1锥部22a和从中间层20b延伸到下层20a的第2锥部22b。第1锥部22a与第2锥部22b之间的边界(转变位置)B位于中间层20b中。并且，在第2锥部22b上形成有侧壁保护膜24，将第2锥部22b覆盖。
[0077]根据本实施方式，在形成源电极SE、漏电极DE以及源布线S的金属多层膜中，下层20a以及上层20c由MoCr、Moff等Mo类金属形成，中间层20b由A1类金属形成。此外，侧壁保护膜24在第2锥部22b中仅形成在中间层20b的侧壁。
[0078]第1锥部22a的锥角形成为小于40°例如形成为30°。第2锥部22b的锥角形成得大于第1锥部的锥角，设定为40°以上且70°以下例如60°。侧壁保护膜24例如由CH类物质形成，在刻蚀时，堆积形成在第2锥部22b的中间层20c上。
[0079]对阵列基板SUB1的制造方法的一例进行说明。这里，对刻蚀工序进行说明。
[0080]对于作为布线材料的金属多层膜而言，在将Mo类的下层20a、Al类的中间层20b、Mo类的上层20c层叠形成在绝缘基板15上之后，将未图示的光致抗蚀剂作为掩模，对金属多层膜一并进行构图。构图通过采用等离子干法刻蚀法在3阶段将金属多层膜刻蚀而进行。
[0081]在第1阶段的刻蚀中，作为刻蚀气体，例如采用六氟化硫(SF6)以及氧(02)的混合气体，将上层20c刻蚀。在第2阶段的刻蚀中，作为刻蚀气体，采用在三氯化硼(BC13)、氯(Cl2)中混合有用于形成侧壁保护膜的添加气体的刻蚀气体，将中间层20b刻蚀。此外，也可以在混合气体中添加氮(N2)。由此，形成具有第1锥部22a以及第2锥部22b的侧壁。
[0082]此外，在第2阶段的刻蚀过程中，添加气体(CHF3)、N2通过等离子离解反应而生成CH类、AlFx, AINx等物质，该生成的物质堆积到第2锥部22b上形成侧壁保护膜24。通过形成侧壁保护膜24，抑制形成第2锥部22b的中间层20b的侧蚀，将第2锥部维持为所希望的锥角。第2锥部22b的锥角为60°左右，对于第1锥部22a而言，刻蚀进展而锥角成为30°左右。
[0083]在第3阶段的刻蚀中，作为刻蚀气体，例如采用六氟化硫(SF6)以及氧(02)的混合气体，将下层20a刻蚀。由此，在下层20a形成从侧壁保护膜24延伸到氧化物半导体层SC或者栅绝缘层12的第2锥部。
[0084]根据如上述那样构成的第三实施方式的显示装置，能够得到与上述的第二实施方式同样的作用效果。根据本实施方式，通过对A1类的中间层20b的侧壁设置侧壁保护膜，能够保护与Mo类的下层20a相比侧蚀更容易进展的中间层。此外，由于在下层20a的刻蚀中不需要使用侧壁保护工艺，即不使用三氟化甲烷(CHF3)，所以能够抑制氢(H)将氧化物半导体层SC还原。
[0085]基于以上，在第二及第三实施方式中，也能够得到加工形状均匀、覆盖性提高、量广性提尚的显不装置。
[0086]在上述的实施方式中，作为含有薄膜晶体管的显示装置的公开例而示出了液晶显示装置，但作为其它适用例，可以举出有机EL显示装置、其它自发光型显示装置、或者具有电泳元件等的电子纸型显示装置等任意的平板(flat panel)型的显示装置。此外，从中小型的显示装置到大型的显示装置，能够没有特别限定地适用与上述实施方式同样的结构或制造工序。
[0087]以上说明了一些实施方式，但这些实施方式只是用来例示的，并不意味着限定本发明的范围。事实上，这里给出的新的实施方式可以通过各种各样的形式表现，并且在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换及变更。权利要求及其等价物涵盖本发明的技术范围和主旨内的这些形式或变更。
[0088]作为本发明的实施方式，基于上述的各结构以及制造工序，本领域技术人员适当进行设计变更而实施得到的全部的结构以及制造工序只要包含本发明的主旨就属于本发明的范围。此外，关于由上述的实施方式带来的其它作用效果，从本说明书的记载得到明确的、或者本领域技术人员能够适当地想到的作用效果当然可以认为也能够由本发明带来。
【主权项】
1.一种显示装置，具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有: 栅电极； 绝缘层，设置在上述栅电极上； 半导体层，设置在上述绝缘层上，该半导体层的至少一部分与上述栅电极重叠；以及 源电极及漏电极，与上述半导体层的至少一部分接触地设置； 上述源电极及漏电极分别具有层叠结构，该层叠结构包含位于上述半导体层侧的下层、以A1为主成分的中间层、以及上层； 上述源电极及漏电极的侧壁具有上述上层侧的第1锥部、上述下层侧的第2锥部、以及与上述第2锥部接触的侧壁保护膜，上述第1锥部的锥角小于上述第2锥部的锥角。2.如权利要求1记载的显示装置， 上述第1锥部与上述第2锥部之间的转变部位于上述中间层内。3.如权利要求2记载的显示装置， 上述第1锥部的锥角为40°以下。4.如权利要求3记载的显示装置， 上述第2锥部的锥角为40°以上且70°以下。5.如权利要求4记载的显示装置， 上述侧壁保护膜在上述第2锥部内与上述中间层以及上述下层的中间层侧端部相接触地设置。6.如权利要求5记载的显示装置， 该显示装置具备将上述源电极、漏电极以及半导体层覆盖的保护层，上述源电极及漏电极具有上述保护层的膜厚的1/3以上的膜厚。7.如权利要求1?6中任一项记载的显示装置， 上述上层及下层由Ti类金属或者Mo类金属形成。8.如权利要求1?6中任一项记载的显示装置， 上述半导体层是由含有铟In、镓Ga、锌Zn中的至少1个的氧化物形成的氧化物半导体层。9.如权利要求1记载的显示装置， 上述第1锥部的锥角为40°以下。10.如权利要求1记载的显示装置， 上述第2锥部的锥角为40°以上且70°以下。11.如权利要求1记载的显示装置， 上述侧壁保护膜在上述第2锥部内与上述中间层以及上述下层的中间层侧端部相接触地设置。12.如权利要求1记载的显示装置， 该显示装置还具备将上述源电极、漏电极以及半导体层覆盖的保护层，上述源电极及漏电极具有上述保护层的膜厚的1/3以上的膜厚。13.如权利要求2记载的显示装置， 上述上层及下层由Ti类金属或者Mo类金属形成。14.如权利要求2记载的显示装置，上述半导体层是由含有铟In、镓Ga、锌Zn中的至少1个的氧化物形成的氧化物半导体层。
【专利摘要】根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
【IPC分类】H01L27/12, H01L29/786, H01L29/08
【公开号】CN105261653
【申请号】CN201510411819
【发明人】铃村功, 石田有亲, 植村典弘, 三宅秀和, 三宅博都, 山口阳平
【申请人】株式会社日本显示器
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月14日
【公告号】US20160012782