芯片。
[0040]在等离子灰化处理中，从灰化气体源13向腔体3内导入灰化用工艺气体(例如氧气)，并且通过减压机构14排气，将处理室5维持为预定压力(例如lOPa)。之后，由高频电源部10A对天线9供给高频电力(例如2000W)，在腔体3内产生氧等离子体P而照射到从罩24的窗部25露出的晶圆2。通过氧等离子体P的照射将抗蚀掩模从晶圆2的表面完全去除。
[0041]在等离子处理中，由于搬运载体4通过静电吸附吸附在工作台11的载置面18上，因此，由设置在工作台11上的冷却装置20有效地冷却。在该状态下，相对于罩24温度上升至230°C前后，如前述那样，由于搬运载体4维持被静电吸附在工作台11上的状态，因此控温在30?40°C。
[0042]如图2 (e)所示，若等离子处理结束，则通过驱动机构27对驱动杆26进行驱动，使罩24从下降位置向第一上升位置移动(步骤S6)。由此，缓和从通过等离子处理等加热后的罩24向搬运载体4的保持片6的辐射热。在此，如图2 (f)所示，从工艺气体源12向腔体3内导入冷却用气体，并通过减压机构14排气，将处理室5维持为预定压力(步骤S7)。在该情况下，处理室5内的压力优选设为比在工艺处理中供给工艺气体时的压力(例如1?20Pa左右)高的压力(例如30?lOOPa)。另外，冷却用气体能够使用He、Ar等惰性气体。通过向腔体3内供给冷却用气体来冷却罩24，能够形成几乎不影响对保持片6的辐射热的状态。在该状态下，罩24被冷却至180°C前后，如前述那样，由于搬运载体4维持静电吸附在工作台11上的状态，因此，成为保持控温在30?40°C的状态。
[0043]若冷却用气体的冷却处理结束，则停止从直流电源23对静电吸附用电极22a施加直流电压，解除静电吸附(步骤S8)。在该状态下，通过因在等离子处理中带电的晶圆2上残留的电荷产生的残留吸附，仅使突出销19向上运动有可能无法顺利地提升搬运载体4。因此，如图2(g)所示，由工艺气体源12向腔体3内导入除电用气体来执行除电处理(步骤S9)。除电用气体能够使用He、Ar等惰性气体，由高频电源部10A对天线9供给高频电力(在此为100W左右)而形成等离子体。此时，通过减压机构14排气，将处理室5维持为预定压力。通过导入的除电用气体去除晶圆2的残留电荷。在该状态下，搬运载体4向工作台11的密接状态被解除，不会从搬运载体4向工作台11充分地散热。但是，如前述那样，罩24位于第一上升位置，并通过冷却用气体进行冷却。因此，搬运载体4通过来自罩24的辐射热而被加热，从而温度上升，保持片6不会受到热损伤。在此，保持片6的温度被抑制在70?80°C左右。
[0044]如图2(h)所示，若除电处理结束，则使突出销19向上运动而将搬运载体4上推。由于搬运载体4被除电，因此，不会通过残留电荷吸附在工作台11上，而能够顺利地进行该上推。被上推的搬运载体4通过未图示的搬运机构从腔体3搬出(步骤S10:搬出处理)。
[0045]此外，本发明不限定于上述实施方式所述的构成，能够进行各种变更。
[0046]在上述实施方式中，在等离子处理之后使罩24上升，但如图4所示，也可以先供给冷却用气体进行冷却之后再使罩24上升。在该情况下，将供给冷却用气体时的腔体3内的压力设为比在工艺处理中供给工艺气体时的压力(例如1?20Pa左右)高的压力(例如30?lOOPa)。由此，能够有效地进行罩24等的冷却。在使罩24上升后，解除静电吸附，进行除电处理。若进行除电处理，则搬运载体4向工作台11的密接状态被解除，不会从搬运载体4向工作台11充分地散热。但是，罩24已经被冷却用气体冷却。因此，保持片6不会受到热损伤。
[0047]另外，如图5所示，也可以先供给冷却用气体进行冷却，进而执行除电处理之后使罩24上升。若进行除电处理，则搬运载体4向工作台11的密接状态被解除，不会从搬运载体4向工作台11充分地散热。但是，罩24已经被冷却用气体冷却。因此，保持片6不会受到热损伤。
[0048]在上述实施方式中，对冷却工序中的通过供给冷却气体进行罩24的冷却的情况进行了说明，但并不限定于该情况，也可以在等离子处理结束后设置预定的等待时间，通过在该时间内待机来进行罩24的冷却。作为等待时间，可以设定为例如1?5分钟左右，但在罩的冷却不足的情况下，也可以进一步延长等待时间，或者并用冷却气体的冷却。
[0049]本实施方式的罩24整体由单一的材料构成，但也可以设为组合了例如耐热性优异的材料和导热优异的材料的复合体。
[0050]另外，本实施方式的驱动机构27经由驱动杆26使罩24相对于工作台11进行升降，但也可以使工作台11相对于固定在腔体3内的罩24进行升降。
[0051]另外，静电吸附用电极不限定于如实施方式那样的双极性，也可以是单极性。
[0052]而且，在等离子处理装置1中执行的处理不限定于等离子切割处理和等离子灰化处理，也可以是例如通常的干刻。另外，等离子处理装置1不限定于如实施方式那样的ICP型，也可以为平行平板型。而且，本发明也可以适用于等离子CVD装置等其它等离子处理装置。
[0053]附图标记说明
[0054]1…等离子处理装置
[0055]2…晶圆(基板)
[0056]3…腔体
[0057]4…搬运载体
[0058]5…处理室
[0059]6…保持片
[0060]7…框架
[0061]8…电介质壁
