设计值与所述第二电容的设计值相同的方案，可以通过保证第一导电体101与第二导电体102之间的重叠面积与间距分别和第一导电体101与第三导电体103之间的重叠面积与间距相同来实现。
[0053]步骤A2:测量所述第一电容的实际值(记作Cl)与所述第二电容的实际值(记作C2)。
[0054]其中，测量所述第一电容的实际值Cl与所述第二电容的实际值C2的方法，可以采用现有技术中的各种可行方案实现，此处不再赘述。
[0055]步骤A3:比较所述第一电容的实际值Cl与所述第二电容的实际值C2是否相同，并根据比较的结果对所述进行图形化的工艺是否发生偏移进行判断。
[0056]具体地，如果所述第一电容的实际值与所述第二电容的实际值不同，则可以认定所述进行图形化的工艺发生了偏移。需要解释的是，如果第一电容的实际值与所述第二电容的实际值相同，并不能判断得出进行图形化的工艺没有发生偏移，因为可能发生了沿着第一导电体101 (或第二导电体102以及第三导电体103)长度的方向(B卩，图1A中垂直AA线的方向)的偏移。
[0057]下面，介绍一下本实施例的两种示例性的具体实现方式。
[0058]实现方式一
[0059]在步骤Al中，如图1A和IB所示，所述第一导电体101、所述第二导电体102与所述第三导电体103均为矩形，并且所述第一导电体101、所述第二导电体102与所述第三导电体103相互平行并沿X方向(与AA线方向相同的方向)延伸，具体地，所述第二导电体、所述第一导电体与所述第三导电体相互平行并沿X方向的正方向依次排列。其中，所述第一导电体(101)沿X方向的边均位于所述第一导电体(101)与所述第二导电体(102)和第三导电体(103)相交叠的区域之外以保证Y方向的偏移不会造成所述第一电容的实际值以及所述第二电容的实际值的变化，Y方向为与X方向相垂直的方向。其中，图1A为测试结构的俯视图，图1B为沿AA线方向的剖视图，并且，图1A中示出了 Y方向的正方向以及X方向的正方向。
[0060]其中，所述第二导电体102和所述第三导电体103的长度相同，并且所述第二导电体102和所述第三导电体103的宽度也相同。
[0061]当然，所述第一导电体101、所述第二导电体102与所述第三导电体103也可以为三角型、五边形、六边形或其他合适的形状。
[0062]可选地，所述第一导电体101、第二导电体102和第三导电体103均连接至焊盘区，并且分别于第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘相连接(图中未示出)。
[0063]在步骤A2中，测量所述第一电容的实际值与所述第二电容的实际值。
[0064]在步骤A3中，比较第一电容的实际值与第二电容的实际值。如果所述第一电容的实际值与所述第二电容的实际值不同，则所述进行图形化的工艺在X方向发生了位移。
[0065]示例性地，在图1A、1B以及1A’和1B’中，所述X方向(与AA线方向相同的方向)为水平方向。在本实施例中，定义Y方向为与X方向垂直的方向。
[0066]在本实施例中，如图1A所示，所述第一导电体101与所述第二导电体102相交叠的边的端点距靠近其一侧的交叠位置的距离为L1，L1大于6S，所述第一导电体101与所述第三导电体103相交叠的边的端点距靠近其一侧的交叠位置的距离也为L1，L1大于6S ;并且，所述第一导电体101与所述第二导电体102相交叠的边距所述第二导电体102的位于交叠区域之外的边的距离为dl，并且dl大于6S，所述第一导电体101与所述第三导电体103相交叠的边距所述第三导电体103的位于交叠区域之外的边的距离也为dl，并且dl大于6S。其中，S为设计规则中的允许偏差。
[0067]如图1A’和1B’所示，将所述进行图形化的工艺在X方向的位移记作」X0如果测得的第一电容的实际值为Cl，第二电容的实际值为C2，则可以通过投射电子显微镜剖视图校正的方法获取」X与(C1-C2)/(C1+C2)的关系。其中，Cl与C2均大于O。因此，在本实施例中，还可以包括步骤A4:通过投射电子显微镜剖视图校正的方法获取」X与(C1-C2)/(C1+C2)的关系。其中，」X与(C1-C2)/(C1+C2)的关系可以表示成如图3所示的关系曲线。在此基础上，本实施例还可以包括步骤A5:根据」X与(C1-C2)/(C1+C2)的关系以及所述Cl与C2计算」X，并根据」X对所述进行图形化的工艺进行调整以避免发生X方向的偏移。其中，图1A’为进行图形化的工艺在X方向发生偏移的测试结构的俯视图，图1B’为图1A’沿BB线方向的剖视图。其中，」X可以为正值也可以为负值，当」X为正值时，表示所述进行图形化的工艺在沿X方向的正方向发生了位移(如图1A’所示)；而当Z X为负值时，则表示所述进行图形化的工艺在沿X方向的负方向发生了位移。
