第一氧化物沟道层17。
[0047]其中，通过进行等离子表面处理后的所述氧化物导体层14用于形成所述薄膜晶体管的源极15和漏极16之间导通或者断开的通道。所述等离子表面处理是采用氩气与氧气混合体，目的是将位于源极15与漏极16之间的未覆盖源极15与漏极16的氧化物导体层14部分进行补氧修复，形成含氧量较高的氧化物半导体，即所述的第一氧化物沟道层17。本实施例中，所述第一氧化物沟道层17用于源极15和漏极16之间导通或者断开的通道。所述第一氧化物沟道层17两侧分别与所述源极15及漏极16接触的氧化物导体层14部分相当于欧姆接触层的作用，源极15和漏极16可分别通过位于其下的氧化物导体层14与第一氧化物沟道层17形成一良好的欧姆接触(ohmic contact)，具有低阻止，实现源极15通过第一氧化物沟道层17到漏极16良好的通电性能。
[0048]本实施例中，第二金属层的材料一般是金属材料。但，本发明不限于此，在其他实施例中，第二金属层的材料也可以使用其他导电材料，如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导材料的堆叠层。
[0049]请参阅图8，步骤S7，在所述基板10及所述图案化的第二金属层(源极15和漏极16)上形成的绝缘保护层19，对所述绝缘保护层19进行图案化。所述栅极绝缘层13与所述绝缘保护层19采用氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)与氮氧化硅(SiNxOy)中的一种制成。到此步骤，本实施例中的薄膜晶体管制造方法完成。
[0050]进一步的，所述栅极绝缘层13与所述绝缘保护层19采用氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)与氮氧化娃(SiNxOy)中的一种制成。
[0051]本发明的薄膜晶体管的制造方法在栅极绝缘层13上形成含氧量少的氧化物导体层14与源极15和漏极16接触，保证源极15和漏极16与氧化物导体层14良好电性接触，在通过等离子表面处理方式将未被覆盖的氧化物导体层14位于所述源极15和漏极16之间的部分形成含氧量高的氧化物沟道层，即氧化物半导体层，实现晶体管的良好的导电性會K。
[0052]针对上述薄膜晶体管制造方法，本发明还涉及一种薄膜晶体管，其包括一栅极，一栅绝缘层，覆盖所述栅极；一氧化物层，覆盖于所述栅绝缘层上且位于所述栅极正上方，所述氧化物层包括一氧化物沟道层以及位于所述氧化物沟道层相对两侧的化物导体层；以及一源极与一漏极，位于所述栅绝缘层与所述氧化物沟道层相对两侧的化物导体层上，且所述源极与所述漏极彼此电性绝缘。
[0053]请参阅图9，本发明的另一实施例中，与上述方法不同的在于，在步骤S3与步骤S4之间，所述薄膜晶体管的制造方法还包括在步骤S3A，所述栅极绝缘层13上形成正投影于所述栅极12的第二氧化物沟道层18的步骤；其中，所述第二氧化物沟道层18位于栅极12与所述氧化物导体层14之间，并且第二氧化物沟道层18正投影于氧化物导体层14。所述源极15及漏极16分别与所述第一氧化物沟道层17两侧的氧化物导体层14部分接触，所述所述第一氧化物沟道层17与第二氧化物沟道层18共同构成所述晶体管的沟道。
[0054]其中，所述第二氧化物沟道层18的材料为含氧量为4% -50%之间的氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)或氧化锌锡(ZnSnO)。本实施例中，优选的所述第二氧化物沟道层170的材料为含氧量为5% -200%之间的氧化铟镓锌(IGZO)制成。
[0055]请参阅图10，针对本实施方式的薄膜晶体管的制造方法本发明还提供一种薄膜晶体管，其包括一栅极，一栅绝缘层，覆盖所述栅极；一第二氧化物沟道层，覆盖于所述栅绝缘层上且位于所述栅极正上方；一氧化物层，覆盖于所述栅绝缘层上且位于所述栅极正上方，所述氧化物层包括一第一氧化物沟道层以及位于所述第一氧化物沟道层相对两侧的化物导体层；以及一源极与一漏极，位于所述栅绝缘层与所述第一氧化物沟道层相对两侧的氧化物导体层上，且所述源极与所述漏极彼此电性绝缘。
[0056]本发明还包括以上两个方式的薄膜晶体管的显示装置，通过本发明实施例薄膜晶体管的制造方法形成的显示装置，可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、OLED面板、OLED电视、电子纸、数码相框、手机等。
