电极中的至少一个与导电层中的至少一个以及有源层的第二区域两者直接物理接触。
[0101]根据本发明的再一特性，一个或多个导电层包括:与源极电极电连接的第一导电层和与漏极电极电连接的第二导电层。
[0102]根据本发明的再一特性，第一导电层和第二导电层均具有与有源层的第一区域的第二部分直接物理接触的部分，从而沟道的长度对应于第一导电层的第一端和与所述第一端相对的第二导电层的第二端之间的距离。
[0103]根据本发明的再一特性，第一导电层和第二导电层中的至少一个与源极电极和漏极电极之一直接物理接触。
[0104]根据本发明的再一特性，薄膜晶体管进一步包括夹在基板与有源层之间的遮光层。
[0105]根据本发明的再一特性，薄膜晶体管进一步包括光散射图案，其中光散射图案和一个或多个导电层是由同一材料形成。
[0106]下文将描述本发明的薄膜晶体管的各种特性。
[0107]根据本发明的另一特性，栅极电极形成在有源层下方，薄膜晶体管进一步包括:形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜、和形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中一个或多个导电层包括具有被蚀刻阻止部完全重叠的横向尺度的导电层。
[0108]根据本发明的再一特性，栅极电极形成在有源层下方，薄膜晶体管进一步包括:形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜、和形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中一个或多个导电层包括具有被蚀刻阻止部部分重叠的横向尺度的导电层。
[0109]根据本发明的再一特性，栅极电极形成在有源层下方，薄膜晶体管进一步包括:形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜、和形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中源极电极和漏极电极中的至少一个与导电层中的至少一个直接物理接触。
[0110]下文将描述本发明的制造薄膜晶体管的方法的各种特性。
[0111]根据本发明的另一特性，形成叠层的步骤包括:在基板上形成导电层；在导电层上形成有源层；在有源层上形成栅极绝缘膜；和在栅极绝缘膜上形成栅极电极。
[0112]根据本发明的再一特性，形成叠层的步骤包括:在基板上形成栅极电极；在栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成导电层；和在导电层上形成有源层。
[0113]已参照附图详细描述了本发明的示例性实施方式，但本发明并不限于这些示例性实施方式。在不脱离本发明的精神的情况下可进行各种修改，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，包括： 设置于绝缘层上的栅极电极； 设置于基板上且位于绝缘层下方的有源层，所述有源层包括在横向上与栅极电极在重叠的第一区域，所述第一区域的第一部分包括晶体管的沟道； 源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极各与有源层电连接；和 一个或多个导电层，每个导电层与源极电极或漏极电极电连接，每个导电层在横向上与有源层的第一区域的第二部分重叠且与所述第二部分直接物理接触，以减小所述沟道的长度。2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中所述有源层由氧化物半导体材料形成，且所述一个或多个导电层由导电金属材料形成。3.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中所述栅极电极以及所述一个或多个导电层至少通过绝缘层物理地分离，由此在所述栅极电极与所述一个或多个导电层之间产生电容。4.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中导电层之一的至少一部分夹在有源层的第一区域的第二部分与栅极电极之间。5.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中导电层之一的至少一部分夹在有源层的第一区域的第二部分与基板之间。6.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中有源层的第一区域的第二部分夹在导电层之一与栅极电极之间。7.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中源极电极和漏极电极中的至少一个与导电层直接物理接触。8.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中源极电极和漏极电极中的至少一个与有源层的第二区域直接物理接触，所述第二区域在横向上紧邻所述第一区域。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中有源层的第二区域具有比有源层的第一区域高的导电性。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中源极电极和漏极电极任一个与导电层直接物理接触，另一个与有源层的第二区域直接物理接触。11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中导电层之一与有源层的第二区域直接物理接触。