制作阵列基板的方法、阵列基板以及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及制作阵列基板的方法、阵列基板以及液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]TFT-1XD是一种低碳绿色环保型显示器，其主要由液晶显示面板和背光源构成。其中，液晶显示面板包括:驱动芯片、偏光片、阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板与彩膜基板间的液晶。TFT-1XD的核心技术在于阵列基板的生产工艺，而阵列基板的生产工艺则包括薄膜工艺、曝光工艺、刻蚀工艺和剥离工艺等工艺过程。其中薄膜工艺分为金属溅射和无机非金属材料的PECVD工艺，并针对这两种薄膜工艺，蚀刻工艺分别为酸液湿法刻蚀和化学气象干法刻蚀。然而，传统的SiNx*缘层薄膜在进行过孔刻蚀后会产生像素电极与漏极金属之间接触阻抗过大的问题。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是为了解决现有的阵列基板中像素电极与漏极金属之间接触阻抗过大的问题。为解决上述问题，本发明的一个实施例首先提供了一种制造阵列基板的方法，所述方法包括:
[0004]在基板上形成栅极绝缘层；
[0005]在所述栅极绝缘层上形成漏极走线；
[0006]在所述栅极绝缘层和漏极走线上形成绝缘保护层；
[0007]对所述绝缘保护层进行刻蚀，以将对应于所述漏极走线位置处的绝缘保护层刻蚀掉，从而在所述绝缘保护层中对应于所述漏极走线位置处形成像素过孔；
[0008]利用预设还原物质对所述像素过孔中裸露出的漏极走线进行还原处理；
[0009]在所述绝缘保护层上形成像素电极层，并使得所述像素电极层通过所述像素过孔与所述漏极走线电连接。
[0010]根据本发明的一个实施例，对所述绝缘保护层进行刻蚀的步骤包括:
[0011]在所述绝缘保护层上涂覆光阻层；
[0012]利用设有预设图案的光罩对所述光阻层进行曝光显影，以将对应于所述漏极走线位置处的光阻层去除；
[0013]对所述绝缘保护层进行刻蚀，将未被所述光阻层覆盖的绝缘保护层刻蚀掉，从而形成所述像素过孔；
[0014]将所述光阻层剥离。
[0015]根据本发明的一个实施例，对所述绝缘保护层进行干刻，以将未被所述光阻层覆盖的绝缘保护层刻蚀掉。
[0016]根据本发明的一个实施例，在对所述绝缘层进行干刻时所使用的刻蚀气体包括SiF6、HjP N2。
[0017]根据本发明的一个实施例，所述预设还原物质为H2。
[0018]根据本发明的一个实施例，在形成所述漏极走线前，先在所述栅极绝缘层上形成阻挡层，随后在所述阻挡层上形成所述漏极走线。
[0019]本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板是采用如上任一项所述的方法制造而成的。
[0020]根据本发明的一个实施例，所述阵列基板包括:
[0021]基板；
[0022]栅极绝缘层，其形成在所述基板上；
[0023]漏极走线，其形成在所述栅极绝缘层上；
[0024]绝缘保护层，其形成在所述栅极绝缘层和漏极走线上，其中，在所述绝缘保护层中对应于所述漏极走线的位置处形成有像素过孔；
[0025]像素电极层，其形成在所述绝缘保护层上，所述像素电极层通过所述像素过孔与所述漏极走线电连接。
[0026]根据本发明的一个实施例，所述阵列基板还包括:
[0027]阻挡层，其形成在所述栅极绝缘层与漏极走线之间，用于阻挡构成所述漏极走线的材质向所述栅极绝缘层扩散。
[0028]本发明还提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上所述任一项所述的阵列基板。
[0029]从上述描述中可以看出，利用本实施例所提提供的阵列基板制造方法得到的阵列基板在形成像素过孔后还增加了对漏极走线进行还原处理的过程，该处理过程能够将在像素过孔形成阶段因漏极走线与刻蚀气体发生反应而生成的高阻抗物质还原为构成漏极走线的物质，从而有效减小了阵列基板中像素电极层与TFT开关的漏极走线之间的接触阻抗。
[0030]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0031]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0032]图1是现有的阵列基板的结构示意图；
[0033]图2是现有的阵列基板中像素过孔结构的剖视图；
[0034]图3是根据本发明一个实施例的阵列基板中像素过孔结构的剖视图。
[0035]图4是根据本发明一个实施例的制造阵列基板的流程图；
[0036]图5是根据本发明一个实施例的对绝缘保护层进行刻蚀的流程图。
