也就是说，在器件几何形状为通常的矩形的情况下覆盖所有四个侧面。也就是说，包覆体除了下侧优选完全地包覆器件，使得器件在一定程度上被保护免受环境影响，例如免受湿气影响。
[0045]在一个优选的改进方案中，将转换材料嵌入到覆盖器件的上侧的包覆体中，也就是说，包覆体由包含转换材料的基体材料设置，或者转换材料本身是包覆体。在这两种情况下，转换材料用于至少部分地将由器件发出的光转换为波长更长的光。由被封装的器件发出的光能够是由器件和转换材料发出的光的叠加，这也称为“部分转换”;另一方面，在所谓的“全转换”的情况下，在转换材料下游也能够仅存在由转换材料发射的、波长更长的光。转换材料也称为“发光物质”。
[0046]包覆体例如能够以印刷法或者通过刮刀、通过喷涂或者饶注或滴涂施加或者离心涂镀。此外，所述器件例如也能够浸入或者压入到包覆体中。
[0047]尤其优选的是，包覆体要么以浇注法、尤其以压注法施加或者作为薄膜设置并且例如深冲或层压。在此，进一步优选将基体材料、例如在浇注的情况下是硅树脂设置作为包覆体，如之前所描述的那样，尤其优选将转换材料嵌入到所述基体材料中。在优选的设计方案中，包覆体通常一件式地构成。
[0048]本发明也涉及一种用于制造以之前所描述的方式封装的器件的方法，其中包覆体被施加到器件上，使得器件的下侧与连接元件保持空出。通常，器件为此例如也能够首先完全地由包覆体的材料包覆并且紧接着露出器件的下侧；然而，优选的是，器件的下侧在施加包覆体材料时就已经不通过该包覆体材料覆盖并且与之相应地紧接着不必被露出。
[0049]在另一方法步骤中，制造第一接触元件，也就是说，将接触元件金属化到连接元件上，所述另一方法步骤通常也能够在施加包覆体之前进行，然而优选在其后执行。在优选的设计方案中设置的多个接触元件尤其优选同时被金属化。
[0050]金属化例如能够在池中无电流地和/或电镀地进行；此外，接触元件也能够通过溅射、蒸镀、喷涂或火焰喷射施加或者还有熔化。
[0051 ] 所述制造尤其优选并行地进行，其中多个器件设置在共同的载体上。优选地，该载体是分割载体，组件在通过例如锯割晶片进行分割时/后总归设置在所述分割载体上，例如围绕所谓的锯割薄膜设置。
[0052]在从现有技术中已知的用于封装的方法中，器件单个地从这样的分割载体取出并且分别安置(Pick and place抓放)在自身的铜引线框上；与之相反，在根据本发明的制造中，能够有利地弃用该耗费时间的方法步骤并且能够并行地封装设置在分割载体上的组件。也就是说，因此例如也可同时封装数百个器件，这能够提高产量。
[0053]包覆体例如能够在一个共同的方法步骤中施加到所有设置在共同的载体上的器件上，例如通过之前所描述的深冲设置作为包覆体的薄膜的方式。然而包覆体也能够被浇注，其中通过成型工具能够给器件例如分别分配自身的腔；所述腔能够依次或者并行地被填充。
[0054]然而，也能够设置如下成型工具，所述成型工具首先将各个器件的包覆体作为连续体露出，使得仅在例如通过锯割、激光、冲制或者水射流切割进行分割之后才存在通过分部段地分开连续的包覆体而被分割的器件。优选地，接触元件在此不延伸直至如下部段中，沿着所述部段进行分开(这些部段例如能够称为锯割框)，也就是说，在分割时仅须分开包覆体。
[0055]为了简化分割，包覆体例如也能够经由连接片、所谓的材料桥连接在一起，使得在分割时必须分开少量的材料(恰好仅是材料桥)并且在一定程度上已经预设理论断裂点。
[0056]本发明也涉及一种这样的照明设备系统，其中相邻的照明设备经由一件式地与包覆体构成的材料桥连接。因此，例如也可在安装各个组件之前减少其损耗的危险。
[0057]关于所述制造，尤其优选在施加包覆体之后，接触元件优选在一个共同的方法步骤中、即同时金属化到多个器件的连接元件上。在此，器件例如能够经由一个共同的载体共同地保持，所述载体通常不对应于在施加包覆体时设置的载体(也就是说，所述器件例如能够从锯割薄膜传输到另一薄膜上)。然而，所述器件例如也能够在没有这样的载体的情况下由(仍连续的)包覆体共同地保持。
