的真空接口装置截面积，从而使得第一离子源预设腔室中产生的质量校准物离子能更多地进入到后级的离子导引区域，减少了离子在真空接口装置中的传输损失，从而可以有效地提高了离子传输效率。这样利用低于大气压的第一离子源，可以在得到同等的离子信号强度情况下，相对于大气压下的离子源情况下使用较少量的质量校准物，从而减少质量校准物对于质谱仪真空接口装置的污染。质量校准物和分析物各自独立的离子源、预设腔室和真空接口装置设计避免了质量校准物和分析物离子化和传输过程中的相互干扰，减少了质量校准物给分析物检测带来的基质效应，消除了质量校准物对于分析物真空接口装置的污染问题，同时又可以完全实现内标法的质量校准。当然亦可第二离子源处于低于大气压环境，用于分析物的尚子化。从而可以提升分析物的尚子化效率与尚子传输效率，适合于痕量分析物或者离子化效率较低的分析物的检测。
[0101]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，包括: 用于质量校准物离子化的至少一第一离子源； 用于分析物离子化的至少一第二离子源； 用于每个离子源的独立真空接口装置；以及 至少一离子导引区域，所述离子导引区域用于导引所述质量校准物离子及分析物离子进入与所述离子导引区域连接的质量检测分析区域； 其中，所述第一离子源处于低于大气压的环境，所述第二离子源处于大气压环境；其中，所述第一离子源及第二离子源分别通过所述独立的真空接口装置将质量校准物和分析物引入离子导引区域。2.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述低于大气压的环境为内部气压低于大气压的预设腔室。3.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述预设腔室设有用于启动或停止所述质量校准物离子向所述离子导引区域运送的控制阀。4.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，包括:连通于所述预设腔室及离子导引区域的作为所述真空接口装置的离子导引器件。5.根据权利要求4所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述离子导引器件包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。6.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，连接有质量校准物样品解吸附装置，所述质量校准物样本解吸附装置包括:大气压环境下装载所述质量校准物的样本台，用于将所述质量校准物解吸附为气态离子、气态分子或气溶胶形式的解吸附源，以及将解吸附后的质量校准物送入所述预设腔室的导引装置；所述第一离子源设于所述预设腔室内，用于将所述送入的质量校准物处理成质量校准物离子。7.根据权利要求6所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述解吸附的方式包括:激光、电喷雾、电晕束、加热及声波中的一种或者组合。8.根据权利要求1或2所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述第一离子源包括多个纳升电喷雾装置。9.根据权利要求8所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述多个纳升电喷雾装置分分别对应于不同类型的质量校准物，所述各类型分别对应不同的质量范围。10.根据权利要求8所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述多个纳升电喷雾装置对应有至少一个真空接口装置，所述至少一个真空接口装置连通至同一所述离子导引区域。11.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述第一离子源与第二离子源各自连接的所述真空接口装置设置成:使各真空接口装置的出口处的中轴线间夹角为O?90度。12.根据权利要求2所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述第一离子源为至少两个，分别对应于不同类型的质量校准物，所述各类型分别对应不同的质量范围。13.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述离子导引区域为至少两个，所述第一离子源及第二离子源分别连接不同的离子导引区域。14.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述处于低于大气压环境下的第一离子源包括:电喷雾离子源、辉光放电离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源及光电离离子源中的一种或者组合；所述处于大气压环境下的第二离子源包括:电喷雾离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源、辉光放电离子源及光电离离子源中的一种或者组合。15.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述的离子导引区域中包括至少一个离子导引装置，所述离子导引装置包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。16.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述质量检测分析区域设有质量分析器；所述质量分析器包括:单四极杆质谱装置、多重四级杆质谱装置、飞行时间质谱装置、多重四极杆结合飞行时间质谱装置、傅里叶变换离子回旋共振及离子阱质谱装置中的一种或者组合。17.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述低于大气压环境的气压范围是0.0OOl?ITorr、I?50Torr、50?300Torr及300?700Torr。18.根据权利要求1所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述的第二离子源与液相色谱相连。19.一种质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，包括: 用于质量校准物离子化的至少一第一离子源； 用于分析物离子化的至少一第二离子源； 用于每个离子源的独立真空接口装置；以及 至少一离子导引区域，所述离子导引区域用于导引所述质量校准物离子及分析物离子进入与所述离子导引区域连接的质量检测分析区域； 其中，所述第二离子源处于低于大气压的环境，所述第一离子源处于大气压环境； 其中，所述第一离子源及第二离子源分别通过所述独立的真空接口装置将质量校准物和分析物引入离子导引区域。20.根据权利要求19所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述低于大气压的环境为内部气压低于大气压的预设腔室。21.根据权利要求20所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，包括:连通于所述预设腔室及离子导引区域的作为所述真空接口装置的离子导引器件。22.根据权利要求21所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述离子导引器件包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。23.根据权利要求19所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述离子导引区域包括至少一离子导引装置，所述离子导引装置包括:离子漏斗、多极杆离子导引装置、Q-阵列导引器及行波导引装置中的一种或者组合。24.根据权利要求19所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述第一离子源与第二离子源各自连接的所述真空接口装置设置成:使各真空接口装置的出口处的中轴线夹角为O?90度。25.根据权利要求19所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述低于大气压环境的气压范围是0.0OOl?ITorr、I?50Torr、50?300Torr及300?700Torr。26.根据权利要求19所述的质量校准物离子化与引入装置，其特征在于，所述处于低于大气压环境下的第二离子源包括:电喷雾离子源、辉光放电离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源及光电离离子源的一种或者组合；所述处于大气压环境下的第一离子源包括:电喷雾离子源、解吸附电晕束离子源、介质阻挡放电离子源、化学电离离子源、电晕放电离子源、激光解吸附离子源、辉光放电离子源及光电离离子源中的一种或者组合。
【专利摘要】本发明提供的一种用于质谱仪的质量校准物离子化与引入装置，包括：用于质量校准物离子化的至少一第一离子源；用于分析物离子化的至少一第二离子源;对应于每个离子源的独立真空接口装置；以及至少一离子导引区域，离子导引区域用于导引质量校准物离子及分析物离子进入与离子导引区域连接的质量检测分析区域；其中，第一离子源处于低于大气压的环境，第二离子源处于大气压环境。低压环境相比大气压环境更有效提升离子化效率与离子传输效率；保证质量校准物的质谱信号强度且减少其用量，以减少质量校准物对质谱后级的污染，质量校准物和分析物各自独立的离子源和真空接口装置也避免质量校准物对分析物的干扰及对分析物真空接口装置的污染。
【IPC分类】H01J49/06, H01J49/10
【公开号】CN105097412
【申请号】CN201410192978
【发明人】王睿, 张小强, 沈嘉祺, 金峤, 孙文剑
【申请人】岛津分析技术研发（上海）有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月8日
【公告号】WO2015169184A1