内建稳压晶片的覆晶式led元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种与LED结构及制程相关的技术，尤指一种利用覆晶技术(Flip-Chip technology)制成,并且内建有稳压晶片保护的覆晶式LED元件。
【背景技术】
[0002]传统LED元件的制程，是利用一金属片先冲压成为具有许多组电极的支架后(SP支架冲压成型制程)，在支架上的每一组电极上先以射出成型方式制作出碗状基座(基座成型制程)，之后再将此具有碗状基座的支架上依序进行:固晶制程，打线(wire bonding)制程，以及封装制程，以形成一完整的LED元件。
[0003]而由于高功率LED元件(H1-Power LED Components)在使用时会产生静电放电(ESD)造成破坏,而各种半导体、二极管元件中，稳压二极管(Zener D1de)具有稳定电压的特性，因此常见业者在LED的相关电路设计上，并联一个稳压二极管来抗静电放电(ESD)，或串联一个稳压二极管来帮助稳定电压，避免LED元件被电流破坏。
[0004]配合上述稳压二极管的运用，遂有业者在传统LED元件制程中的固晶阶段里，除了 LED晶片以外，另外植入了稳压晶片(ZENER Chip)，之后再进行LED晶片以及稳压晶片的打线制程，使LED元件本身即具备抗静电以及稳定电压的保护，如此来延长LED元件的使用寿命，例如:US8，536，593B2、CN103000782A等专利案，即为类似技术。
[0005]此外，覆晶技术(Flip-Chip technology),也称“倒晶封装”或“倒晶封装法”，为另一种与LED元件制程相关的先进技术，主要是将覆晶式LED晶片(Flip-Chip LED)位于同一平面上的的正负极连接点分别长凸块(bumps)，然后将晶片翻转过来使二凸块与正负极电极接脚(基板)分别直接电连接(焊接)而得其名。
[0006]由于上述覆晶技术使晶片可以直接与正负极电极接脚电连接，具有导热及散热速度快的优点，因此非常适合使用在高功率LED元件上，再加上无需在覆晶式LED晶片上打线即可以完成电连接，因此可以大幅节省制造工时，对于元件体积的缩小也大有助益，俨然已成为相关制造业者竞相研究的目标，例如:US2012/0241801A1、CN203456494U等，即为与覆晶技术相关的【背景技术】。
[0007]上述两种现有技术:稳压晶片及覆晶技术的运用，固然能分别在其各自的技术领域上增进LED元件的实用性以及功效，然而根据本发明人多年从事相关产业的设计及制造经验来看，若能将这两种不同的技术整合在同一个LED元件上，如此将可以让LED元件不但具备有抗静电及稳压功能，在制程上也可以兼具有覆晶技术的优点。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种内建稳压晶片的覆晶式LED元件(Flip-Chip TypeLED Components)，其整体结构采用覆晶技术制成，并内建有稳压晶片，因此不但在使用上可以有效保护LED元件，在制造上还可以大幅简化制程并节省成本。
[0009]为达成上述目的，本发明提供一种内建稳压晶片的覆晶式LED元件，包括有两个左右排置的电极接脚、一覆晶式LED晶片、一覆晶式稳压晶片、一以绝缘材料制成的基座、以及一透明封装体，其中，两个该电极接脚的相对内侧端彼此之间具有间隙，两个该电极接脚的相对外侧端能够分别供外部电路电连接，其特征在于:
[0010]该覆晶式LED晶片底面两侧的正、负极分别与两个该电极接脚相对内侧端的正面电连接；该覆晶式稳压晶片顶面两侧P、N极分别与两个该电极接脚相对内侧端的背面电连接；该基座包覆于覆晶式稳压晶片以及两个电极接脚的背面外部，且该两个电极接脚的相对外侧端分别露出该基座外；该封装体包覆于覆晶式LED晶片以及两个电极接脚的正面外部；两个电极接脚的外侧端连接电源使覆晶式LED晶片发光并且让光线透出透明封装体，同时通过覆晶式稳压晶片的抗静电以及稳压作用来对覆晶式LED晶片起保护作用。
[0011]实施时，该覆晶式LED晶片底面两侧的正、负极与两个电极接脚相对内侧端的正面之间，以及覆晶式稳压晶片顶面两侧的P、N极与该两个电极接脚相对内侧端的背面之间，分别设有用于焊接及电连接的焊垫。
[0012]实施时，两个该电极接脚的内侧端正面排置于同一平面上，且两个内侧端的相对外侧分别向下弯折延伸后衔接外侧端，进而使两个外侧端底面分别显露于基座的底部。
[0013]实施时，该基座的绝缘材料填充于两个电极接脚的相对内侧端之间，并且在两个电极接脚内侧端的正面周围向上延伸有碗状台阶；该覆晶式LED晶片位于该碗状台阶内围，且该透明封装体填充于该碗状台阶内围，进而包覆覆晶式LED晶片以及两个电极接脚的正面外部。
[0014]相较于现有技术，本发明在二电极接脚的相对内侧端正面及反面分别设置覆晶式LED晶片及覆晶式稳压晶片，使整体LED元件得以全部采用覆晶技术制成，不但在制造时不需要打线而可以大幅简化制程并节省成本，还可以在使用上有效保护LED元件，并且让LED元件的厚度可以缩减，使LED元件在运用上可以符合各种电子产品轻薄化设计的趋势。
【附图说明】
[0015]图1是本发明第一实施例的结构示意图；
[0016]图2是本发明第二实施例的结构示意图。
[0017]附图标记说明:10_电极接脚；11-内侧端；12_外侧端；20_覆晶式LED晶片；21-正、负极；30_覆晶式稳压晶片；31-P、N极；40_基座；41_碗状台阶；50_封装体；60_焊垫。
【具体实施方式】
[0018]如图1所示,本发明内建稳压晶片的覆晶式LED元件,包括有二电极接脚10、一覆晶式LED晶片20、一覆晶式稳压晶片30、一绝缘材料制成的基座40，以及一透明封装体50，其中:
[0019]所述二电极接脚10呈左、右排置，该二电极接脚10的相对内侧端11彼此之间具有间隙而相互隔离，该二电极接脚10的相对外侧端12则可分别供外部电路电连接；图示中，所述二电极接脚10的内侧端11正面排置于同一平面上，且二内侧端11的相对外侧分别向下弯折延伸后衔接前述的外侧端12。
[0020]所述覆晶式LED晶片20在其底面的左右两侧为正、负极21，该正、负极21分别与前述二电极接脚10相对内侧端1