的情况下:若 biy>ry,则 djy = biy-ry,但若 biy ( ry,则 djy = 0 ；
[0030]在aix〈0 的情况下:若 aix<~rx,则 c jx = aix+rx,但若 aix 彡-rx,则 c jx = 0 ；
[0031]在biy〈0 的情况下:若 biy<-ry,则 djy = biy+ry,但若 biy 彡 ~ry,则 djy = 0。
[0032]在图1中，以第一 x轴向偏移量alx落入x轴向可容许偏差范围±rx内，所以第二X轴向偏移量cjx的数值为零；且第一 y轴向偏移量biy在y轴向可容许偏差范围±ry之夕卜，所以第二 y轴向偏移量d]y的数值不等于零，因此以图1中的垂直向量来作为偏移差值的解说范例。但本发明不以图1中的范例图示为限。
[0033]请继续参照图1。在获得第二 X轴向偏移量c]x与第二 y轴向偏移量d]y之后，接下来，将第一倍数α的座标偏移量(alx，bly)与第二倍数β的偏移差值(c]x，d]y)进行加总，以获得X轴向补偿参数(a alx+ β cjx)与y轴向补偿参数(a bly+ β djy)作为最终补偿参数(aalx+^c]x, ably+i3d]y)。上述第一倍数α例如是大于零或等于1，且上述第二倍数β例如是大于0且小于1。
[0034]值得一提的是，上述的最终补偿参数适于补偿在移除第一光掩模图130与第二光掩模图140后的第一基板110的重新光刻叠对制作工艺中。其中上述重新光刻叠对制作工艺包括分别利用第一光掩模、第二光掩模(图未示)与最终补偿参数对第一基板110进行重新光刻叠对制作工艺，并通过最终补偿参数而产生一个负的偏移量，使得利用第一光掩模所重新形成的第一光掩模图与利用第二光掩模所重新形成的第二光掩模图能相对精确的重新叠置于所期望的电路布局120的区域中。
[0035]此外，上述的最终补偿参数也可适于回馈补偿在下一片基板，即第二基板(图未示)，的光刻制作工艺中。其中上述光刻叠对制作工艺包括分别利用上述第一光掩模、第二光掩模与上述最终补偿参数对具有电路布局的第二基板进行光刻叠对制作工艺，以便于使第一光掩模所形成的第一光掩模图与利用第二光掩模所形成的第二光掩模图能相对精确的叠置于所期望的电路布局的区域中。
[0036]综上所述，本发明的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，适用于在对具有长、宽不对称元件区的电路布局的基板或晶片进行后续的光刻叠对制作工艺的过程中，进行非对称的补偿，以使得于光刻叠对制作工艺中所形成的数个光掩模图可以相对精确的相互叠置于所期望的电路布局的区域中，进而提升产品良率。
[0037]虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
【主权项】
1.一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括: 提供一第一基板，该第一基板具有一电路布局、一第一光掩模图与一第二光掩模图，其中该第一光掩模图与该第二光掩模图依序叠置于该电路布局上，该第一光掩模图与该第二光掩模图相对于该电路布局具有一 X轴向可容许偏差范围与一1轴向可容许偏差范围，该X轴向可容许偏差范围不等于该y轴向可容许偏差范围； 获取该第一光掩模图相对于该第二光掩模图的一座标偏移量；以及 计算该座标偏移量相对该X轴向可容许偏差范围与该y轴向可容许偏差范围的一偏移差值，并将一第一倍数的该座标偏移量与一第二倍数的该偏移差值进行加总，以获得一 X轴向补偿参数与一 y轴向补偿参数作为一最终补偿参数。2.如权利要求1所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该座标偏移量包括第一 X轴向偏移量与第一 1轴向偏移量，该偏移差值包括第二 X轴向偏移量与第二 y轴向偏移量。3.如权利要求2所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中在计算该偏移差值之前，还包括比对该座标偏移量是否分别落入该X轴向可容许偏差范围内与该1轴向可容许偏差范围内，其中若该第一 X轴向偏移量及/或该第一 1轴向偏移量分别落入该X轴向可容许偏差范围内与该1轴向可容许偏差范围内，则该第二 X轴向偏移量及/或该第二 y轴向偏移量分别为零。4.如权利要求1所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该第一倍数大于零，且该第二倍数大于0且小于1。