一个第二发光群组G2的一或多个第二发光二极管芯片220可设置在相对应的第二芯片置放区域120的同一个第二芯片置放线路1200上，以形成同一排在置晶过程中不需要进行正负极转向的多个第二发光二极管芯片220。另外，由于多个第一芯片置放区域110及多个第二芯片置放区域120呈现相互交替间隔排列，所以使得多个第一发光群组Gl及多个第二发光群组G2也是会以相互交替的方式间隔排列，借此以提升具有不同波长芯片的发光群组的混光效果。
[0082]举例来说，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220可以交替间隔排列成一矩阵状，所以不管是沿着横向或纵向来看，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220都是呈现交替间隔排列。另外，其上置放有第一发光二极管芯片210的多个第一芯片置放线路1100及其上置放有第二发光二极管芯片220的多个第二芯片置放线路1200可以彼此平行且具有相同的排列间距d，所以使得每两个相邻的第一发光群组Gl及第二发光群组G2可以彼此平行且具有相同的排列间距d，因此发光单元2的多个第一发光群组Gl及多个第二发光群组G2所产生的光源能够得到较佳的混光效果。
[0083]更进一步来说，由于第一导电轨迹11及第二导电轨迹12都沿着基板I的对角线来进行延伸且使得蜿蜒轨迹的横向宽度呈现“从窄渐渐变宽，再从宽渐渐变窄”的变化，所以每一个第一发光群组Gl的多个第一发光二极管芯片210的数量及每一个第二发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量会从发光单元2的中间往两相反侧依序递减或从发光单元2的两相反侧往中间依序递增。
[0084]举例来说，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220的数量从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的公式分别为2n-l及2n，其中η为第一发光群组Gl及第二发光群组G2从I开始依序排列的序号。因此，多个第一发光二极管芯片210从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的数量会呈现(2X1-1 = I, 2X2-1 =3，2X3-1 = 5)的变化，且多个第二发光二极管芯片220从发光单元2的两相反对角处往中间依序递增的数量会呈现(2X1 = 2,2X2 = 4)的变化。借此，两相邻的第一发光群组Gl的多个第一发光二极管芯片210的数量会相差2颗，两相邻的第二发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量会相差2颗，且两相邻的第一发光群组Gl及第二发光群组G2的发光二极管芯片(210，220)的数量会相差I颗。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
[0085]值得一提的是，如图2所示，每一个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210Ρ及每一个第二发光二极管芯片220的正极焊垫220Ρ会相对于基板I以分别朝向第一预定方向Wl及第二预定方向W2的方式设置，每一个第一发光二极管芯片210的负极焊垫210Ν及每一个第二发光二极管芯片220的负极焊垫220Ν会相对于基板I以分别朝向第一预定方向Wl及第二预定方向W2的方式设置，使得每一个第一发光二极管芯片210的正、负极焊垫(210Ρ、210Ν)相对于基板I的设置方位与每一个第二发光二极管芯片220的正、负极焊垫(220Ρ.220Ν)相对于基板I的设置方位相异。换言之，配合图1及图2所示，以单颗芯片来看，依据不同的设计需求，每一个第一发光二极管芯片210的正、负极焊垫(210Ρ、210Ν)相对于基板I的设置方位(aspect)与每一个第二发光二极管芯片220的正、负极焊垫(220P、220N)相对于基板I的设置方位可以是“完全相同的正负焊垫布局设计(如图1所示)”，或者是“完全相异的正负焊垫布局设计(如图2所示)”。
[0086]另外，如图3所示，任意一个第一发光群组Gl的一或多个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及负极焊垫210N分别会以朝向同一个第一预定方向Wl及同一个第二预定方向W2的方式来布局设置，但是相邻上述任意一个第一发光群组Gl的另外一个第一发光群组Gl的一或多个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及负极焊垫210N的布局设置就会刚好反过来，而使得一或多个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及负极焊垫210N分别会以朝向同一个第二预定方向W2及同一个第一预定方向Wl的方式来布局设置。再者，任意一个第二发光群组G2及相邻上述任意一个第二发光群组G2的另外一个第二发光群组G2也会呈现如同上述“交替式的正负焊垫布局设置(如图3所示)”。换言之，本发明可以依据不同的需求，而选择性采用“完全相同的正负焊垫布局设计(如图1所示)”、“完全相异的正负焊垫布局设计(如图2所示)”或“交替式的正负焊垫布局设置(如图3所示)”，然而本发明不以此为限。
