η-型有机材料。其中，所述η-型无机半导体材料可以选自ZnO、ZnS、ZnSe, T12, ZnTe,GaN、GaP, A1N、CdSe, CdS, CdTe, CdZnSe及它们的任何合金中的一种或多种。所述η-型有机材料可以选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嘆、菲罗啉、蒽、菲、芴、二芴、螺二芴、对苯乙炔、三嗪、三唑、咪唑、芘、茈、吩嗪、菲罗啉、反茚并芴、顺茚并、二苯并-茚并芴、茚并萘、苯并蒽及它们的衍生物中的一种或多种。
[0034]另外，还需说明的是，本发明的发光器件的制备过程中，量子点发光层可以通过旋涂工艺成膜，但不限于旋涂工艺，量子点发光层还可通过喷墨或刮涂等工艺成膜。除阳极、阴极外，其他功能层可以通过蒸镀或者旋涂、喷墨、刮涂等工艺成膜。
[0035]下面通过具体实施例对本发明进行详细说明。
[0036]实施例1
I)、ITO导电玻璃基片依次使用氯仿、丙酮和异丙醇清洗，然后对清洗后的ITO导电玻璃基片进行紫外臭氧等离子处理。
[0037]2)、空穴注入层:MoO3(1nm)在高真空中(IXlO6MPa)由热蒸发(MoO3粉末)而成。
[0038]3)、空穴传输层=CuInS2量子点的环己烷溶剂(lOmg/mL)旋涂在MoO 3上，并旋转涂布在大约2000rpm的转速下进行30秒。接下来，将20mM的1，8-辛二胺的甲醇溶液加热到60°C，然后将量子点膜浸在交联溶液中，并用纯甲醇溶液清洗5min。然后用异丙醇冲洗并在氮气流下干燥，然后将膜在氮气手套箱中180°C后，退火30min。
[0039]4)、电子注入层=T12 (40nm)，二氧化钛溶胶凝胶前驱体在丁醇中稀释至5wt %，并旋转涂布在大约2000rpm的转速下进行30秒，然后在100°C下退火30分钟。
[0040]5)阴极:Al(150nm)在高真空(I X 10 6 MPa)中热蒸发而成。
[0041]6)封装:器件在氮气手套箱中用一种紫外线硬化树脂封装。
[0042]实施例2
I)、ITO导电玻璃基片依次使用氯仿、丙酮和异丙醇清洗，然后对清洗后的ITO导电玻璃基片进行紫外臭氧等离子处理。
[0043]2)、空穴注入层/空穴传输层:用于空穴注入层的PED0T:PSS的水溶液旋涂于ITO上，旋转涂布在大约4000rpm的转速下进行60秒，然后在140°C下烘烤10分钟。
[0044]用于空穴传输层旋转涂布的Poly-Tro在氯苯中溶解稀释至8mg/mL，旋转涂布在大约2000rpm的转速下进行45秒，然后在110°C下烘烤火20分钟。
[0045]3)、量子点发光层:将3_(甲基丙烯酰氧基)丙基三甲氧基硅烷在CdTe/CdS量子点表面进行水解，制备得到末端带有甲基丙烯酰基的S12壳层稳定的CdTe/CdS/S1jS壳量子点，将其配置在环己烷溶剂(10mg/mL)中，并加入0.4被％光引发剂2-羟基-2-甲基-1-苯基-1丙酮，再将其喷墨打印在Poly-Tro空穴传输层上。接下来，在紫外光照射下进行交联反应5min。
[0046]4)、电子传输层:ZnO (40nm)，二氧化锌溶胶凝胶前驱体在乙醇中稀释至50 mg/mL。旋转涂布在大约2000rpm的转速下进行50秒，然后在60°C下退火5分钟。
[0047]5)、阴极:Al (150nm)在高真空(IXlO6 MPa)中热蒸发而成。
[0048]6)封装:器件在氮气手套箱中用一种紫外线硬化树脂封装。
[0049]综上上述，本发明通过在量子点发光层上加入另外一种起交联作用的化合物溶液，实现量子点表面配体交换，从而进行交联；或是对量子点发光层溶液本身进行紫外或者热固化交联，得到量子点发光层。通过量子点的交联处理，使得制得的量子点排布均匀致密，并且没有针孔，裂缝等缺陷，不会存在漏电流，从而有效解决了量子点发光二极管效率下降或者是其他相邻电荷传输层发光，造成光谱不纯等问题。且能提高辐射复合发光效率，进而提尚量子点发光一■极管效率。