[0058]本发明也涉及之前所描述的照明设备的用于在宏观层面上面状地连接、尤其接合连接(例如焊接或者粘接)的应用，也就是说，经由接触元件的背离器件的接触面与例如载体板/电路板连接。尤其优选地，将被封装的器件用作为SMD组件，所述组件进一步优选被焊接。
【附图说明】
[0059]在下文中根据实施例详细阐述本发明，其中以其它的组合的各个特征也能够是对于本发明重要的并且应以该形式公开。
[0060]详细示出:
[0061]图1示出具有反射层的根据本发明的封装的器件；
[0062]图2示出具有非反射性的绝缘层的根据本发明的封装的器件；
[0063]图3示出通过深冲的薄膜封装的器件；
[0064]图4示出根据本发明的封装的器件的斜视图。
【具体实施方式】
[0065]图1示出LED 2作为根据本发明的器件I (照明设备)的第一实例，所述LED由浇注的包覆体3包封。附图示出尚在分割在其它方面已完成封装的组件I之前的状态；这些组件仍经由一件式地与包覆体3构成的材料桥4连接在一起。
[0066]显然，非强制性地设置这样的材料桥4，；一件式地施加地包覆体在没有材料桥4的情况下也能够被分割，更确切地说，通过沿着(因此连续的)区域进行分割，在图1和2中在所述区域中设有材料桥4。
[0067]在剖视图中，此外可观察到关于高度方向5设置在LED 2的下侧上的连接元件6 (LED金属化部)，在当前情况下，每个LED 2有一个阳极接触部和阴极接触部。如果常规的壳体中将与LED金属化部6相反的侧设作为下侧并且安装在载体上，那么LED 2在图1中倒置地安装；与之相对应的位于上方的LED金属化部经由接合线通常与引线框连接。
[0068]当前，LED金属化部6朝向下，并且接触元件7金属化到LED金属化部6上，更确切地说，通过首先溅射种子层的方式金属化；随后将可光刻曝光的材料施加到这些接触元件上，并且以光刻的方式结构化用于接触元件7的区域(种子层局部地露出)。在铜层在池中电化学地沉积在其上之后，去除可以光刻的方式结构化的材料从而也去除可以光刻的方式结构化的材料下方的种子层。
[0069]接触元件7的背离LED 2的下表面设计为可焊接的接触面8 ;设置作为SMD组件的照明设备I经由接触面8大面积地与电路板连接。接触元件7分别侧向地被向外引导远离LED 2，使得展开布线。
[0070]硅树脂成型体设置作为包覆体3，转换材料(发光物质颗粒)被嵌入到所述硅树脂成型体中。
[0071]所述器件具有200 μ m的高度(例如根据所需要的转换材料的量，也更高的器件也是可行的);光产生在LED金属化部6附近、即其上方几微米处进行。
[0072]在其之间构成pn结的外延层当前因此设置在蓝宝石衬底“上”(在附图中位于蓝宝石衬底下方)；蓝宝石衬底具有大约100 μπι的高度并且延伸直至LED 2的上侧9。在根据本发明的封装的LED 2中，该上侧设置作为光出射面9。
[0073]为了也能够使向下发出的光可用，进而提高组件I的效率，在LED 2和包覆体3的下侧上设有反射层10。对于反射层10而言，设有电绝缘的基体材料、当前为硅树脂，二氧化钛颗粒被嵌入到所述基体材料中，以便设定反射特性。此外，反射层10同时也用于绝缘并且能够帮助避免电短路的产生。
[0074]反射/绝缘层完全地覆盖包覆体3的下侧以及LED 2的下侧的没有LED金属化部6的区域。此外，反射/绝缘层10也分别遮盖LED金属化部6的边缘区域；沿着侧向方向11的重叠为1ym0
[0075]图2示出另一个根据本发明的实施方式，其中如在根据图1的那种情况中一样，LED 2被嵌入到由硅树脂材料设置的包覆体3中。再次示出在分割组件I之前的状态，这些组件仍经由材料桥4连接在一起。
[0076]然而，与根据图1的实施方式相反，在根据图2的情况中，在LED 2下侧上不设有反射层；替代于此，LED 2本身为了光输出已经布设在上侧上，该上侧又形成光出射面9。也就是说，在根据图2的实施方式的LED 2中，光出射面9本身已经设置在与(LED金属化部的)连接元件6相反的侧上，这也称为倒装芯片工艺。就此而言，在壳体侧，向上反