氧树脂。所述封装层14在后续工艺中用于固定所述半导体芯片13。
[0042]如图1及图5所示，然后进行步骤3) S13，提供第二载体15，所述第二载体15表面具有第二粘合层16，将所述封装层14粘合于所述第二粘合层16。
[0043]所述第二载体15可以为所述第二粘合层16及后续的封装层14提供刚性的结构或基体，例如，所述第二载体15可以选用为具有适当形状的玻璃、透明的半导体材料(如硅片等)、及透明的聚合物中的一种。在本实施例中，所述第二载体15选用为玻璃。
[0044]所述第二粘合层16最好选用具有光洁表面的粘合材料制成，其必须与所述封装层14具有一定的结合力，另外，其与第二载体15可以具有较强的结合力，一般来说，其与第二载体15的结合力需要大于与所述封装层14的结合力，所述第二粘合层16在后续的工艺中用于所述封装层14与第二载体15之间的分离层。所述第二粘合层为双面均具有粘性的胶带、或者通过旋涂工艺制作的粘合胶。作为示例，所述第二粘合层16为UV粘合胶，通过旋涂工艺形成于所述第二载体15表面。
[0045]如图1及图6所示，接着进行步骤4) S14，分离所述第一粘合层12及各半导体芯片13，以去除所述第一载体11及第一粘合层12。
[0046]—般来说，所述第一粘合层与各半导体芯片的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。在本实施例中，采用曝光方法使所述第一粘合层12(UV粘合胶)降低黏性，以实现其与各半导体芯片的分离，以最终去除所述第一载体11及第一粘合层12，另夕卜，由于所述封装层由不透光的聚合物复合材料制成，因此，在对所述第一粘合层12进行曝光时，不会对所述第二粘合层产生影响，以保持所述第二粘合层的黏性。
[0047]如图1及图7?图8所示，接着进行步骤5) S15，于各半导体芯片13正面形成介质层17，并基于所述介质层17对各半导体芯片13制作重新布线层18。
[0048]作为示例，具体包括以下步骤:
[0049]步骤5-1)，采用淀积工艺于各半导体芯片13正面形成介质层17。所述介质层17包括二氧化硅及氮化硅中的一种。在本实施例中，所述介质层17为二氧化硅，其可以通过如气相沉积等方法制作于所述半导体芯片13上。当然，其他的介质层17也同样适用，并不限于此处所列举的示例。
[0050]步骤5-2)，采用光刻工艺及刻蚀工艺于所述介质层17中形成与半导体芯片13电性引出所对应的通孔。
[0051]步骤5-3)，于各通孔中填充金属导体，形成连接通孔。
[0052]作为示例，所述金属导体包括Cu、Al等金属材料，可以通过如沉积、电镀等工艺填充于所述通孔中，形成连接通孔。在本实施例中，所述金属导体为Cu。
[0053]步骤5-4)，于所述介质层17表面形成于所述连接通孔对应连接的重新布线层18。
[0054]在本实施例中，步骤5-4)具体包括以下步骤:
[0055]步骤5_4a)，于所述介质层17表面制作光刻胶图形。
[0056]步骤5_4b)，基于所述光刻胶图形于所述介质层17表面沉积或溅射种子层。在本实施例中，所述种子层为Ti/Cu层。
[0057]步骤5_4c)，基于所述种子层电镀金属导体形成金属连线。
[0058]步骤5-4d)，去除所述光刻胶图形，以形成重新布线层18。
[0059]如图1及图9所示，然后进行步骤6) S16，于所述重新布线层18上进行植球回流工艺，形成微凸点19;
[0060]如图1及图10?图11所示，最后进行步骤7) S17，分离所述第二粘合层16及封装层14，以去除所述第二载体15及第二粘合层16。
[0061]一般来说，所述第二粘合层与所述封装层的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。在本实施例中，采用曝光方法使所述第二粘合层16(UV粘合胶)降低黏性，以实现其与所述封装层14的分离，以最终去除所述第二载体15及第二粘合层16。
[0062]如上所述，本发明提供一种晶圆级芯片封装方法，所述晶圆级芯片封装方法包括步骤:1)提供第一载体11，所述第一载体11表面具有第一粘合层12，将半导体芯片13正面朝下地粘附于所述第一粘合层12表面；2)采用注塑工艺对各半导体芯片13进行封装，形成封装层14 ;3)提供第二载体15，所述第二载体15表面具有第二粘合层16，将所述封装层14粘合于所述第二粘合层16 ;4)分离所述第一粘合层12及各半导体芯片13，以去除所述第一载体11及第一粘合层12 ；5)于各半导体芯片13正面形成介质层17，并基于所述介质层17对各半导体芯片13制作重新布线层18 ;6)于所述重新布线层18上进行植球回流工艺，形成微凸点19 ;7)分离所述第二粘合层16及封装层14，以去除所述第二载体15及第二粘合层16。