，W确定％气泡面积变化（A%气泡面积）。如上所述，气泡面积变化> 5%是显著的，且 表明脱气。因为原始％气泡面积的可变性，将％气泡面积变化选定为测量标准。目P，因为薄 片材和载体制备之后且在它们结合之前的加工和洁净度，在第一扫描中，大多数的表面改 性层的气泡面积为约2%。但是，不同材料之间可不同。在该第二脱气测试方法中，再次使 用相对于第一脱气测试方法所描述的相同材料#1-6。在运些材料中，材料#1-4在第一次 扫描中呈现约2%的气泡面积，而材料#5和#6显示显著更大的气泡面积即第一次扫描中 的约4%。 阳141] 将参考图9和10描述第二种脱气测试的结果。用于材料#1-3的脱气测试结果见 图9,而用于材料#4-6的脱气测试结果见图10。 阳142] 材料#1的结果在图9中用正方形数据点表示。由图可知，对于300°C，450°C，和 600°C的测试-极限溫度，％气泡面积变化接近零。因此，材料#1在运些溫度下没有显示 脱气。
[0143]材料#2的结果在图9中用菱形数据点表示。由图可知，对于450°C，和600°C的 测试-极限溫度，％气泡面积变化小于1。因此，材料#2在运些溫度下没有显示脱气。
[0144] 用于材料#3的结果在图9中用S角形数据点表示。由图可知，类似于材料#1的 结果，对于300°C，450°C，和600°C的测试-极限溫度，％气泡面积变化接近零。因此，材 料#1在运些溫度下没有显示脱气。
[0145] 材料#4的结果在图10中用圆形数据点表示。由图可知，对于300°C的测试-极限 溫度，％气泡面积变化接近零，但在450°C和600°C的测试-极限溫度下，有些样品的％气 泡面积变化接近1%，W及在450°C和600°C的测试极限溫度下，由相同材料形成的其它样 品的％气泡面积变化是约5%。用于材料#4的结果非常不一致，并取决于其中制备用于与 HMDS材料结合的薄片材和载体表面的方式。其中样品性能的方式取决于其中制备样品的方 式，与上文针对表2所详述的该材料的实施例和相关的讨论一致。应注意，对于该材料，对 于450°C和600°C的测试-极限溫度，样品的％气泡面积变化接近1%,根据如上所述的分 离测试，运不允许从载体分离薄片材。目P，薄片材和载体之间的强力粘附可具有有限的气泡 形成。另一方面，％气泡面积变化接近5%的样品的确允许从载体分离薄片材。因此，没有 脱气的样品的不利结果是在溫度处理之后增加粘附，运把载体和薄片材粘滞在一起（阻止 从载体分离薄片材），而允许去除薄片材和载体的样品的不利结果是脱气。 阳146] 用于材料#5的结果在图10中用S角形数据点表示。由图可知，对于300°C的测 试-极限溫度，％气泡面积变化为约15%，且对于450°C和600°C的测试-极限溫度，远远 高于约15%。因此，材料#5在运些溫度下显示显著的脱气。 阳147] 材料#6的结果在图10中用正方形数据点表示。由图可知，对于300°C的测试-极 限溫度，％气泡面积变化大于2. 5%，且对于450°C和600°C的测试-极限溫度，大于5%。因此，在450°C和600°C的测试-极限溫度下，材料#6显示显著的脱气。
[0148] 结论 阳149] 应当强调，本发明上述实施方式、特别是任意"优选的"实施方式，仅仅是可能实现 的实施例，仅用来清楚理解本发明的各种原理。在不基本上偏离本发明的的精神和各种原 理的前体下，可对如上所述的本发明的实施方式进行许多变化和修改。所有运些变化和修 改旨在包括在该说明书、本发明和所附权利要求保护的范围内。
[0150] 例如，虽然显示和讨论了许多实施方式的表面改性层30在载体10上形成，但该 表面改性层30可替代地或附加地在薄片材20上形成。目P，在实施例4和3中所详述的材 料可施涂到载体10,施涂到薄片材20,或同时施涂到载体10和薄片材20的待结合在一起 的表面上。 阳151] 此外，虽然有些表面改性层30描述为控制结合强度从而使得甚至在400°C，或 600°C溫度下加工制品2后，可W将薄片材20从载体10去除，当然能在比测试制品所通过 的具体溫度更低的溫度下加工制品2且仍然能实现在不损坏薄片材20或载体10的情况下 将薄片材20从载体10去除的相同能力。
[0152] 此外，虽然本文使用载体和薄片材描述了受控的结合的概念，但在一些情况下， 它们适用于较厚的玻璃，陶瓷，或玻璃陶瓷片材之间的受控的结合，其中可需要相互拆分 片材（或部分的片材）。
