液晶显示面板、阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技术是平板显示器领域中的又一新技术，继非晶硅(a-Si)之后的下一代技术。低温多晶硅型的显示面板具有电子迀移率更快、薄膜电路面积更小、分辨率更高、功耗更低、稳定性更高等优点。
[0003]低温多晶硅型显示面板即是指薄膜晶体管TFT的有源层采用低温多晶硅制成的显示面板。低温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺温度通常低于600°C，可适用于普通的玻璃衬底，通常采用准分子激光退火方式激光晶化的方式，利用一定能量的准分子激光对非晶硅进行激光辐射使非晶硅晶化成为多晶硅。
[0004]对于低温多晶硅薄膜晶体管而言，漏电是影响薄膜晶体管性能以及显示面板的显示效果的重要因素，若薄膜晶体管发生漏电，容易产生对比度降低、产生闪烁和串扰等问题。因此，如何有效减小低温多晶硅薄膜晶体管的漏电成为亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，能够有效减少薄膜晶体管的漏电。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板的制造方法，包括:利用第一光罩在基板上形成低温多晶硅有源层；利用第三光罩在所述低温多晶硅有源层上形成层间介电层，所形成的所述层间介电层上形成有两个导通孔，以暴露两部分低温多晶硅有源层；对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理，以分别形成所述低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区；至少在所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层；利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层，并使所述源极层和漏极层分别通过所述层间介电层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区相连，其中形成有所述可控电阻间隔层的掺杂区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连；其中，利用第一光罩在所述基板上形成低温多晶硅有源层之前或之后再利用第二光罩形成栅极层，所述可控电阻间隔层在所述栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在所述栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用。
[0007]其中，所述至少在所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层的步骤包括:在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上分别形成可控电阻间隔层，并且利用所述第四光罩在所述层间介电层上形成分别与源极层和漏极层对应的两个可控电阻间隔层；所述利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层的步骤包括:利用所述第四光罩在所述层间介电层上的两个可控电阻间隔层上分别形成源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层分别通过源极掺杂区和漏极掺杂区上的可控电阻间隔层与所述源极掺杂区和漏极掺杂区相连。
[0008]其中，所述可控电阻间隔层为非晶硅层；所述对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理的步骤包括:对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子注入，注入的离子的浓度大于或等于第一预定值，注入的离子为硼离子、磷离子或砷离子。
[0009]其中，所述可控电阻间隔层为非晶硅层；所述对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子掺杂处理的步骤包括:对暴露的所述两部分低温多晶硅有源层进行离子注入，注入的离子的浓度小于第一预定值，注入的离子为硼离子、磷离子或砷离子；所述在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上均分别形成可控电阻间隔层的步骤之后，包括:对在所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区上的可控电阻间隔层进行离子注入，注入的离子的浓度大于或等于第二预定值。
[0010]其中，在所述利用第一光罩在基板上形成低温多晶硅有源层的步骤之前，包括:在所述基板上形成缓冲层；所述利用第一光罩在基板上形成低温多晶硅有源层的步骤包括:利用所述第一光罩在所述缓冲层上形成低温多晶硅有源层；在利用所述第一光罩在所述缓冲层上形成低温多晶硅有源层的步骤之后，包括:在所述低温多晶硅有源层上形成栅极绝缘层；利用所述第二光罩在所述栅极绝缘层上形成所述栅极层；所述利用第三光罩在所述低温多晶硅有源层上形成层间介电层，并暴露两部分低温多晶硅有源层的步骤包括:利用所述第三光罩在所述栅极层上形成层间介电层，所形成的所述层间介电层上形成有两个导通孔；除去所述栅极绝缘层中分别对应所述层间介电层的两个导通孔的部分，以暴露两部分低温多晶硅有源层；在所述利用第四光罩在所述层间介电层上形成源极层和漏极层，并使所述源极层和漏极层分别通过所述层间介电层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和漏极掺杂区相连的步骤之后，包括:利用第五光罩在所述源极层和漏极层上形成第一绝缘层，并暴露部分所述漏极层；利用第六光罩在所述第一绝缘层上形成第一透明电极层，所述第一透明电极层不覆盖暴露的所述漏极层，且与暴露的所述漏极层也不相连；利用第七光罩在所述第一透明电极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层不覆盖暴露的所述漏极层，且与暴露的所述漏极层也不相连；利用第八光罩在所述第二绝缘层上形成第二透明电极层，并使所述第二透明电极层与暴露的所述漏极层相连。