[0062]9…天线
[0063]10A，10B…高频电源部
[0064]1L...工作台
[0065]12…工艺气体源
[0066]13…灰化气体源
[0067]14…减压机构
[0068]15…电极部
[0069]15a…冷媒流路
[0070]15b…静电吸盘
[0071]15c…电极部主体
[0072]16…基台部
[0073]17…外装部
[0074]18…载置面
[0075]19…突出销
[0076]20…冷却装置
[0077]21…冷媒循环装置
[0078]22a…静电吸附用电极
[0079]22b…高频电极
[0080]23…直流电源
[0081]24 …罩
[0082]25…窗部
[0083]26…驱动杆
[0084]27…驱动机构
[0085]28…控制装置
【主权项】
1.一种等离子处理方法，在处理室内对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理，所述搬运载体由环状框架和保持片构成，所述等离子处理方法的特征在于具有如下工序: 第一工序，在设于所述处理室内的冷却后的工作台上载置保持有所述基板的所述搬运载体； 第二工序，在使设于所述工作台上的罩与所述工作台相对移动而使所述基板从形成在所述罩上的窗部露出的状态下，覆盖所述搬运载体的所述保持片和所述框架； 第三工序，对保持在所述搬运载体上的所述基板进行等离子处理； 第四工序，对所述罩进行冷却；及 第五工序，从所述处理室搬出保持有所述基板的所述搬运载体。2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于， 在所述第三工序中，将所述搬运载体静电吸附在所述工作台上， 在所述第三工序和所述第五工序之间，在停止向所述工作台静电吸附所述搬运载体之后，进行用于去除所述搬运载体的带电的除电处理。3.根据权利要求1或2所述的等离子处理方法，其特征在于， 所述第四工序是通过在所述第三工序结束后设置预定等待时间而对所述罩进行冷却的工序。4.根据权利要求1或2所述的等离子处理方法，其特征在于， 所述第四工序是通过对所述罩供给导热气体而对所述罩进行冷却的工序。5.根据权利要求1或2所述的等离子处理方法，其特征在于， 所述第四工序是在使所述罩和所述工作台比所述第二工序时远离的状态下进行的。6.一种等离子处理装置，在处理室内对保持在搬运载体上的基板实施等离子处理，所述搬运载体由环状框架和保持片构成，所述等离子处理装置的特征在于具备: 冷却后的工作台，设置在所述处理室内，载置有所述搬运载体； 罩，具有窗部，设置在所述工作台上，在使所述基板从所述窗部露出的状态下，覆盖所述搬运载体的所述保持片和所述框架； 驱动单元，能够使所述工作台与所述罩相对接近和远离； 等离子体发生单元，对保持在所述搬运载体上的所述基板实施等离子处理；及控制单元，执行如下处理:搬入所述搬运载体并载置在所述工作台上的搬入处理、通过驱动所述驱动单元而以所述罩来覆盖载置在所述工作台上的所述搬运载体并通过驱动所述等离子体发生单元而产生等离子体的等离子处理、对所述罩进行冷却的罩冷却处理及搬出所述搬运载体的搬出处理。7.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于， 所述等离子处理装置具备产生除电等离子体的除电单元， 在所述等离子处理和所述搬出处理之间，在停止向所述工作台静电吸附所述搬运载体之后，所述控制单元执行用于去除所述搬运载体的带电的除电处理。8.根据权利要求6或7所述的等离子处理装置，其特征在于， 所述控制单元通过在所述等离子处理后设置预定的等待时间而进行所述罩冷却处理。9.根据权利要求6或7所述的等离子处理装置，其特征在于， 所述等离子处理装置具备对所述罩供给导热气体的气体供给单元， 所述控制单元通过由所述气体供给单元对所述罩供给所述导热气体而进行所述罩冷却处理。10.根据权利要求6或7所述的等离子处理装置，其特征在于， 在所述等离子处理和所述搬出处理之间，所述控制单元驱动所述驱动单元而使所述罩与所述工作台之间的距离比对所述基板实施等离子处理时远。
【专利摘要】本发明提供等离子处理方法及装置，防止因等离子处理导致搬运载体的保持片受到热损伤。所述等离子处理方法执行如下工序：第一工序，在设置在处理室(5)内的冷却后的工作台(11)上载置保持有基板(2)的搬运载体(4)；第二工序，在使设置在工作台(11)上的罩(24)与工作台(11)相对移动而使基板(2)从形成在罩(24)上的窗部(25)露出的状态下，覆盖搬运载体(4)的保持片(6)和框架(7)；第三工序，对保持在搬运载体(4)上的基板(2)进行等离子处理；第四工序，对罩(24)进行冷却；及第五工序，将保持有基板(2)的搬运载体(4)从处理室(5)搬出。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/3065
【公开号】CN105321813
【申请号】CN201510271528
【发明人】针贝笃史, 松原功幸, 广岛满
【申请人】松下知识产权经营株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年5月25日
【公告号】US20150340208