[0068]在本实施例中，还可以根据所述第一电容的实际值Cl与所述第二电容的实际值C2对所述进行图形化的工艺在X方向的实际偏移方向进行判断，具体地，当Cl大于C2时所述进行图形化的工艺沿X方向的正方向偏移(如图1A’所示)，当Cl小于C2时所述进行图形化的工艺沿X方向的负方向偏移，当Cl等于C2时所述进行图形化的工艺沿X方向不发生偏移。
[0069]也就是说，根据测得的第一电容与第二电容的实际值是否不同，可以判断在X方向是否发生了位移，并可以判断出沿X方向的偏移方向(即，是沿X方向的正方向偏移还是沿X方向的负方向偏移)。再结合通过投射电子显微镜剖视图校正的方法获取的^ X与(C1-C2) / (C1+C2)的关系，则可以计算出在X方向的位移大小。
[0070]此外，X方向也可以为竖直方向，Y方向为水平方向；或者，X方向为其他任意方向，Y方向为与X方向垂直的方向。此处并不进行限定。
[0071]实现方式二
[0072]在步骤Al中，如图2A和2B所示，所述测试结构还包括第四导电体104以及第五导电体105和第六导电体106 (图2A和2B未不出第一导电体101、第二导电体102以及第三导电体103)。所述第五导电体105的一部分与所述第四导电体104相交叠以形成第三电容，所述第六导电体106的一部分与所述第四导电体104相交叠以形成第四电容。第四导电体104以及第五导电体105和第六导电体106相互平行并沿Y方向(与CC线方向相同的方向)延伸，其中，Y方向为与X方向垂直的方向。其中，所述第三电容的设计值与所述第四电容的设计值相同。示例性地，所述第五导电体、所述第四导电体和所述第六导电体沿Y方向的正方向依次排列，如图2A所示。
[0073]其中，所述第四导电体104在对所述第一导电膜层进行图形化的过程中形成，所述第五导电体105和所述第六导电体106在对所述第二导电膜层进行图形化的过程中形成，或者，所述第四导电体104在对所述第二导电膜层进行图形化的过程中形成，所述第五导电体105和所述第六导电体106在对所述第一导电膜层进行图形化的过程中形成。
[0074]其中，如图2A所示，所述第四导电体104沿Y方向的边均位于所述第四导电体104与所述第五导电体105和所述第六导电体106相交叠的区域之外，以保证X方向的偏移不会造成所述第三电容的实际值以及所述第四电容的实际值的变化。
[0075]在本实施例中，如图2A所示，所述第四导电体104与所述第五导电体105相交叠的边的端点距靠近其一侧的交叠位置的距离为L2，L2大于6S，所述第四导电体104与所述第五导电体105相交叠的边的端点距靠近其一侧的交叠位置的距离也为L2，L2大于6S ;并且，所述第四导电体104与所述第五导电体105相交叠的边距所述第四导电体104的位于交叠区域之外的边的距离为d2，并且d2大于6S，所述第四导电体104与所述第六导电体106相交叠的边距所述第六导电体106的位于交叠区域之外的边的距离也为d2，并且d2大于6S。其中，S为设计规则中的允许偏差。其中，优选地，d2等于dl，L2等于LI。
[0076]在步骤A2中，除测量第一电容与第二电容的实际值之外，还测量所述第三电容的实际值(记作C3)与所述第四电容的实际值(记作C4)。
[0077]在步骤A3中，还比较第三电容的实际值与第四电容的实际值是否相同，并根据比较的结果对所述进行图形化的工艺是否发生偏移进行判断。如果第三电容的实际值C3与第四电容的实际值C4不同，则所述进行图形化的工艺在Y方向发生了位移。其中，图2A’和2B’示意了在Y方向发生位移的情况，其中图2A’为俯视图，2B’为图2A’沿DD线的剖视图。其中，也可以采用上述实现方式一所述的方法，通过投射电子显微镜剖视图校正的方法获取」y与(C3-C4)/(C3+C4)的关系，以及，根据」y与(C3-C4)/(C3+C4)的关系以及所述C3与C4计算」y，并根据」y对所述进行图形化的工艺进行调整以避免发生Y方向的偏移。其中，C3与C4分别为第三电容与第四电容的实际值，并且二者均大于O y为图形化工艺在Y方向的偏移。
[0078]其中，」y可以为正值也可以为负值，在本实施例中，