弯曲区(B/A)旋转来附接到柔性OLED显示装置100的后表面。尽管图4仅示出与柔性OLED显示装置100的一端相邻形成的一个弯曲区，但是本领域技术人员将容易理解，弯曲区(B/A)可与柔性OLED显示装置100的任何侧相邻地形成(例如，与矩形形状的柔性OLED显示装置100的4侧相邻地形成4个弯曲区)。
[0082]下端非有效区(N/A)可通过弯曲区(B/A)分成三个区。例如，下端非有效区(N/A)可分成在弯曲区(B/A)和有效区(A/A)之间的第一区、弯曲区(B/A)、以及在弯曲区(B/A)和安装有数据驱动部分230的区之间的第二区。
[0083]下端非有效区(N/A)的第一区可以是与非有效区(N/A)的其余部分一起被边框部分等覆盖的区域。另外，第二区可以是可通过弯曲区(B/A)的弯曲而被定位于柔性OLED显示装置100的后表面上的区域。
[0084]包括第二驱动电压线146b、第二参考电压线147b和第二地线145b的电力线可形成在下端非有效区(N/A)的第一区中。
[0085]包括选通信号线141a、数据信号线141b和发光信号线141c的信号线可形成在第一区中以与电力线交叉。第一区中的信号线和电力线可彼此交叠地形成在柔性基板110上的不同层处。
[0086]包括第一驱动电压线146a、第一参考电压线147a和第一地线145a的电力线可形成在下端非有效区(N/A)的弯曲区(B/A)中。
[0087]包括选通信号线141a、数据信号线141b和发光信号线141c的信号线可平行于电力线形成在弯曲区(B/A)中以不与电力线交叉。弯曲区(B/A)中的信号线和电力线可彼此间隔开地形成在柔性基板110上的相同层上。
[0088]包括第一驱动电压线146a、第一参考电压线147a和第一地线145a的电力线可形成在下端非有效区(N/A)的第二区中。
[0089]包括选通信号线141a、数据信号线141b和发光信号线141c的信号线可平行于电力线形成在第二区中以不与电力线交叉。信号线和电力线可形成为彼此平行地从数据驱动部分230延伸。在这种情况下，信号线和电力线可通过在第二区中弯曲至少两次来彼此平行地形成。第二区中的信号线和电力线可彼此间隔开地形成在相同层上。
[0090]如上所述，在根据此实施方式的柔性OLED显示装置100中，在执行弯曲的下端非有效区(N/A)的弯曲区(B/A)中，导线彼此平行地形成在相同层上。因此，与传统技术不同，可防止由于弯曲应力而发生导线的断开。
[0091]在下端非有效区(N/A)的第二区和弯曲区(B/A)中，导线形成在相同层上。然而，在第一区中，导线形成在不同的层上。通过这种配置，形成在弯曲区(B/A)中的导线可通过孔(未示出)连接到形成在第一区中的不同层上的导线。
[0092]图6是沿图4的柔性OLED装置中的线VIa?VIa^和VIb?VlV截取的横截面图。
[0093]参照图4和图6，柔性OLED显示装置100可包括形成在有效区(A/A)中的像素(P)以及形成在非有效区(N/A)(例如，下端非有效区(N/A))中的导线。形成有导线的下端非有效区(N/A)可以是弯曲区(B/A)。
[0094]薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)可在柔性基板110上形成在有效区(A/A)中。
[0095]例如，钝化层111可形成在柔性基板110的整个表面上。由非晶硅或多晶硅形成的半导体层121可形成在钝化层111上。
[0096]栅绝缘层113可形成在半导体层121上，栅极123可形成在栅绝缘层113上与半导体层121的预定区域对应的位置处。
[0097]层间绝缘层115可形成在栅极123上，源极125a和漏极125b可形成在层间绝缘层115上。
[0098]源极125a和漏极125b可通过形成在层间绝缘层115和栅绝缘层113处的接触孔(未示出)连接到半导体层121。
[0099]半导体层121、栅极123、源极125a和漏极125b可构成柔性基板110的有效区(A/A)中的薄膜晶体管。例如，TFT可以是柔性OLED显示装置100的驱动晶体管。然而，本发明不限于此示例。
[0100]平整层117可形成在TFT上。通过接触孔(未示出)连接到漏极125b的第一电极131可形成在平整层117上。
[0101]将第一电极131的部分暴露于外的像素限定层130可形成在第一电极131上。发光层133可形成在像素限定层130上。发光层133可形成在通过像素限定层130暴露于外的第一电极131上。第二电极135可形成在发光层133上。
[0102]第一电极131、发光层133和第二电极135可构成柔性基板110的有效区(A/A)中的 OLED0
[0103]信号线和电力线可在柔性基板110上形成在弯曲区(B/A)中。信号线可包括选通信号线141a和数据信号线141b。电力线可包括第一地线145a和第一驱动电压线146a。