[0011]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板，包括形成于基板上的低温多晶硅有源层、栅极层、层间介电层、源极层以及漏极层，所述层间介电层位于所述低温多晶硅有源层上，所述源极层和所述漏极层位于所述层间介电层上，所述栅极层位于所述低温多晶硅有源层之下或位于所述低温多晶硅有源层和所述层间介电层之间；所述层间介质层上设置有两个导通孔，所述低温多晶硅有源层包括源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极层和所述漏极层分别通过所述层间介质层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和漏极掺杂区相连，且至少在所述源极层和所述源极掺杂区之间或所述漏极层和所述漏极掺杂区之间设置有可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在所述栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在所述栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用。
[0012]其中，所述源极层和所述源极掺杂区之间、所述漏极层和所述漏极掺杂区之间、所述源极层和所述层间介电层之间、所述漏极层和所述层间介电层之间分别设置有所述可控电阻间隔层。
[0013]其中，所述可控电阻间隔层为非晶硅层，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区所掺杂的离子的浓度大于或等于第一预定值，所述离子为硼离子、磷离子或砷离子。
[0014]其中，所述可控电阻间隔层为非晶硅层，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区所掺杂的离子的浓度小于第一预定值，所掺杂的所述离子为硼离子、磷离子或砷离子；所述源极层和所述源极掺杂区之间的可控电阻间隔层中靠近所述源极层的一侧掺杂有浓度大于或等于第二预定值的离子，所述漏极层和所述漏极掺杂区之间的可控电阻间隔层中靠近所述漏极层的一侧掺杂有浓度大于或等于第二预定值的离子，所述浓度大于或等于第二预定值的离子为硼离子、磷离子或砷离子。
[0015]为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是:提供一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括形成于基板上的低温多晶硅有源层、栅极层、层间介电层、源极层以及漏极层，所述层间介电层位于所述低温多晶硅有源层上，所述源极层和所述漏极层位于所述层间介电层上，所述栅极层位于所述低温多晶硅有源层之下或位于所述低温多晶硅有源层和所述层间介电层之间；所述层间介质层上设置有两个导通孔，所述低温多晶硅有源层包括源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极层和所述漏极层分别通过所述层间介质层上的两个导通孔与所述源极掺杂区和漏极掺杂区相连，且至少在所述源极层和所述源极掺杂区之间或所述漏极层和所述漏极掺杂区之间设置有可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在所述栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在所述栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本发明阵列基板的制造方法中，通过至少在低温多晶硅层的源极掺杂区或所述漏极掺杂区上形成可控电阻间隔层，使形成有可控电阻间隔层的掺杂区通过可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连，而可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流起隔断作用，由此可以有效的阻挡低温多晶硅有源层的载流子，从而能够减少薄膜器件的漏电。
【附图说明】
[0017]图1是本发明阵列基板的制造方法一实施方式的流程图；
[0018]图2是本发明阵列基板的制造方法一实施方式的结构示意图；
[0019]图3是本发明阵列基板的制造方法另一实施方式的结构示意图；
[0020]图4是本发明阵列基板的制造方法一实施方式中，在利用第三光罩在层间介电层上的两个可控电阻间隔层上分别形成源极层和漏极层，并使源极层和漏极层分别与源极掺杂区和漏极掺杂区相连的步骤之后的流程图；
[0021]图5是本发明阵列基板的制造方法一实施方式中，在利用第三光罩在层间介电层上的两个可控电阻间隔层上分别形成源极层和漏极层，并使源极层和漏极层分别与源极掺杂区和漏极掺杂区相连步骤之后的结构示意图；
[0022]图6是本发明阵列基板的制造方法另一实施方式的结构示意图；
[0023]图7是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图；
[0024]图8是本发明阵列基板另一实施方式的结构示意图；
[0025]图9是本发明阵列基板又一实施方式的结构示意图；
[0026]图10是本发明液晶