[0050]应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，包括步骤: A、旋涂空穴注入层于阳极层上，然后旋涂空穴传输层于空穴注入层上； B、随后旋涂致密排布的量子点发光层于空穴传输层上，其中，具体步骤为:将量子点配置成量子点溶液，然后将量子点溶液旋涂在空穴传输层上，再对量子点溶液进行交联处理，得到致密排布的量子点发光层； C、最后旋涂电子传输层于致密排布的量子点发光层上，接着旋涂电子注入层于电子传输层上，并蒸镀阴极层于电子注入层上，得到量子点发光二极管。2.根据权利要求1所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，在旋涂完量子点溶液，制作好量子点发光层后，将量子点发光层浸于配置好的温度为30~100°C的交联溶液中l~10min，然后将量子点发光层取出并进行清洗干燥后，得到致密排布的量子点发光层。3.根据权利要求1所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，将量子点配置成量子点溶液，并在量子点溶液中加入自由基引发剂，然后将含有自由基引发剂的量子点溶液旋涂在空穴传输层上，旋涂后再对量子点溶液进行紫外或热固化交联，得到致密排布的量子点发光层。4.根据权利要求1所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，将量子点预先通过含有(甲基)丙烯酰基硅烷处理，制备得到末端带有(甲基)丙烯酰基基团的3102壳的核壳结构的量子点/ S12复合物，然后将量子点/ S12复合物配置成量子点/ S12复合物溶液，并在量子点/ S12复合物溶液中加入自由基引发剂，然后将含有自由基引发剂的量子点/ S12复合物溶液旋涂在空穴传输层上，再对量子点/S12复合物溶液进行紫外或热固化交联，得到致密排布的量子点发光层。5.根据权利要求2所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，所述交联溶液由含有双官能团或多官能团的可用于交联的配体溶于小分子有机溶剂中配置而成。6.根据权利要求5所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，双官能团或多官能团的配体为末端带有-NH2、-C00H、-SO3H, -OH或-SH的基团的配体。7.根据权利要求3或4所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，当进行热固化交联时，所述自由基引发剂为自由基热引发剂，所述自由基热引发剂为偶氮、过氧化物、过硫酸盐、氧化还原引发剂中的一种或多种。8.根据权利要求3或4所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，当进行紫外交联时，所述自由基引发剂为自由基光引发剂，所述自由基光引发剂为2-羟基-2-甲基-1-苯基-1丙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2，2- 二甲氧基-苯基甲酮、苯基双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2-苯基苄-2-二甲基胺-1-(4-吗啉苄苯基)丁酮、2，4- 二甲基硫杂蒽酮或2，4- 二乙基硫杂蒽酮中的一种或多种。9.根据权利要求1所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，配置量子点溶液的溶剂为有机溶剂，所述有机溶剂为非极性溶剂或非极性溶剂与极性溶剂的混合物。10.一种量子点发光层排布致密的发光器件，其特征在于，采用如权利要求1~9任一所述的量子点发光层排布致密的发光器件的制备方法制备而成。
【专利摘要】本发明公开一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法。本发明通过在量子点发光层上加入另外一种起交联作用的化合物溶液，实现量子点表面配体交换，从而进行交联；或是通过对量子点发光层溶液本身进行紫外或者热固化交联，得到量子点发光层。通过上述量子点的交联处理，使得制得的量子点排布均匀致密，并且没有针孔，裂缝等缺陷，不会存在漏电流，从而有效解决了量子点发光二极管效率下降或者是其他相邻电荷传输层发光，造成光谱不纯等问题。且能提高辐射复合发光效率，进而提高量子点发光二极管效率。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/00, H01L51/50
【公开号】CN105098075
【申请号】CN201510410826
【发明人】李雪, 付东
【申请人】Tcl集团股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月14日