过孔电极510,填充于过料孔30中；正面 电极530,设置于衬底10的正面，且正面电极530与过孔电极510连接；背面电极520,设置 于衬底10的背面，且背面电极520与过孔电极510连接。
[0050] 上述MffT太阳能电池中由于背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由 于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了 额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了 MffT太阳能电池的制备时间，降低了生产成 本。
[0051] 本申请中MffT太阳能电池的种类可以根据实际需求进行设定，MffT太阳能电池可 以为N型MffT太阳能电池，其中，衬底10为N型硅，正面发射极130为P型掺杂区，背场区 110为N型重掺杂区；或者MffT太阳能电池可以为P型MffT太阳能电池，其中，衬底10为P 型硅，正面发射极130为N型掺杂区，背场区110为P型重掺杂区。
[0052] 优选地，本申请中MffT太阳能电池为双面发电电池，即电池正面、背面都采用主 栅、细栅设计，使得电池背面也能吸收光线，提高光线利用率。
[0053] 下面将结合实施例进一步说明本申请提供的MffT太阳能电池的制备方法。
[0054] 实施例1
[0055] 本实施例提供一种MffT太阳能电池的制备方法：
[0056] 首先，衬底选用N型硅片，并在硅片制备表面绒面机构；然后，经高温扩散硼元素 形成P型掺杂区作为正面发射极；将硅片背面的硼硅玻璃去除、并将硅片四周侧面的发射 极刻断，防止漏电；通过对硅片背面即将激光打孔部位一定区域利用掩模板进行遮挡，随后 进行离子注入工艺，形成N型重掺杂区作为背场区，其中，掩模板为4X4共16个圆形遮挡片 的设计，所述掩膜如图2所示，每个圆形遮挡片的直径为5mm ;通过激光加工形成与上述圆 形遮挡片一一对应的过料孔，过料孔的直径为〇. 3mm，其圆心与圆形遮挡片圆心重合；随后 经对硅片进行表面清理，然后利用PECVD工艺形成钝化层；最终印刷在过料孔中、硅片正面 以及硅片背面印刷金属浆料，经烧结制得正面电极、背面电极以及连接正面电极和背面电 极的过孔电极，印刷金属浆料时，硅片离子注入面朝上，形成的背面电极为圆形，且直径为 3. 5mm〇
[0057] 对比例1
[0058] 首先，衬底选用N型硅片，并在硅片制备表面绒面机构；然后，经高温扩散硼元素 形成P型掺杂区作为正面发射极；将硅片背面的硼硅玻璃去除、并将硅片四周侧面的发射 极刻断，防止漏电；随后进行离子注入工艺，形成N型重掺杂区作为背场区；通过激光加工 形成过料孔，过料孔的直径为〇. 3mm ;随后采用激光消融方式将过料孔周围一定范围内的 背场区去除掉，以在过料孔周围形成直径为5_的圆形的非背场区；经对硅片进行表面清 理，然后利用PECVD工艺形成钝化层；最终印刷在过料孔中、硅片正面以及硅片背面印刷金 属浆料，经烧结制得正面电极、背面电极以及连接正面电极和背面电极的过孔电极，印刷金 属浆料时，硅片离子注入面朝上，形成的背面电极为圆形，且直径为3. 5mm。
[0059] 对上述实施例1和对比例1中的MffT太阳能电池反向漏电性能进行了测试，采用[0060]
[0061] 从上表可以看出，与对比例1提供的MffT太阳能电池相比，实施例1中MffT太阳能 电池的反向漏电有了大幅度的降低。
[0062] 从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
[0063] DMffT太阳能电池中的背场区不接触背面电极，进而不仅使过孔电极不会由于背 场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电；
[0064] 2)省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了 MffT太阳能电池的制备时 间，降低了生产成本；
[0065] 3)通过激光打孔工艺的优化，使得MffT太阳能电池的过料孔的横截面趋近于一个 喇叭口形状，使金属浆料能够良好地填充于过料孔内，从而有利于过料孔中金属浆料的印 刷，从而提高了 MffT太阳能电池的电性能。