[0153] 又此外，虽然本文将受控的结合概念描述成可用于玻璃载体和玻璃薄片材，但载 体可由其它材料例如陶瓷，玻璃陶瓷，或金属制成。受控的结合到载体的片材可由其它材 料材料例如陶瓷或玻璃陶瓷制成。
[0154] 如上所述的根据本发明的不同概念，可按照任意和全部的不同的组合方式进行相 互组合。例如，不同概念可根据下述方面进行组合。
[0155] 根据第一方面，提供一种制备电子装置的方法，所述方法包含：
[0156] 获得具有载体结合表面的载体； 阳157] 获得具有片材结合表面的片材；
[0158] 将表面改性层设置在所述载体结合表面和所述片材结合表面中的一种之上；
[0159] 使用在所述载体结合表面与所述片材结合表面之间的所述表面改性层来使所述 载体结合表面与所述片材结合表面结合来形成制品，从而结合所述片材和所述载体的表 面能具有满足W下条件的特征，使所述制品经历溫度循环之后，如果所述载体和所述片材 中的一种固定且另一种被施加重力，所述载体和所述片材不相互分离，在所述溫度循环中 不存在来自所述表面改性层的脱气，W及可W在不将所述载体和所述片材中更薄的一种 破碎成两块或更多块的情况下，将所述片材与所述载体分离，所述溫度循环包括在腔室中 进行W下加热，W9. 2°C/分钟的速率从室溫加热到600°C，在600°C的溫度下保持10分 钟，然后WTC/分钟的速率冷却到30(TC，并随后从所述腔室移出所述制品并使所述制品 冷却到室溫；
[0160] 把电子装置组件设置到所述片材上。 阳161] 根据第二方面，提供一种制备电子装置的方法，所述方法包含：
[0162] 获得一种玻璃制品，所述玻璃制品包含：
[0163] 具有载体结合表面的载体；
[0164] 具有片材结合表面的片材；
[0165] 设置在所述载体结合表面和所述片材结合表面中一种上的表面改性层，
[0166] 使用在所述载体结合表面与所述片材结合表面之间的所述表面改性层来使所述 载体结合表面与所述片材结合表面结合，其中结合所述片材和所述载体的表面能具有满 足W下条件的特征，使所述制品经历溫度循环之后，如果所述载体和所述片材中一种固定 且另一种被施加重力，所述载体和所述片材不相互分离，在所述溫度循环中不存在来自所 述表面改性层的脱气，W及可W在不将所述载体和所述片材中更薄的一种破碎成两块或 更多块的情况下，将所述片材与所述载体分离，所述溫度循环包括在腔室中进行W下加热， W9. 2°C/分钟的速率从室溫加热到600°C，在600°C的溫度下保持10分钟，然后WrC/ 分钟的速率冷却到30(TC，并随后从所述腔室移出所述制品并使所述制品冷却到室溫；
[0167] 把电子装置组件设置到所述片材上。
[0168] 根据第=方面，提供如方面1或方面2所述的方法，其中所述电子装置组件包括 有机发光材料。
[0169] 根据第四方面，提供如方面1-3任一项所述的方法，其中加工电子装置包括在 > 400°C的溫度下加工。
[0170] 根据第五方面，提供如方面1-3任一项所述的方法，其中加工所述电子装置的操 作包括在> 600°C的溫度下加工。 阳171] 根据第六方面，提供如方面1-5任一项所述的方法，还包括将所述载体和所述片 材切割成两个分离的部分。 阳172] 根据第屯方面，提供如方面6所述的方法，其中所述分离的部分的至少一种包括 仍然结合到载体部分的片材部分。
[0173] 根据第八方面，提供如方面6或方面7所述的方法，还包括使用额外的电子装置 组件进一步加工所述分离的部分中的至少一种。
[0174] 根据第九方面，提供如方面1-8任一项所述的方法，还包括从所述载体取下至少 一部分的所述片材，其中所述至少一部分的所述片材包括位于其上的电子装置组件。
[01巧]根据第十方面，提供如方面1-9中任一项所述的方法，其中所述载体包含玻璃。
[0176] 根据第十一方面，提供如方面1-10中任一项所述的方法，其中在没有任何表面 改性层时，所述载体的平均表面粗糖度Ra《2nm。
[0177] 根据第十二方面，提供如方面1-11中任一项所述的方法，其中所述载体的厚度 是200微米-3mm。
[0178] 根据第十S方面，提供如方面1-12中任一项所述的方法，其中所述片材包含玻 璃。
