有机发光显示装置及其制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，特别是涉及一种可减少线缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
【【背景技术】】
[0002]有机发光显示器件(OLED)是主动发光器件。相比现在的主流平板显示技术，即，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，有机发光显示器件具有高对比度，广视角，低功耗，体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]由于工艺波动，或者其他各种原因经常导致金属断线，最终导致有机发光显示装置的线缺陷的产生，业内通常通过激光修复等方法修复线缺陷。然而，激光修复需要在屏体全屏点亮之后才可以进行。
【
【发明内容】
】
[0004]鉴于上述状况，有必要提供一种无需屏体点亮之后进行激光修复，即可有效减少AMOLED屏体由于晶体管的栅极布线中断导致的线缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
[0005]一种有机发光显示装置，其包括:
[0006]栅极绝缘层；
[0007]设于所述栅极绝缘层上的栅极布线；
[0008]设于所述栅极绝缘层上、并且覆盖所述栅极布线的层间介质层；
[0009]设于所述层间介质层上的数据布线；
[0010]设于所述层间介质层上、并且覆盖所述数据布线的平坦化层；
[0011]设于所述平坦化层上的多个像素阳极；以及
[0012]设于所述平坦化层上、并且位于所述多个像素阳极之间的空隙区域的导电走线；
[0013]其中，所述栅极布线通过贯穿所述层间介质层以及所述平坦化层的通孔与所述导电走线电连接，以使所述栅极布线与所述导电走线形成并列的信号传输线路。
[0014]上述有机发光显示装置在平坦化层上设有位于像素阳极之间的空隙区域的导电走线，导电走线通过贯穿平坦化层及层间介质层的通孔与栅极布线进行电连接，以形成并列的信号传输线路，当栅极布线出现断线时，断线区域信号可以通过导电走线传输，从而有效减少由于栅极布线中断导致的线缺陷，并且，无需在屏体点亮之后进行激光修复。
[0015]在其中一个实施例中，所述通孔由贯穿所述平坦化层的接触孔及贯穿所述层间介质层的过孔连通形成。
[0016]在其中一个实施例中，所述通孔内填充有第一导电部及与所述第一导电部电性固接的第二导电部；所述第二导电部位于所述接触孔靠近所述像素阳极的一端，并且与所述像素阳极电性固接；所述第一导电部与所述第二导电部连接的一端位于所述接触孔内，另一端位于所述过孔内，并且与所述栅极布线电性固接。
[0017]在其中一个实施例中，所述数据布线的材质与所述第一导电部的材质相同；
[0018]或/及，所述第二导电部的材质与所述像素阳极的材质相同。
[0019]在其中一个实施例中，所述导电走线的材质与所述像素阳极的材质相同。
[0020]在其中一个实施例中，所述导电走线及所述像素阳极的材质为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。
[0021]一种有机发光显示装置的制造方法，包括如下步骤:
[0022]在所述栅极绝缘层上形成一层第一金属膜，并对所述第一金属膜进行刻蚀，形成所述栅极布线；
[0023]在所述栅极绝缘层上形成一层所述层间介质层，并且所述层间介质层覆盖在所述栅极布线上，对所述层间介质层进行刻蚀，以形成与所述栅极布线对应的过孔；
[0024]在所述层间介质层上形成一层第二金属膜，并且对所述第二金属膜进行刻蚀，以形成所述数据布线；
[0025]在所述层间介质层上形成一层平坦化层，并且所述平坦化层覆盖所述数据布线，对所述平坦化层进行刻蚀，以形成与所述过孔相连通的接触孔，所述过孔与所述接触孔共同形成所述通孔；以及
[0026]在所述平坦化层上形成一层透明导电层，并且对所述透明导电层进行刻蚀，以形成多个像素阳极以及位于所述多个像素阳极之间的空隙区域的所述导电走线。
[0027]上述有机发光显示装置的制造方法通过原有的接触孔工艺及过孔工艺，形成贯穿层间介质层及平坦化层的通孔，并且利用原有的像素阳极的工艺形成导电走线，从而在现有工艺基础上，达到消除由于栅极布线断线导致的线缺陷的目的，不需要增加额外的工艺成本。
[0028]在其中一个实施例中，在形成所述第一金属膜的步骤之前，所述有机发光显示装置的制造方法还包括如下步骤:
[0029]提供一基底；
[0030]在所述基底上形成一层缓冲层；
[0031]在所述缓冲层上形成一层驱动半导体层，并且对所述驱动半导体层进行刻蚀，以形成源区、漏区及沟道区；
[0032]在所述缓冲层上形成所述栅极绝缘层，并且所述栅极绝缘层覆盖所述驱动半导体层。
[0033]在其中一个实施例中，在形成所述第二金属膜时，所述第二金属膜填充所述过孔，并且对所述第二金属膜刻蚀，以形成凸出所述层间介质层上的第一导电部。
