线圈元件的制造方法

文档序号:8435944阅读:358来源:国知局
线圈元件的制造方法【
技术领域
】[0001]本发明涉及一种线圈(coil)元件的制造方法,尤其涉及一种能够使利用转印用模具而剥离/转印的线圈元件的镀敷高度一致的线圈元件的制造方法。【
背景技术
】[0002]近年来,伴随智能电话(smartphone)或平板(tablet)终端等移动(mobile)设备的多功能化,小型且能够处理高额定电流的线圈零件(电感器(inductor))的必要性提高。[0003]作为此种线圈零件的制造方法,已知有使用转印用模具的方法。专利文献I中,公开了通过电铸(也称作电镀)进行的电子零件的制造方法。该方法中,首先由主(master)模具制作母(mother)模具,接下来,在母模具的表面通过镲电铸法来制作转印用子(son)模具。然后,从母模具剥离该转印用子模具,使用该子模具来作为工件(work)模具,以进行零件的制造。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本专利特开2008-049614号公报【
发明内容】[0007][发明所要解决的问题][0008]在使用转印用模具来制作线圈元件时,在线圈元件的电极取出部,有时必须使线圈图案(coilpattern)的高度(H)高于其他部分,以连接至上层的线圈元件,从而制作多层连接的线圈零件。此时,在电极取出部,必须将被刻印在转印用模具内的线圈元件图案的深度局部地加深。[0009]但是,若通过电铸来使铜(Cu)等金属电沉积在如此般具备不同深度的线圈元件图案上,则会与该深度对应地在电沉积而成的金属的表面也残留凹凸,从而对线圈元件图案的转印造成障碍。[0010]本发明是为了解决所述问题而完成,其目的在于提供一种线圈元件的制造方法,对于电铸后的导体膜,从表面通过研磨或磨削来去除规定的厚度,由此来消除导体膜表面的凹凸,从而不会妨碍取出后的线圈元件图案的使用。[0011][解决问题的技术手段][0012]本发明的方案是一种使用转印模具来制造线圈元件的方法,该方法的特征在于包括如下步骤:准备转印模具,该转印模具在表面刻印有反转线圈元件图案,且至少表面部包含金属;在所述转印模具的整个面上,通过第I电镀形成中心导体膜,该中心导体膜的厚度超过刻印有所述反转线圈元件图案的区域的厚度;对于所述中心导体膜,从表面通过研磨或磨削去除规定的厚度,以使所述中心导体膜的表面平坦化;从所述转印模具剥离经平坦化的所述中心导体膜;使保护膜粘附于被剥离的所述中心导体膜的形成有线圈元件图案的一侧的整个表面;从所述中心导体膜的经平坦化的一侧起蚀刻去除所述中心导体膜,直至到达所述保护膜为止;以及去除所述保护膜并取出所述中心导体膜。[0013]在本发明的方案中,该方法的特征在于还包括如下步骤:将取出的所述中心导体膜作为基底,通过第2电镀形成包覆所述中心导体膜的表面导体膜,从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。而且,其特征在于,所述转印模具的所述表面部为Ni,在Ni的表面形成有N1。[0014]在本发明的方案中,其特征在于,所述保护膜为S12、玻璃上覆娃(SiliconOnGlass,S0G)、或抗蚀剂(resist)。[0015]而且,其特征在于,通过化学气相沉积(ChemicalVaporDeposit1n,CVD)或派镀(sputter)来形成所述保护膜。[0016]进而,其特征在于,所述中心导体膜的所述蚀刻(etching)是使用氯化铁溶液来进行。[0017](发明的效果)[0018]根据本发明,能够从经平坦化的面形成具备不同厚度的线圈元件图案,因此具有容易制作多层连接的线圈零件的优点。【附图说明】[0019]图1是表示本发明的线圈元件的制作工序的图。[0020]图2是使用转印模具基板而制作的线圈元件集合体的平面图。[0021]图3是表示将多片线圈元件集合体层叠的状态的图。[0022]图4是将多片线圈元件集合体层叠,并将各层线圈元件彼此连接而形成线圈的说明图。[0023]图5是表示使用上部芯材(core)与下部芯材来密封线圈的状态的图。[0024]图6是表示线圈内填充有绝缘物质的状态的图。[0025]图7是表示以线圈为单位来切断层叠的线圈元件集合体的切割(dicing)的图。[0026]图8是表示在电极引出部安装外部电极而形成线圈零件的工序的图。【具体实施方式】[0027]以下,按照附图来详细说明本发明。[0028]图1是表示本发明的线圈元件的制作工序的图。[0029]首先,如图1a所示,准备由镍(Ni)等制作的金属性转印模具100,该金属性转印模具100在表面刻印有反转线圈元件图案102a、102b。另外,金属性转印模具100只要至少表面部为金属性即可,不需要整体为金属性。另外,在转印模具100的表面部为Ni的情况下,若预先将表面氧化而形成N1,则容易在后续工序中剥离中心导体膜。而且,反转线圈元件图案102a、102b也可具有不同深度的部分。[0030]接下来,在转印模具100的整个面上,通过铜(Cu)等的电镀,以超过刻印有反转线圈元件图案102a、102b的区域厚度的厚度而形成中心导体膜104。此时,在中心导体膜104的表面,直接反映出与反转线圈元件图案102a、102b的深度相应的凹凸。[0031]随后,如图1b所示,对于中心导体膜104,从表面通过研磨或磨削而去除规定的厚度,以消除存在于表面的凹凸而平坦化。由此,形成表面平坦化的中心导体膜106。接下来,如图1c所示,从转印模具100剥离表面平坦化的中心导体膜106。[0032]然后,在被剥离的中心导体膜106的形成有线圈元件图案102a、102b的一侧的整个表面上,如图1d所示,粘附保护膜108。[0033]作为保护膜108,可使用S12、SOG或抗蚀剂,也可通过CVD或溅镀等方法来成膜。[0034]接着,如图1e所示,从经平坦化的一侧蚀刻去除中心导体膜106,直至到达保护膜108为止。该中心导体膜106的蚀刻可使用氯化铁溶液来进行。然后,如图1f所示,去除保护膜108,取出中心导体膜106a、106b。[0035]这样,取出的中心导体膜106a、106b被用作具有不同厚度的线圈元件。另外,在缩窄中心导体膜106a、106b间的间隔而高密度化地使用的情况下,也可如图1g所示,将中心导体膜106a、106b作为基底,通过电镀形成使中心导体膜106a、106b加厚的表面导体膜IlOaUlObo[0036]在以上当前第1页1 2 
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