[0087]请参阅图4所示，以发光二极管芯片(210、220)排列成6X6的矩阵来作为例子，其中多个第一发光二极管芯片210的总数量会等同于多个第二发光二极管芯片220的总数量。当靠近基板I的四个转角处的多个发光二极管芯片(如图4以假想线所标示的210、220)被移除后，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220就可以呈现“近圆形(或类圆形)”的布局排列。更进一步来说，多个第一发光二极管芯片210中有4个位于最外圈(以标号210’来特别标示)，多个第二发光二极管芯片220中也有4个位于最外圈(以标号220’来特别标示)，不管是采用4个位于最外圈的第一发光二极管芯片210’或4个位于最外圈的第二发光二极管芯片220’来作为基点(如图4中所显示的黑点)，都能画出一个如图4以假想线所呈现的正圆轨迹T。最佳的设计状态是，采用4个位于最外圈的第一发光二极管芯片210’来作为基点所画出的正圆轨迹T与采用4个位于最外圈的第二发光二极管芯片220’来作为基点所画出的正圆轨迹T会大致重叠在一起或完全重叠在一起以形成单一个正圆轨迹T。
[0088]此外，不论第一芯片置放线路1100及第二芯片置放线路1200为“倾斜状设计”或“直立状设计”，多个第一芯片置放线路1100及多个第二芯片置放线路1200较佳为彼此平行的方式来布局。且多个第一发光二极管芯片210与多个第二发光二极管芯片220在形成同一排在置晶过程中不需要进行正负极转向，也就是说，每一个第一发光二极管芯片210的正极焊垫210P及每一个第二发光二极管芯片220的正极焊垫220P都会相对于基板I以朝向同一第一预定方向W1’的方式设置，且每一个第一发光二极管芯片210的负极焊垫210N及每一个第二发光二极管芯片220的负极焊垫220N都会相对于基板I以朝向同一第二预定方向W2’的方式设置。
[0089]再者，请参阅图5所示，第一芯片置放线路1100及第二芯片置放线路1200亦可从图4的“倾斜状设计”更换为“类似直立状设计”，此种类似直立状的设计亦可使得多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220可以呈现“近圆形(或类圆形)”的布局排列。也就是说，当设计为呈现“正圆形”的布局排列时，多个第一发光二极管芯片210及多个第二发光二极管芯片220的总数量为相同，两相邻的第一发光群组Gl及第二发光群组G2的发光二极管芯片(210，220)的数量会相差I颗。因此，当第一发光群组Gl的多个第一发光二极管芯片210的数量为N时，则第二发光群组G2的多个第二发光二极管芯片220的数量为N+1 ;当第一发光群组Gl的数量为N+1时，则第二发光群组G2的数量为N，所以第一发光群组Gl与第二发光群组G2的发光二极管芯片(210，220)的总数量都为N(N+1)。
[0090]值得注意的是，第一正电极焊垫Pl与第一负电极焊垫NI之间还可布局一连接于第一正电极焊垫Pl与第一负电极焊垫NI之间的线路，以作为分路迂徊(by pass)使用，在此分路迂徊的线路上可设置一防止静电击穿(static breakdown)的保护电路，例如一第一齐纳二极管Zl(zener d1de)。同理的设计，第二正电极焊垫P2与第二负电极焊垫N2之间还可布局一连接于第二正电极焊垫P2与第二负电极焊垫N2之间的线路，以作为分路迂徊(by pass)使用，在此分路迂徊的线路上可设置另一防止静电击穿(static breakdown)的保护电路，例如一第二齐纳二极管Z2。
[0091]此外，配合图1、图6及图7所示，基板I上表面具有一用于容置一电子零件3的容置槽13，容置槽13的内表面具有一吸光涂层14，且基板I的内部具有一设置在电子零件3及发光单元2之间的热阻结构。举例来说，基板I可为一具有高反射率的陶瓷基板，对于波长为410nm的第一发光二极管芯片210及波长为450nm的第二发光二极管芯片220而言，具有高反射率的陶瓷基板可分别提供给第一发光二极管芯片210及第二发光二极管芯片220大约为102%及100.9%的高反射率，借此以提升本发明的发光效能及白度。再者，电子零件3可为光学感测器，且吸光涂层14可为用来降低反光的黑色涂层，可提升光学感测器的感光效果。另外，热阻结构可为空气层1