[0057]以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成第一金属层，通过构图工艺使第一金属层形成包括栅极的图案； 在上述基板及第一金属层上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖所述基板的表面及所述栅极； 在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物导体层；其中，所述氧化物导体层采用物理气相沉积方式形成； 在形成栅极绝缘层的基板上形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成所述薄膜晶体管的源极及漏极，其中，所述源极和漏极均覆盖部分所述氧化物导体层； 对未覆盖源极与漏极且位于源极与漏极之间的氧化物导体层进行等离子表面处理，使所述未覆盖源极与漏极的氧化物导体层形成第一氧化物沟道层； 在所述基板及所述图案化的第二金属层上形成的绝缘保护层，对所述绝缘保护层进行图案化。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述等离子表面处理采用氩气与氧气混合体。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述氧化物导体层的材料为含氧量在O至20%之间的氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)或氧化锌锡(ZnSnO)。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在步骤“在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物导体层”之前，所述薄膜晶体管的制造方法还包括在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的第二氧化物沟道层的步骤；其中，所述第二氧化物沟道层位于栅极与所述氧化物导体层之间，并且第二氧化物沟道层正投影于氧化物导体层。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二氧化物沟道层的材料为含氧量为4% -50%之间的氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(InZnO)或氧化锌锡(ZnSnO)。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述的薄膜晶体管的制造方法还包括在所述基板及所述图案化的第二金属层上形成的绝缘保护层，对所述绝缘保护层进行图案化的步骤。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述绝缘保护层采用氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)与氮氧化硅(SiNxOy)中的一种制成。8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括: 一栅极； 一栅绝缘层，覆盖所述栅极； 一氧化物层，覆盖于所述栅绝缘层上且位于所述栅极正上方，所述氧化物层包括一氧化物沟道层以及位于所述氧化物沟道层相对两侧的氧化物导体层；以及 一源极与一漏极，位于所述栅绝缘层与所述氧化物沟道层相对两侧的化物导体层上，且所述源极与所述漏极彼此电性绝缘。9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括: 一栅极； 一栅绝缘层，覆盖所述栅极； 一第二氧化物沟道层，覆盖于所述栅绝缘层上且位于所述栅极正上方； 一氧化物层，覆盖于所述第二氧化物沟道层正上方，所述氧化物层包括一第一氧化物沟道层以及位于所述第一氧化物沟道层相对两侧的氧化物导体层；以及 一源极与一漏极，位于所述栅绝缘层与所述第一氧化物沟道层相对两侧的氧化物导体层上，且所述源极与所述漏极彼此电性绝缘。10.一种显示装置，其包括权利要求8或权利要求9所述的薄膜晶体管。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括在所述基板上形成第一金属层，通过构图工艺使第一金属层形成包括栅极的图案；在上述基板及第一金属层上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖所述基板的表面及所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物导体层；在形成栅极绝缘层的基板上形成第二金属层，图案化所述第二金属层，形成所述薄膜晶体管的源极及漏极，其中，所述源极和漏极均覆盖部分所述氧化物导体层；对未覆盖源极与漏极且位于源极与漏极之间的氧化物导体层进行等离子表面处理，使所述未覆盖源极与漏极的氧化物导体层形成第一氧化物沟道层；在所述基板及所述图案化的第二金属层上形成的绝缘保护层，对所述绝缘保护层进行图案化。
【IPC分类】H01L29/267, H01L21/34, H01L29/786, H01L29/227
【公开号】CN105140271
【申请号】CN201510420701
【发明人】李文辉
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年7月16日