电薄膜器件在通电的情况下，可利用帕尔贴效应对器件的中屯、部 位进行制冷。此为本发明的又一实施方式。在实际操作中，器件的薄膜制备参数与实施例3 中的参数相同。制得柔性热电薄膜器件后，将器件中屯、部位（lOmmXlOmm)挖空，并将其套 在需要制冷的巧片（尺寸小于lOmmX10mm)四周；然后将微型电源连接在器件的输出端为 器件供电，巧片部位即会出现温度下降现象；因此，该柔性热电薄膜器件可对集成电路巧片 中的高温区域进行定点制冷。
[0化引实施例6
[0059] 如图13所示是本发明的又一实施方式。本发明的柔性热电薄膜器件在温差存在 的情况下可W利用Seebeck效应为负载供电，可应用于可穿戴设备领域。图中的发电原理 图给出了温差发电的原理，即在温