[0034]在其中一个实施例中，在形成所述透明导电层时，所述透明导电层填充所述接触孔，以形成与所述第一导电部固接的第二导电部，所述导电走线通过所述第一导电部及所述第二导电部与所述栅极布线电连接。
【【附图说明】】
[0035]图1为本发明实施方式的有机发光显示装置的结构示意图；
[0036]图2为本发明实施方式的有机发光显示装置的制造方法的流程图；
[0037]图3?8为本发明实施方式的有机发光显示装置的制造方法的各步骤的结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0038]为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
[0039]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0040]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0041]请参阅图1及图3,本发明的实施方式的有机发光显示装置100,包括基底110、缓冲层120、驱动半导体层130、栅极绝缘层140、栅极布线150、层间介质层160、数据布线(图未示)、平坦化层170、像素阳极(图未示)以及导电走线180。
[0042]具体在图示的实施例中，基底110可以为氮化硅。当然，本发明不限于此，例如，在其他实施例中，基底110也可以为其他类型的陶瓷。
[0043]缓冲层120形成在基底110上。缓冲层120由能够防止杂质渗入并具有平坦表面的各种材料制成。例如，缓冲层120的材料为氮化硅层(SiNx)、氧化硅层(S12)或氧氮化硅层(S1xNy)。然而，因为缓冲层120不是必需的元件，所以可根据基底110的类型和制造工艺条件省略缓冲层120。
[0044]驱动半导体层130形成在缓冲层120上。驱动半导体层130被形成为多晶硅层。另外，驱动半导体层130包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区设置在沟道区的两侧。沟道区不掺有杂质，而源区和漏区掺杂有P型杂质(P+)。这里，掺杂的离子材料为P型杂质，如硼(B)，通常，使用B2H6。这里，这样的杂质可以根据晶体管(TFT)的类型改变。
[0045]栅极绝缘层140形成在缓冲层120上，并且覆盖驱动半导体层130。栅极绝缘层140的材质为氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)。
[0046]栅极布线150设于栅极绝缘层140上。栅极布线150包括栅极线、驱动栅电极、第一维持电极以及其它布线。驱动栅电极与驱动半导体层130的至少一部分叠置，具体地讲，驱动栅电极与驱动半导体层130的沟道区叠置。
[0047]层间介质层160设于栅极绝缘层140上，并且覆盖栅极布线150。具体地讲，层间介质层160形成在栅极绝缘层140上，层间介质层160覆盖驱动栅电极。栅极绝缘层140和层间介质层160设有过孔(via hole)101a,其中一部分过孔1la贯穿栅极绝缘层140及层间介质层160，使驱动半导体层130的源区和漏区暴露，另外一部分过孔1la仅仅贯穿层间介质层160,与栅极布线150对应。层间介质层160与栅极绝缘层140 —样,可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)制成。
[0048]数据布线设于层间介质层160上。数据布线包括驱动源电极和驱动漏电极。数据布线还包括数据线、公共电源线、第二维持电极和其它布线。驱动源电极和驱动漏电极通过贯穿栅极绝缘层140及层间介质层160的过孔(via hole) 1la分别连接到驱动半导体层130的源区和漏区。
[0049]第一维持电极、第二维持电极以及设置在第一维持电极和第二维持电极之间的层间介质层160构成电容器。
[0050]平坦化层170设于层间介质层160上，并且覆盖数据布线。平坦化层170去除阶梯并使阶梯平坦化，从而提高有机发光元件的发光效率。另外，平坦化层170具有接触孔(contact hole) 101b，其中一部分接触孔1lb用于暴露漏电极，另外一部分接触孔1lb用于与贯穿层间介质层160的过孔1la连通，形成贯穿层间介质层160及平坦化层170的通孔 101。
[0051]进一步地，构成通孔101的接触孔1lb为阶梯孔，阶梯孔的大孔径端与过孔1la连通，阶梯孔的小孔径端的孔径等于过孔1la的孔径。
[0052]需要说明的是，通孔101不限于由层间介质层160的过孔1la与贯穿平坦化层170的通孔101构成，其可以单独形成，例如，采用激光打孔的方式单独成型。
[0053]有机发光元件(图未示)的像素电极形成在平坦化层170上。像素电极通过平坦化层170的接触孔1lb连接到漏电极。其中，多个有机发光元件的像素阳极设于平坦化层170 上。
[0054]导电走线180设于平坦化层170上，并且位于多个像素阳极之间的空隙区域。具体在图示的实施例中，导电走线180的材质与像素阳极的材质相同。例如，导电走线180及像素阳极的材质为氧化铟锡、氧化铟锌