5.如权利要求1所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该第一倍数等于1。6.如权利要求1所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该最终补偿参数适于补偿在移除该第一光掩模图与该第二光掩模图后的该第一基板的一重新光刻叠对制作工艺中，其中该重新光刻叠对制作工艺包括分别利用一第一光掩模、一第二光掩模与该最终补偿参数对该第一基板进行该重新光刻叠对制作工艺。7.如权利要求1所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该最终补偿参数适于补偿在对一第二基板的一光刻叠对制作工艺中，其中该光刻叠对制作工艺包括分别利用一第一光掩模、一第二光掩模与该最终补偿参数对该第二基板进行该光刻叠对制作工艺。8.一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括: 提供一第一基板，该第一基板具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图，其中该第一光掩模图与该第二光掩模图依序叠置于该电路布局上，该第一光掩模图与该第二光掩模图分别相对于该电路布局具有一 X轴向可容许偏差范围与一1轴向可容许偏差范围，该X轴向可容许偏差范围不等于该y轴向可容许偏差范围； 获取该第一光掩模图相对于该第二光掩模图的一第一 X轴向偏移量与一第一 y轴向偏移量； 比对该第一 X轴向偏移量与该第一 y轴向偏移量是否分别落入该X轴向可容许偏差范围内与该y轴向可容许偏差范围内； 计算该第一 X轴向偏移量与该第一1轴向偏移量相对于该X轴向可容许偏差范围与该y轴向可容许偏差范围的一偏移差值，以获得一第二 X轴向偏移量与一第二 y轴向偏移量；以及 以一第一倍数的该第一 X轴向偏移量与一第二倍数的该第二 X轴向偏移量的总合，与该第一倍数的该第一1轴向偏移量与该第二倍数的该第二1轴向偏移量的总合，作为X轴向与1轴向的一最终补偿参数，其中若该第一 X轴向偏移量及/或该第一 1轴向偏移量分别落入该X轴向可容许偏差范围内与该y轴向可容许偏差范围内，则该第二 X轴向偏移量及/或该第二1轴向偏移量分别为零。9.如权利要求8所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该第一倍数大于零，且该第二倍数大于0且小于1。10.如权利要求8所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该第一倍数等于1。11.如权利要求8所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该最终补偿参数适于补偿在移除该第一光掩模图与该第二光掩模图后的该第一基板的一重新光刻叠对制作工艺中，其中该重新光刻叠对制作工艺包括分别利用一第一光掩模、一第二光掩模与该最终补偿参数对该第一基板进行该重新光刻叠对制作工艺。12.如权利要求8所述的用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，其中该最终补偿参数适于补偿在一第二基板的一光刻叠对制作工艺中，其中该光刻叠对制作工艺包括分别利用一第一光掩模、一第二光掩模与该最终补偿参数对该第二基板进行该光刻叠对制作工艺。
【专利摘要】本发明公开一种用于光刻叠对制作工艺的非对称补偿方法，包括：提供具有电路布局、第一光掩模图与第二光掩模图的第一基板，其中第一光掩模图与第二光掩模图依序叠置于电路布局上，且第一光掩模图与第二光掩模图分别相对于电路布局具有不相等的x轴向可容许偏差范围与y轴向可容许偏差范围；获取第一光掩模图相对于第二光掩模图的座标偏移量；以及计算座标偏移量相对上述x轴向可容许偏差范围与上述y轴向可容许偏差范围的偏移差值，并将第一倍数的上述座标偏移量与第二倍数的上述偏移差值进行加总，以获得x轴向补偿参数与y轴向补偿参数作为最终补偿参数。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105321799
【申请号】CN201410338417
【发明人】刘恩铨, 郭腾钦, 白源吉, 尤春祺
【申请人】联华电子股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年7月16日
【公告号】US20160018741