m或Li以及这些材料的化合物、组合或合金。第一电极层14能够由在TC0层上的金属层的组合的层堆形成或反之亦然。一个实例是施加在铟锡氧化物层(IT0)上的银层(在IT0上的Ag)或ITO-Ag-1TO多层。
[0052]对于上述材料替选或附加地，第一电极层14能够具有一种或多种下述材料:由例如Ag构成的金属纳米线和微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨烯微粒和层；由半导体纳米线构成的网络。此外，第一电极层14具有导电的聚合物或过渡金属氧化物或透明导电氧化物。
[0053]在不同的实施例中，第一电极层14和载体12能够半透明或透明地构成。第一电极层14例如能够具有在大约lnm至大约500nm的范围中的层厚度、例如在大约10nm至大约250nm的范围中的层厚度、例如在大约lOOnm至大约150nm的范围中的层厚度。
[0054]第一电极层14能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
[0055]除了第一电极层14以外，在载体12上构成第一接触馈电部18，所述第一接触馈电部与第一电极层14电耦合。第一接触馈电部18能够与第一电势(由未示出的能量源、例如电流源或电压源提供)耦合。替选地，第一电势能够施加到载体12上并且然后经由其间接地施加到第一电极层14上。第一电势例如能够是接地电势或其他预设的参考电势。
[0056]在第一电极层14上方构成功能层结构22，例如有机功能层结构。功能层结构22能够具有例如带有发射荧光和/或发射磷光的发射体的一个或多个发射体层，以及一个或多个空穴传导层(也称作空穴传输层)。在不同的实施例中，替选地或附加地能够设有一个或多个电子传导层(也称作电子传输层)。
[0057]在根据不同的实施例的光电子器件10中能够用于发射体层的发射体材料的实例包含:有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑);以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic (双(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基_ (2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’ - 二-叔-丁基_(2，2’)_联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi (4, 4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9，10-双[N，N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀或借助于刮涂沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。发射体材料能够以适合的方式嵌入在基体材料中。
[0058]发射体层的发射体材料例如能够被选择为，使得光电子器件10发射白光。(多个)发射体层能够具有多个不同色地(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)发射的发射体材料，替选地，(多个)发射体层也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层或者发蓝色磷光的发射体层，发绿色磷光的发射体层和发红色磷光的发射体层。通过不同颜色的混合，能够实现具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的射束路径中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射中通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
[0059]功能层结构22通常能够具有一个或多个电致发光层。电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(smallmolecules)”)或这些材料的组合。例如，功能层结构22能够具有构成为空穴传输层的一个或多个电致发光层，使得例如在0LED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，功能层结构22能够具有构成为电子传输层的一个或多个功能层，使得例如在0LED中能够实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层的材料。在不同的实施例中，电致发光层能够构成为进行电致发光的层。
[0060]在不同的实施例中，空穴传输层能够施加、例如沉积在第一电极层14上或上方，并且发射体层能够施加、例如沉积在空穴传输层上或上方。在不同的实施例中，电子传输层能够施加、例如沉积在发射体层上或上方。
[0061]在不同的实施例中，功能层结构22能够具有在大约10nm至大约3μπι的范围中、例如大约lOOnm至大约1 μπι的范围中、例如大约300nm至大约800nm的范围中的层厚度。在不同的实施例中，功能层结构22例如能够具有彼此叠加设置的所提出的层的层堆。
[0062]光电子器件10可选地通常能够具有例如设置在一个或多个发射体层上或上方或者电子传输层上或上方的其他的功能层，所述功能层用于进一步改进光电子器件10的功能进而效率。
[0063]在功能层结构22上方构成第二电极层24。在第一电极层14旁边，更确切地说在第一电极层14的背离第一接触馈电部18的侧上在载体12上方构成第二接触馈电部16。第二接触馈电部16与第二电极层24电耦合。第二接触馈电部16用于电接触第二电极层
24。能够将第二电势施加到第二接触馈电部16上。第二电势例如能够具有如下数值:即与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V的范围中的值、例如具有在大约2.5V至大约15V的范围中的值、例如具有在3V至大约12V的范围中的值。第二电极层24能够具有与第一电极层14相同的材料或由其形成。第二电极层24例如能够具有在大约lnm至大约lOOnm的范围中、例如大约10nm至大约50nm的范围中、例如大约15nm至大约30nm的范围中的层厚度。第二电极层24通常能够以与第一电极层14类似地构成或与其不同地构成。第二电极层24能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
[0064]在不同的实施例中，第一电极层14和第二电极层24这两者都半透明地或透明地构成。因此，光电子器件10能够构成为顶部和底部发射器和/或构成为透明的光电子器件10。
[0065]电接触馈电部18、16例如能够用作阳极或阴极的一部分。电接触馈电部18、16例如能够构成为是透明的或非透明的。电接触馈电部18、16例如能够具有子层，所述子层例如具有钼/铝/钼，络/铝/络，银/镁或仅具有铝。第二电极层24与第一接触馈电部18和第一电极层14通过第一绝缘体层20和第二绝缘体层26隔开。绝缘体层20、26例如具有聚酰亚胺并且可选地构成。
[0066]具有第一电极层14、接触馈电部16、18和绝缘体层20、26的载体12也能够称作衬底。在衬底上构成功能层结构22。
[0067]在第二电极层24上方并且部分地在第一接触馈电部18、第二接触馈电部16和第二绝缘体层26上方构成封装层28。因此，封装层28覆盖第一接触馈电部18和第二接触馈电部16，其中为了电接触接触馈电部18、16随后能够至少部分地露出所述接触馈电部。封装层28例如能够以阻挡薄层或薄层封装部的形式构成。将“阻挡薄层”或“薄层封装部”能够理解为适合于形成相对于化学污染或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡物的层或层结构。换言之，封装层28构成为，使得所述封装层不会由例如损害0LED的物质，如水、氧气或溶剂穿透或最多以极其小的份额穿透。
[0068]根据一个设计方案，封装层28构成为单个层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，封装层28能够具有多个彼此叠加构成的子层。换言之，根据一个设计方案，封装层28能够构成为层堆(层叠)。封装层28或封装层28的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积法形成，例如借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enha