[0066] 以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种MffT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在所述衬底的背面上形成背场 层，所述背场层包括背场区及非掺杂区，所述非掺杂区对应于所述遮挡结构所在位置； 在所述非掺杂区处形成贯穿所述衬底的过料孔，并使所述过料孔在所述非掺杂区的范 围内； 在所述过料孔中形成过孔电极，在所述衬底的背面形成与所述过孔电极连接的背面电 极，在所述衬底的正面形成与所述过孔电极连接的正面电极，并使所述背面电极在所述非 掺杂区的范围内。2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述遮挡结构包括多个圆形遮挡片。3. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过料孔的圆心与对应的所述圆 形遮挡片的圆心重合。4. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过料孔与所述圆形遮挡片的直 径比为1:2~100。5. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述背面电极的形状为圆形，且所述 背面电极的直径小于所述圆形遮挡片的直径。6. 根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述背面电极与所述圆形遮挡片的 直径比为1~19:20。7. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的背面上形成所述背场 层的步骤中，利用离子注入工艺在所述衬底的背面形成所述背场层。8. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述掩膜板设置于所述衬底的 背面的上方的步骤之前，所述制备方法还包括： 在所述衬底的正面制绒，并在所述衬底的正面形成正面发射极。9. 根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，利用扩散工艺在所述衬底的正面形 成所述正面发射极。10. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述过料孔中形成所述过孔电极 的步骤之前，所述制备方法还包括： 在具有所述过料孔的所述衬底的正面和反面形成钝化层。11. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述过料孔中形成所述过孔电极 的步骤中，向所述过料孔中印刷第一金属浆料，对所述衬底的正面以及所述衬底的背面印 刷第二金属浆料，并对所述第一金属浆料和所述第二金属浆料进行烧结，以将所述第一金 属浆料形成所述过孔电极，将所述第二金属浆料形成所述正面电极和所述背面电极。12. 根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于， 所述MffT太阳能电池为N型MffT太阳能电池，其中，所述衬底为N型娃，所述正面发射 极为P型掺杂区，所述背场区为N型重掺杂区；或者 所述MffT太阳能电池为P型MffT太阳能电池，其中，所述衬底为P型娃，所述正面发射 极为N型掺杂区，所述背场区为P型重掺杂区。13. -种MffT太阳能电池，其特征在于，包括： 衬底； 背场层，形成于所述衬底的背面，所述背场层包括背场区及非掺杂区； 过料孔，贯穿于所述衬底，且所述过料孔在所述非掺杂区的范围内； 过孔电极，填充于所述过料孔中； 正面电极，设置于所述衬底的正面，且所述正面电极与过孔电极连接； 背面电极，设置于所述衬底的背面，且所述背面电极与过孔电极连接。
【专利摘要】本发明提供了一种MWT太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将具有遮挡结构的掩膜板设置于衬底的背面的上方，并在衬底的背面上形成背场层，背场层包括背场区及非掺杂区，非掺杂区对应于遮挡结构所在位置；在非掺杂区处形成贯穿衬底的过料孔，并使过料孔在非掺杂区的范围内；在过料孔中形成过孔电极，在衬底的背面形成与过孔电极连接的背面电极，在衬底的正面形成与过孔电极连接的正面电极，并使背面电极在非掺杂区的范围内。上述方法不仅使过孔电极不会由于背场区与背面电极接触而在接触部分形成欧姆接触，降低了电池反向漏电，而且省去了额外去除过料孔周围的背场区的工艺，节省了MWT太阳能电池的制备时间，降低了生产成本。
【IPC分类】H01L31/0224, H01L31/068, H01L31/18
【公开号】CN105161569
【申请号】CN201510508027
【发明人】王子谦, 翟金叶, 陈迎乐, 刘大伟, 王建明, 史金超
【申请人】英利能源（中国）有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月18日