【具体实施方式】
[0037]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0038]同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本发明实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本发明可以不用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。
[0039]图1示出了现有的TFT-1XD的阵列基板的结构示意图。
[0040]如图1所示，现有的阵列基板包括:TFT开关101、像素电极102、公共电极走线103以及彼此交错的数据线104和栅极走线105。其中，像素电极102与公共电极走线103共同形成了存储电容106。TFT开关101的源极与数据线104连接，栅极与栅极走线105连接，像素电极102通过像素过孔107与TFT开关101的漏极连接。
[0041]图2示出了现有的阵列基板中像素过孔107的剖面结构示意图。
[0042]如图2所示，在现有的阵列基板的像素过孔结构中，栅极绝缘层202形成在基板201上，漏极走线203形成在栅极绝缘层202上，绝缘保护层204覆盖在栅极绝缘层202和漏极走线203上。绝缘保护层204中形成有像素过孔205，并且像素过孔205形成在漏极走线203的正上方。这样，像素电极层206便可以通过像素过孔205与漏极走线203实现电连接。此外，在现有的阵列基板的像素过孔结构中，在栅极绝缘层202与漏极走线203之间还设置有以钼为材质阻挡层208。
[0043]传统的阵列基板中，绝缘保护层204的材料为氮化硅，而对绝缘保护层204进行刻蚀所采用的刻蚀气体则为SiF6/He/02。为了改善像素过孔205的尖角，刻蚀气体中的02又可以替换为N2。然而，通过分析发现，由于N2在高温等离子环境下会与构成漏极走线203的Cu反应生成CuNx,即生成图2中所示的处于漏极走线203与像素电极层206之间的高阻抗层207。而CuNx的阻抗明显比Cu要大，这也正是造成现有的阵列基板中像素电极层206与漏极走线203之间接触阻抗过大的主要原因。
[0044]基于上述分析，本实施例提供了一种新的阵列基板，该阵列基板与现有的阵列基板的不同之处主要在于其像素过孔处的结构，图3示出了该基板中像素过孔结构的剖视图。
[0045]如图3所示，本实施例所提供的阵列基板中像素过孔结构包括:基板201、栅极绝缘层202、漏极走线203、绝缘保护层204和像素电极层206。其中，该像素过孔结构中，栅极绝缘层202形成在基板201上。本实施例中，基板201优选地采用玻璃基板。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，基板201还可以采用其他合理的材料(例如树脂等)来实现，本发明不限于此。
[0046]漏极走线203形成在栅极绝缘层202上，绝缘保护层204形成在栅极绝缘层202和漏极走线203上并覆盖栅极绝缘层202和漏极走线203。绝缘保护层204中形成有像素过孔205，像素过孔205形成在漏极走线203的正上方。这样，漏极走线203的部分区域便通过像素过孔205裸露出来。因此，形成在绝缘保护层204上的像素电极层206便可以通过像素过孔205与漏极走线203实现电连接。由于TFT开关的源极与数据线连接，因此当TFT开关闭合时，数据线传输来的信号便可以通过TFT开关、漏极走线203以及像素过孔205传导至像素电极层206，从而对像素电极层206施加相应的电压。
[0047]对比图2和图3可以看出，本实施例所提供的阵列基板中像素过孔结构不再含有高阻抗层207，这样也就有效解决了现有的阵列基板中像素电极与TFT开关的漏极走线间接触阻抗过大的问题。
[0048]通过上述分析可知，现有的阵列基板中像素电极层206与TFT开关的漏极走线203间接触阻抗过大是由于在形成像素过孔205的过程中铜质漏极走线203与刻蚀气体中的N2发生反应产生高阻抗的CuNx而导致的。因此，为了减小像素电极层206与TFT开关的漏极走线203间的接触阻抗，本实施例便设法减少像素过孔205形成过程中高阻抗层的形成。
[0049]具体地，本实施例中，在刻蚀得到像素过孔205后，还利用预设还原物质料对在刻蚀形成像素过孔205的过程中所生成的高阻抗物质进行还原处理，以将该高阻抗物质还原为构成漏极走线203的物质，这样也就有效减小了像素电极层206与TFT开关的漏极走线203间的接触阻抗。
[0050]由于本实施例所提供的阵列基板中漏极走线203为铜质走线，而形成像素过孔205时所使用的刻蚀气体包括SiF6、比和N 2，因此形成的高阻抗物质为Cu与N2反应生成的CuNx。为了将CuNx还原为Cu，