[0179] 根据第十四方面，提供如方面1-13中任一项所述的方法，其中在没有任何表面 改性层时，所述片材的平均表面粗糖度Ra《2nm。
[0180]根据第十五方面，提供如方面1-14任一项所述的方法，其中所述片材的厚度 《300微米。 阳181] 根据第十六方面，提供如方面1-15中任一项所述的方法，其中所述表面改性层 的厚度是0. 1-lOOnm。
[0182] 根据第十屯方面，提供如方面1-15中任一项所述的方法，其中所述表面改性层 的厚度是0. 1-10皿。
[0183] 根据第十八方面，提供如方面1-15中任一项所述的方法，其中所述表面改性层 的厚度是0. 1-2皿。
[0184] 根据第十九方面，提供方面1-18中任一项所述的方法，其中所述载体和所述片 材的尺寸分别是IOOmmxlOOmm或更大。
[01化]根据第二十方面，提供如方面1-19任一项所述的方法，其中所述表面改性层包 括下述中的一种：
[0186] a)等离子体聚合的含氣聚合物；和
[0187] b)芳香族硅烷。
[0188] 根据第二十一方面，提供如方面20所述的方法，其中当所述表面改性层包含等 离子体聚合的含氣聚合物时，所述表面改性层是下述的一种：等离子体聚合的聚四氣乙 締；和从具有《40%C4F8的CF4-C4F8混合物沉积的等离子体聚合的含氣聚合物表面改性 层。
[0189] 根据第二十二方面，提供如方面20所述的方法，其中当所述表面改性层包含芳 香族硅烷时，所述表面改性层是下述的一种：苯基=乙氧基硅烷；二苯基二乙氧基硅烷； 和4-五氣苯基=乙氧基硅烷。
[0190] 根据第二十=方面，提供如方面20所述的方法，其中当所述表面改性层包含芳 香族硅烷时，所述表面改性层包含氯苯基，或氣苯基，甲娃烷基。
【主权项】
1. 一种制备电子装置的方法，所述方法包括： 获得具有载体结合表面的载体； 获得具有片材结合表面的片材； 将表面改性层设置在所述载体结合表面和所述片材结合表面中的一种上； 使用在所述载体结合表面与所述片材结合表面之间的所述表面改性层来使所述载体 结合表面与所述片材结合表面结合来形成制品，从而使得结合所述片材和所述载体的表 面能具有满足以下要求的特征，使所述制品经历温度循环之后，如果所述载体和所述片材 中一种固定且另一种被施加重力，所述载体和所述片材不相互分离，在所述温度循环中不 存在来自所述表面改性层的脱气，以及能够在不将所述载体和所述片材中更薄的一种破 碎成两块或更多块的情况下，将所述片材与所述载体分离，所述温度循环包括在腔室中进 行以下加热，在以9. 2°C /分钟的速率从室温加热到600°C，在600°C的温度下保持10分 钟，然后以rc /分钟的速率冷却到300°C，并随后从所述腔室移出所述制品并使所述制品 冷却到室温； 把电子装置组件设置到所述片材上。2. -种制备电子装置的方法，所述方法包括： 获得一种玻璃制品，所述玻璃制品包含： 具有载体结合表面的载体； 具有片材结合表面的片材； 设置在所述载体结合表面和所述片材结合表面中一种之上的表面改性层， 使用设置在所述载体结合表面与所述片材结合表面之间的所述表面改性层来使所述 载体结合表面与所述片材结合表面结合，其中结合所述片材和所述载体的表面能具有以 下特征，使所述制品经历温度循环之后，如果所述载体和所述片材中一种固定且另一种被 施加重力，所述载体和所述片材不相互分离，在所述温度循环中不存在来自所述表面改性 层的脱气，以及能够在不将所述载体和所述片材中更薄的一种破碎成两块或更多块的情 况下，将所述片材与所述载体分离，所述温度循环包括在腔室中进行以下加热，以9. 2°C / 分钟的速率从室温加热到600°C，在600°C的温度下保持10分钟，然后以1°C /分钟的速率 冷却到300°C，并随后从所述腔室移出所述制品并使所述制品冷却到室温； 把电子装置组件设置到所述片材上。3. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电子装置组件包括有机发 光材料。4. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，加工所述电子装置包括在 彡400°C的温度下加工。5. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括将所述载体和所述片材 切割成两个分尚的部分。