12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中源极电极和漏极电极中的至少一个与导电层中的至少一个以及有源层的第二区域直接物理接触。13.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其中所述一个或多个导电层包括： 与源极电极电连接的第一导电层；和 与漏极电极电连接的第二导电层。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中第一导电层和第二导电层均具有与有源层的第一区域的第二部分直接物理接触的部分，从而所述沟道的长度对应于第一导电层的第一端和与第一端相对的第二导电层的第二端之间的距离。15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中第一导电层和第二导电层中的至少一个与源极电极和漏极电极之一直接物理接触。16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括夹在基板与有源层之间的遮光层。17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括光散射图案，其中所述光散射图案和所述一个或多个导电层由同一材料形成。18.—种薄膜晶体管，包括: 设置于基板上的有源层； 设置在有源层上方或下方的栅极电极； 与有源层电连接的源极电极和漏极电极；和 与有源层直接物理接触的一个或多个导电层，其中所述一个或多个导电层配置成在横向上与栅极电极的至少一部分以及有源层的一部分重叠。19.根据权利要求18所述的薄膜晶体管，其中栅极电极形成在有源层下方，所述薄膜晶体管进一步包括: 形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜；和 形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中所述一个或多个导电层包括具有被蚀刻阻止部完全重叠的横向尺度的导电层。20.根据权利要求18所述的薄膜晶体管，其中栅极电极形成在有源层下方，所述薄膜晶体管进一步包括: 形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜；和 形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中所述一个或多个导电层包括具有被蚀刻阻止部部分重叠的横向尺度的导电层。21.根据权利要求18所述的薄膜晶体管，其中栅极电极形成在有源层下方，所述薄膜晶体管进一步包括: 形成在有源层与栅极电极之间的栅极绝缘膜；和 形成在有源层上方的蚀刻阻止部，其中源极电极和漏极电极中的至少一个与所述一个或多个导电层中的至少一个直接物理接触。22.一种显示装置，包括: 开关晶体管； 驱动晶体管，包括有源层、栅极电极、第一电极、第二电极和导电层，所述导电层与有源层直接接触，其中导电层配置成与驱动晶体管的栅极电极的至少一部分以及驱动晶体管的有源层的至少一部分重叠； 与驱动晶体管电连接的有机发光二极管；和 第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器在栅极电极与所述第一和第二电极中的至少一个之间并联连接，其中所述第二电容器形成在导电层与栅极电极之间， 其中开关晶体管的漏极电极与驱动晶体管的栅极电极以及第一电容器的第一极板电连接，且 其中驱动晶体管的源极电极与所述OLED、所述第一电容器的第二极板以及所述导电层电连接。23.—种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括: 形成有源层、导电层、栅极电极和栅极绝缘膜的叠层，所述栅极绝缘膜将栅极电极与有源层和导电层电绝缘，所述叠层进一步包括: 在横向上与栅极电极和栅极绝缘膜每一个的一部分重叠的第一区域的第一部分，所述第一区域中的有源层的第一部分包括晶体管的沟道，和 在横向上与导电层、栅极电极和栅极绝缘膜重叠的第一区域的第二部分；和形成源极电极和漏极电极，其中有源层和导电层的横向重叠部分彼此直接物理接触且与源极电极和漏极电极电连接。24.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述叠层的步骤包括: 在基板上形成导电层； 在导电层上形成有源层； 在有源层上形成栅极绝缘膜；和 在栅极绝缘膜上形成栅极电极。25.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述叠层的步骤包括: 在基板上形成栅极电极； 在栅极电极上形成栅极绝缘膜； 在栅极绝缘膜上形成导电层；和 在导电层上形成有源层。
【专利摘要】提供了一种薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置。所述薄膜晶体管可包括基板和形成在基板上的有源层。有源层可由氧化物半导体形成。可在有源层上方或在有源层下方形成栅极电极。导电层可与有源层接触，可与栅极电极的至少一部分重叠且可与栅极电极绝缘。源极电极和漏极电极可与有源层电连接。导电层可减小薄膜晶体管的沟道长度并增加源极电极与栅极电极之间或漏极电极与栅极电极之间的电容。
【IPC分类】H01L51/50, H01L29/786, G02F1/136, H01L21/336
【公开号】CN105308752
【申请号】CN201380070130
【发明人】赵奕力
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2013年12月27日
【公告号】EP2979302A1, US9240486, US20140291635, WO2014157814A1