[0104]例如，钝化层111可形成在柔性基板110的整个表面上。选通信号线141a、数据信号线141b、第一地线145a和第一驱动电压线146a可共同地形成在钝化层111上，使得它们之间彼此间隔开预定距离(例如，彼此平行)。
[0105]依据一个实施方式，形成在弯曲区(B/A)中的信号线和电力线可由与形成在有效区(A/A)中的源极125a和漏极125b相同的金属材料在相同的处理阶段形成。
[0106]与有效区(A/A)中一样，平整层117可作为绝缘层形成在弯曲区(B/A)中形成的信号线和电力线上。
[0107]如上所述，在根据一个实施方式的柔性OLED显示装置100中，导线可利用相同的金属材料形成在弯曲区(B/A)中的相同层上。因此，即使平整层117由于弯曲区(B/A)中的弯曲应力而被损坏，弯曲区(B/A)中的导线也不会断开或开裂。这可防止柔性OLED显示装置100出现故障。
[0108]图7A至图7C是示出根据本发明的第一实施方式的柔性OLED显示装置的制造工艺的示图。
[0109]可在被划分成有效区(A/A)和非有效区(N/A)的基板(例如，玻璃基板101)的整个表面上形成钝化层111。钝化层111被设置为使得可防止在分离玻璃基板101的处理期间薄膜晶体管、有机发光二极管和导线被损坏(如下面更详细描述的)。
[0110]非有效区(N/A)可包括形成在有效区(A/A)下面的弯曲区(B/A)，即，下端非有效区(N/A)的弯曲区(B/A)。
[0111]在形成有钝化层111的玻璃基板101上的有效区(A/A)中沉积非晶硅或多晶硅。然而，将非晶硅或多晶硅选择性地构图，从而形成半导体层121。半导体层121可包括各自包含杂质的源区和漏区以及不包含杂质的沟道区。
[0112]可在形成有半导体层121的玻璃基板101的整个表面上形成栅绝缘层113。栅绝缘层113可形成为氧化娃膜(S1x)、氮化娃膜(SiNx)或其多层。
[0113]在玻璃基板101的非有效区(N/A)中可不形成栅绝缘层113。
[0114]可在栅绝缘层113上与半导体层121的沟道区对应的位置处形成栅极123。可通过在栅绝缘层113上沉积诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和铜(Cu)的金属材料或其合金，然后将金属材料或合金选择性地构图，来形成栅极123。
[0115]可在玻璃基板101的形成有栅极123的有效区(A/A)的整个表面上形成层间绝缘层115。层间绝缘层115可形成为氧化娃膜(S1x)、氮化娃膜(SiNx)或其多层。
[0116]可通过蚀刻层间绝缘层115和栅绝缘层113的部分来形成接触孔(未示出)，从而通过接触孔将半导体层121的部分(例如，源区和漏区)暴露于外。
[0117]可在层间绝缘层115上形成源极125a和漏极125b。源极125a可被形成为通过接触孔连接到半导体层121的源区，漏极125b可被形成为通过接触孔连接到半导体层121的漏区。
[0118]可通过在层间绝缘层115上沉积诸如T1、Al和Mo的金属材料或其合金(例如，Ti/Al/Ti和Mo/Al)，然后将金属材料或合金选择性地构图，来形成源极125a和漏极125b。
[0119]可在玻璃基板101的有效区(A/A)中形成包括半导体层121、栅极123、源极125a和漏极125b的薄膜晶体管(TFT)(例如为柔性OLED显示装置100的驱动晶体管)。
[0120]可在玻璃基板101的非有效区(N/A)中的钝化层111上形成导线(例如，选通信号线141a、数据信号线141b、第一地线145a和第一驱动电压线146a)。这些导线可彼此间隔开预定间隔地形成在钝化层111上。
[0121]选通信号线141a、数据信号线141b、第一地线145a和第一驱动电压线146a可在相同的处理阶段由与源极125a和漏极125b相同的金属材料形成。
[0122]参照图7B，可在形成有薄膜晶体管的有效区(A/A)以及形成有导线的非有效区(N/A)的整个表面上形成平整层117。
[0123]平整层117可通过例如旋涂方法来形成，该旋涂方法以液相的形式涂敷有机材料或无机材料(例如，聚酰亚胺、苯并环丁烯系树脂和丙烯酸酯)，然后使材料硬化。
[0124]可通过蚀刻有效区(A/A)中的平整层117的部分来形成接触孔(未示出)，从而通过接触孔将漏极125b暴露于外。
[0125]可在有效区(A/A)中的平整层117上形成第一电极131。第一电极131可通过平整层117的接触孔连接到漏极125b。
[0126]第一电极131由诸如ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)或ZnO (氧化锌)的透明导电材料形成，其可形成OLED的阳极。
[0127]可在第一电极131上形成像素限定层130。像素限定层130可具有开口并且可限定像素区，通过所述开口将第一电极131的部分暴露于外。
[0128]像素限定层130通过例如旋涂方法来形成，该旋涂...