导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示面板因其质量轻、功耗低，辐射小、能大量节省空间等优点，现已取代传统的阴极射线管显示器，广泛应用于各个显示领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关广品等。
[0003]现有的液晶显示面板主要包括彩膜基板、阵列基板以及两基板之间的液晶层，目前，阵列基板上的栅线及栅极通常由铝(Al)和钼(Mo)两层金属构成，铝层位于下方，钼层位于上方，然而，在现有的阵列基板制作工艺中，由于在湿刻工艺过程中刻蚀液对Mo、Al两种金属的刻蚀速率不同，从而导致所形成的信号线边界不平整，容易出现如图1所示的逆梯形边缘结构，进而容易造成后续形成的膜层在该逆梯形结构的边缘处发生断裂风险。
【发明内容】
[0004](一 )要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是:在阵列基板制作工艺中，如何降低信号线制作完成后所形成的膜层发生断裂的风险。
[0006]( 二 )技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种导电结构的制作方法，包括:
[0008]在基板上形成层叠设置的多层导电薄膜；
[0009]对所述多层导电薄膜进行图案化处理，以形成预设图案的导电结构，且所述导电结构的边缘为阶梯状结构。
[0010]优选地，经过所述图案化处理后，对于任意相邻两层的所述导电薄膜，远离所述基板的导电薄膜在所述基板上的投影位于靠近所述基板的导电薄膜在所述基板上的投影内。[0011 ] 优选地，所述多层导电薄膜为依次设置在所述基板上的第一层导电薄膜和第二层导电薄膜，所述对所述多层导电薄膜进行图案化处理包括:
[0012]采用半透膜曝光工艺在所述第二层导电薄膜上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案的中间区域为第一高度的光刻胶，所述光刻胶图案的边缘区域为第二高度的光刻胶，所述第一高度大于所述第二高度；
[0013]进行第一次刻蚀，去除掉没有光刻胶区域的第一层导电薄膜和第二层导电薄膜；
[0014]去除所述第二高度的光刻胶；
[0015]进行第二次刻蚀，去除位于所述边缘区域的第二层导电薄膜。
[0016]优选地，在所述第二次刻蚀中，位于所述边缘区域的第一层导电薄膜未被刻蚀或部分厚度被刻蚀。。
[0017]优选地，所述第一层导电薄膜的材料为铝，所述第二层导电薄膜的材料为钼。
[0018]优选地，所述第二次刻蚀后，所述第一层导电薄膜的边缘与所述第二层导电薄膜的边缘之间的距离为0.2微米?0.4微米。
[0019]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种导电结构，包括呈层叠设置的多层导电层，其中，所述导电结构的边缘为阶梯状结构。
[0020]优选地，对于任意相邻两层的所述导电层，远离所述基板的导电层在所述基板上的投影位于靠近所述基板的导电层在所述基板上的投影内。
[0021 ] 优选地，所述多层导电层为依次设置在所述基板上的第一层导电层和第二层导电层，所述第一层导电层的材料为铝，所述第二层导电层的材料为钼。
[0022]优选地，在所述第一层导电层中，与所述第二层导电层对应的区域的厚度等于或大于其他区域的厚度。
[0023]优选地，所述第一层导电层的边缘与所述第二层导电层的边缘之间的距离为0.2微米?0.4微米。
[0024]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板，包括栅线、数据线、源极、漏极、栅极，其特征在于，所述栅线、所述数据线、所述源极、所述漏极、所述栅极中至少一者为上述的导电结构。
[0025]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0026](三)有益效果
[0027]本发明提供的导电结构的制作方法，通过将导电结构的边缘设为阶梯状结构，有效减缓导电结构的边缘坡度，进而有效降低后续形成的膜层在导电结构的边缘处发生断裂的风险。
【附图说明】
[0028]图1是现有技术中的阵列基板上信号线的结构示意图；
[0029]图2是本发明实施方式提供的一种导电结构的制作方法的流程图；
[0030]图3?图8是本发明实施方式提供的一种制作导电结构的示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0032]图2是本发明实施方式提供的一种导电结构的制作方法的流程图，该导电结构的制作方法包括:
[0033]Sll:在基板上形成层叠设置的多层导电薄膜；
[0034]S12:对所述多层导电薄膜进行图案化处理，以形成预设图案的导电结构，且所述导电结构的边缘为阶梯状结构。
[0035]本发明实施方式提供的导电结构的制作方法，通过将导电结构的边缘设为阶梯状结构，有效减缓导电结构的边缘坡度，进而有效降低后续形成的膜层在导电结构的边缘处发生断裂的风险。
[0036]在上述导电结构的制作方法中，不同层的导电薄膜可以采用不同材料形成，每一层导电薄膜可以为金属材料，也可以为非金属材料，由于在图案化处理工艺中，刻蚀液对不同材料的刻蚀速率不同，因此在一次刻蚀中对每层导电薄膜的刻蚀程度也不同，为避免刻蚀后由于导电结构的逆梯形边缘形状造成后续形成的膜层发生断裂，可通过多次刻蚀工艺将导电结构的边缘形成阶梯状结构，例如，经过上述图案化处理后，对于任意相邻两层的所述导电薄膜，远离所述基板的导电薄膜在所述基板上的投影位于靠近所述基板的导电薄膜在所述基板上的投影内，从而形成边缘为阶梯状的导电结构。
[0037]其中，上述导电结构的制作方法可以用于制作阵列基板上的信号线，例如，可以用于制作阵列基板上的栅线和栅极，其包括两层导电层，分别为铝层和钼层，具体地，其制作方法可以包括:
[0038]S21:在基板上形成层叠设置的两层导电薄膜，其中，第一层导电薄膜可以为铝材料，第二层导电薄膜可以为钼材料；
[0039]S22:在第二层导电薄膜上形成一层光刻胶层，如图3所示，第一层导电薄膜20、第二层导电薄膜30以及光刻胶层40依次设置在基板10上；
[0040]S23:采用半透膜曝光工艺对光刻胶层40进行曝光，在光刻胶层40上形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域，而后通过显影工艺，去除完全曝光区域和部分曝光区域中的已曝光的光刻胶，形成如图4所示的光刻胶图案，其中，所形成的光刻胶图案的中间区域为第一高度的光刻胶(位于未曝光区域)，所述光刻胶图案的边缘区域为第二高度的光刻胶(位于部分曝光区域)，所述第一高度大于所述第二高度；
[0041]S24:进行第一次刻蚀，去除掉没有光