本发明通过将塑封好的半导体芯片13固定于载体上，以加强塑封材料的稳定性，避免塑封材料在后续的重新布线工艺及植球工艺过程中会出现变形的问题。采用本发明的封装方法，塑封材料的变形情况可以得到良好的控制，大大提高了产品的良率，并且能节省产品的成本。本发明步骤简单，可以大大提高产品的成品率，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0063]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述晶圆级芯片封装方法包括步骤: 1)提供第一载体，所述第一载体表面具有第一粘合层，将半导体芯片正面朝下地粘附于所述第一粘合层表面； 2)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装，形成封装层； 3)提供第二载体，所述第二载体表面具有第二粘合层，将所述封装层粘合于所述第二粘合层； 4)分离所述第一粘合层及各半导体芯片，以去除所述第一载体及第一粘合层； 5)于各半导体芯片正面形成介质层，并基于所述介质层对各半导体芯片制作重新布线层； 6)于所述重新布线层上进行植球回流工艺，形成微凸点； 7)分离所述第二粘合层及封装层，以去除所述第二载体及第二粘合层。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述半导体芯片为扇出型半导体芯片。3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述第一载体包括玻璃、-半导体材料、金属及刚性的聚合物。4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述第一粘合层为双面均具有粘性的胶带、或者通过旋涂工艺制作的粘合胶，所述第一粘合层与各半导体芯片的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述第二载体包括玻璃、半导体、金属及刚性的聚合物中的一种。6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述第二粘合层为双面均具有粘性的胶带、或者通过旋涂工艺制作的粘合胶，所述第二粘合层与所述封装层的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:步骤2)的注塑工艺采用的封装材料为聚合物复合材料。8.根据权利要求7所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:所述聚合物复合材料包括带填料的环氧树脂及带填料的环氧丙烯酸酯树脂中的一种。9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:步骤5)包括以下步骤: 5-1)采用淀积工艺于各半导体芯片正面形成介质层； 5-2)采用光刻工艺及刻蚀工艺于所述介质层中形成与半导体芯片电性引出所对应的通孔； 5-3)于各通孔中填充金属导体，形成连接通孔； 5-4)于所述介质层表面形成于所述连接通孔对应连接的重新布线层。10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于:步骤5-4)包括以下步骤: 5-4a)于所述介质层表面制作光刻胶图形； 5-4b)基于所述光刻胶图形于所述介质层表面沉积或溅射种子层； 5-4c)基于所述种子层电镀金属导体形成金属连线； 5-4d)去除所述光刻胶图形，以形成重新布线层。
【专利摘要】本发明提供一种晶圆级芯片封装方法，包括：1）提供第一载体及第一粘合层，将半导体芯片粘附于第一粘合层；2）采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装，形成封装层；3）提供第二载体及第二粘合层，将所述封装层粘合于所述第二粘合层；4）去除所述第一载体及第一粘合层；5）于各半导体芯片正面形成介质层，并基于所述介质层对各半导体芯片制作重新布线层；6）于所述重新布线层上进行植球回流工艺，形成微凸点；7）去除所述第二载体及第二粘合层。本发明通过将塑封好的半导体芯片固定于载体上，以加强塑封材料的稳定性，避免塑封材料在后续的重新布线工艺及植球工艺过程中会出现变形的问题，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
【IPC分类】H01L21/56, H01L21/50
【公开号】CN105185717
【申请号】CN201510492479
【发明人】林正忠, 仇月东
【申请人】中芯长电半导体（江阴）有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月12日