6. 如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述分离部分中的至少一种包括仍然结合 到载体部分的片材部分。7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括使用额外的电子装置组件进一步加 工所述分离部分中的至少一种。8. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括从所述载体去除至少一 部分的所述片材，其中所述至少一部分的所述片材包括位于其上的电子装置组件。9. 如权利要求1或2所述的方法，其中，所述载体包括玻璃。10. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，在没有任何表面改性层时，所 述载体的平均表面粗糙度Ra < 2nm。11. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述载体的厚度是200微 米-3mm〇12. 如权利要求1或2所述的方法，其中，所述片材包括玻璃。13. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，在没有任何表面改性层时，所 述片材的平均表面粗糙度Ra彡2nm。14. 如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述片材的厚度< 300微米。15. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面改性层的厚度是 0.1-100nm〇16. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述载体和所述片材各自的 尺寸分别是lOCtamxlOOmm或更大。17. 如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述表面改性层包括下述的 一种： c) 等离子体聚合的含氟聚合物；和 d) 芳香族硅烷。18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，当所述表面改性层包含等离子体聚合的 含氟聚合物时，所述表面改性层是下述的一种：等离子体聚合的聚四氟乙烯；和从具有 < 40% C4F8的CF4-C4F8混合物沉积的等离子体聚合的含氟聚合物表面改性层。19. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，当所述表面改性层包含芳香族硅烷时，所 述表面改性层是下述的一种：苯基三乙氧基硅烷；二苯基二乙氧基硅烷；和4-五氟苯基三 乙氧基硅烷。20. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，当所述表面改性层包含芳香族硅烷时，所 述表面改性层包含氯苯基，或氟苯基，甲硅烷基。
【专利摘要】用于在结合到载体(10)的薄片材(20)上制备电子设备的方法。可在片材(20)和/或载体(10)上提供表面改性层(30)和相关的热处理，从而同时控制在电子装置加工中薄片材和载体之间的室温范德华力(和/或氢键)结合和高温共价结合。控制室温结合，从而在电子装置加工中在真空加工,湿加工,和/或超声清洁加工时，足以将薄片材和载体固定在一起。且同时,控制高温共价结合，从而在电子装置加工中阻止高温加工时薄片材和载体之间的永久结合,以及保持足够的结合来阻止在高温加工时发生脱层。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/56
【公开号】CN105144420
【申请号】CN201380072910
【发明人】R·A·贝尔曼, D·C·布克班德, R·G·曼利, P·马宗达
【申请人】康宁股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2013年12月9日
【公告号】EP2932540A1, US20140166199, WO2014093193A1