设备来刻蚀石墨烯图形，而是利用面板厂商生产线现有的阻挡层刻蚀条件，直接形成薄膜电极22，然后再转印，有利于工艺的简单化。
[0032]如图3、图4所示，其为本发明提供的一较佳实施方式的薄膜电极的制作方法示意图以及制作方法流程图，所述制作至少包括以下步骤:步骤Sll:提供一至少具有一第一表面301a的第一衬底301,在所述第一表面301a上形成一阻挡层330,如图3a所不。本实施方式中，所述第一表面301a为一光滑的平面，在其他实施方式中，所述第一表面还可以为曲面或者不规则的表面。如图3a所示。
[0033]步骤S12:在所述阻挡层330上形成至少一第一图形33和一第二图形43，以露出所述第一表面301a，形成所述第一图形33的阻挡层330部分与所述第一表面301a共同形成一第一收容空间34，形成所述第二图形43的阻挡层330部分与所述第一表面301a共同形成一第二收容空间35。如图3b所示。
[0034]本实施方式中，所述第一图形33和第二图形43的个数均为多个，所述第一图形33和第二图形43经光刻的方式形成，所述第一收容空间34由两侧壁和一底面构成上端开口的一空间，两所述侧壁为所述第一图形33的一部分，所述底面为所述第二表面301a的一部分；所述第二收容空间35由两侧壁和一底面构成上端开口的一空间，两所述侧壁为所述第二图形43的一部分，所述底面为所述第二表面301a的一部分。所述多个第一图形33和第二图形43在同一制程中一并制成。所述阻挡层330、第一图形33和第二图形43的材料为氧化锡铟(ITO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)或氧化锌镓(GZO)，或者为类似的材料。所述第一衬底301的材料为金属，例如铜或者镍等。
[0035]步骤S13:在所述第一表面301a上形成一第一薄膜电极32和第二薄膜电极42，所述第一薄膜电极32完全收容于所述第一收容空间34内，所述第二薄膜电极42完全收容于所述第二收容空间35内。如图3c所示。
[0036]步骤S14:提供一具有一第二表面302a的第二衬底302，去除所述第一衬底301、第一图形33和第二图形43，将所述第一薄膜电极32和第二薄膜电极42形成于所述第二表面202a。如图1d所示。每一所述第一薄膜电极32与一第二薄膜电极42电性相连，所述第二薄膜电极42用于将所述第一薄膜电极电性连接至一外接电路(图中未示出)。形成于所述第二衬底302上的多个第一薄膜电极32之间相互间隔绝缘，多个所述第二薄膜电极42相互间隔绝缘。如图3d所示。
[0037]本实施方式中，所述第二表面302a包括第一区域和第二区域(图中未示出)，所述第一区域位于所述第二表面302a的中央，所述第二区域邻接且环绕所述第二区域，所述第一薄膜电极32在所述第二表面302a上的投影覆盖所述第一区域，所述第二薄膜电极42在所述第二表面302a上的投影覆盖所述第二区域。
[0038]所述第二表面302a为一光滑的平面，在其他实施方式中，所述第二表面还可以为曲面或者不规则的表面，或者所述第二表面还可以具有容纳薄膜电极的第三收容空间；所述第二衬底还可以为一基板。所述第二衬底302或基板的材料为玻璃或者树脂。
[0039]本实施方式中，还在第二表面302a上形成有一第一结合层和第二结合层(图中未示出)，所述第一结合层位于所述多个第一薄膜电极32与所述第二表面302a之间，所述第二结合层位于所述多个第二薄膜电极42与所述第二表面302a之间，所述第一结合层和第二结合层分别有利于第一薄膜电极32第二薄膜电极42于所述第二表面302a的结合。所述第一结合层和第二结合层米用同种材料在同一工艺中一并制成。在另一种实施方式中，所述第一结合层还可以位于所述第一薄膜电极远离所述第二表面的一侧，即所述第一薄膜电极位于所述第一结合层与第二表面之间；所述第二结合层亦可以位于所述第二薄膜电极远离所述第二表面的一侧，即所述第二薄膜电极位于所述第二结合层与第二表面之间。
[0040]以上为本发明提供的薄膜电极制作方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。
【主权项】
1.一种薄膜电极制作方法，其至少包括以下步骤: 提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层； 在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间； 在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内； 去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。2.如权利要求1所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述薄膜电极制作方法还包括提供一具有一第二表面的第二衬底，以及将所述第一薄膜电极形成于所述第二表面的步骤。3.如权利要求2所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述阻挡层上形成有多个第一图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第一收容空间；在所述第一表面上形成多个第一薄膜电极，所述多个第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第一薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。4.如权利要求3所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:形成于所述第二衬底上的多个第一薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第一薄膜电极通过一第一结合层与所述第二衬底相结合，所述第一结合层位于所述多个第一薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第一薄膜电极位于所述第一结合层和所述第二表面之间。5.如权利要求4所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述薄膜电极制作方法至少包括在所述阻挡层上形成一第二图形的步骤，以露出所述第一表面，形成所述第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第二收容空间；在所述第一表面上形成一第二薄膜电极，所述第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第二薄膜电极。6.如权利要求5所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述阻挡层上形成有多个第二图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第二收容空间；在所述第一表面上形成多个第二薄膜电极，所述多个第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第二薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。7.如权利要求6所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:形成于所述第二衬底上的多个第二薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第二薄膜电极通过一第二结合层与所述第二衬底相结合，所述第二结合层位于所述多个第二薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第二薄膜电极位于所述第二结合层和所述第二表面之间。8.如权利要求7所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述第一表面为一平面，在垂直于所述第一表面的方向上，所述阻挡层的厚度较所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的厚度大，所述多个第一图形与所述多个第二图形在同一制程中一并制成，所述多个第一薄膜电极与所述多个第二薄膜电极米用同种材料在同一工艺中一并制成，且每一所述第一薄膜电极与一第二薄膜电极电性相连，所述第二薄膜电极用于将所述第一薄膜电极电性连接至一外部电路。9.如权利要求8所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:所述第一结合层与第二结合层采用同种材料在同一制程中一并制成，所述第二表面为一平面，且在垂直于所述第二表面方向上，所述第一薄膜电极与第二薄膜电极具有相同的厚度，所述第一结合层与第二结合层具有相同的厚度，所述第一薄膜电极与第一结合层具有相同或不同的厚度。10.如权利要求9所述的薄膜电极制作方法，其特征在于:制作所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的材料为石墨烯，制作所述阻挡层的材料氧化锡铟，制作所述第一衬底的材料为金属、金属混合物或金属合金。
【专利摘要】本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜电极制作方法。其至少包括以下步骤：提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。
【IPC分类】H01B5/14, H01B13/00
【公开号】CN104934135
【申请号】CN201410103837
【发明人】王士敏, 张超, 赵约瑟, 李绍宗, 何云富, 郭志勇
【申请人】深圳莱宝高科技股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2014年3月19日