。
[0029]图14是本发明制备的红绿量子点阵列的荧光图。
[0030]附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的；相同或相似的标号对应相同或相似的部件；附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
[0032]具体实施例:
一种量子点薄膜阵列制备方法，包括以下步骤:
a.衬底预处理，选择ITO玻璃作为衬底1，将ITO玻璃依次经过丙酮超声振荡清洗5min、异丙醇超声振荡清洗5min、去离子水超声振荡清洗5min和热板烘干1min处理；
b.光刻制备图案3，利用无掩膜光刻技术在清洗完成的ITO玻璃上制备光栅图案，参照图12 (曝光区域条纹宽50um，非曝光区域条纹宽25um，以此为周期形成光栅图案)；其具体步骤为(如图2-3所示):Ca)旋涂光刻胶2，在干净的ITO玻璃上先后分别以500rpm/10s ；3000rpm/30s均匀旋涂光刻胶AZNL0F2035 ； (b)前烘，将旋涂完光刻胶的ITO玻璃放在热板上以110°C烘烤I分钟；(c)将烘烤后的ITO玻璃放在无掩膜曝光机下曝光，曝光时间为80ms ；(d)后烘，将曝光后的ITO玻璃放在热板上以110°C烘烤I分钟；(e)显影，把后烘完成的ITO玻璃片浸泡在DPD230显影液中显影90s ;显影完成后ITO玻璃上的光刻胶条纹图案截面形貌参考图13 ；
c.沉积第一种量子点4，将足量的浓度为9mg/mL的红色量子点溶液滴在显影后的ITO玻璃上，以1000rpm/30s进行旋涂，如图4所示；
d.镀二氧化硅保护层5，使用磁控溅射仪在沉积有红色量子点的ITO玻璃上沉积一层厚度为70nm的二氧化硅保护层，如图5所示；
e.去除光刻胶，将沉积完二氧化硅的ITO玻璃浸泡在丙酮溶液中15min去除光刻胶，实现第一种量子点的周期性排列，如图6所示；
f.光刻套刻图案，如图7-8所示，在排列好第一种量子点的ITO玻璃上进行套刻，对第一次光刻图案进行水平移动25um生成第二次光刻的图案3 '，利用套刻标记对衬底进行定位，用第二次光刻的图案对衬底进行第二次光刻，其中的光刻流程参考步骤b;
g.沉积第二种量子点6，将足量的浓度为2.5mg/mL的绿色量子点溶液滴在套刻完成的ITO玻璃上，以1000rpm/30s进行旋涂，如图9所示；
h.镀二氧化硅保护层5，使用磁控溅射仪在沉积好绿色量子点的ITO玻璃上沉积一层厚度为70nm的二氧化硅保护层，如图10所示；
1.去除光刻胶模板，将沉积完二氧化硅的ITO玻璃浸泡在丙酮溶液中15min去除光刻胶，实现两种量子点的周期性排列，如图11所示，其荧光分布图参考图14。
[0033]显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.一种量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，包含以下步骤: a.将衬底(I)清洗干净； b.在衬底(I)上均匀涂光刻胶(2);对光刻胶(2)进行光刻处理，在衬底(I)上形成光栅图案(3)； c.在衬底(I)上沉积第一种量子点(4)； d.在第一种量子点(4)上镀保护层(5); e.清除光刻胶(2); f.再次在衬底(I)上均匀涂光刻胶(2);对光刻胶(2)进行套刻处理，在衬底(I)上形成光栅图案(3’)； g.在衬底(O上沉积第二种量子点(6); h.在第二种量子点(6)上镀保护层(5); 1.清除光刻胶(2)。
2.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，第一种量子点(4)为红色量子点、第二种量子点(6)为绿色量子点；或者第一种量子点(4)为绿色量子点、第二种量子点(6)为红色量子点。
3.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤a中衬底(I)为ITO玻璃，所述清洗方式为将ITO玻璃依次经过丙酮超声振荡清洗、异丙醇超声振荡清洗、去离子水超声振荡清洗和热板烘干处理。
4.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤b中涂光刻胶的方式为:在衬底(I)上先后分别以不同的速度均匀旋涂光刻胶(2)。
5.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述步骤b中的光刻方法为:(a)前烘，将涂完光刻胶的衬底(I)放在热板上进行烘烤；(b)曝光，将烘烤后的衬底放在无掩膜曝光机下曝光；(c)后烘，将曝光后的衬底放在热板上进行烘烤；(d)显影，把后烘完成的衬底浸泡在显影液中显影。
6.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，所述保护层(5)为二氧化硅保护层。
7.根据权利要求1所述的量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，清除光刻胶的方式为将衬底浸泡在丙酮溶液中以清除光刻胶(2)。
【专利摘要】本发明属于纳米材料与纳米结构以及显示应用技术领域，尤其涉及一种量子点薄膜阵列制备方法，其特征在于，包含以下步骤：a.将衬底（1）清洗干净；b.在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行光刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3）；c.在衬底（1）上沉积第一种量子点（4）；d.在第一种量子点（4）上镀保护层（5）；e.清除光刻胶（2）；f.再次在衬底（1）上均匀涂光刻胶（2）；对光刻胶（2）进行套刻处理，在衬底（1）上形成光栅图案（3’）；g.在衬底（1）上沉积第二种量子点（6）；h.在第二种量子点（6）上镀保护层（5）；i. 清除光刻胶（2）。
【IPC分类】G02F1-13357, H01L21-77
【公开号】CN104835783
【申请号】CN201510238602
【发明人】李俊韬, 赖娟, 谭永楠, 杨立诚, 陈朝涛, 刘忆琨, 周建英
【申请人】中山大学
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年5月12日