光电二极管阵列(像素阵列);如图3所示的结构。
[0040]步骤二、于半导体衬底1的背面上方形成底端粘合层3 ;在本发明的实施例中，该底端粘合层3是在高温真空条件于半导体衬底1的背面上方采用物理离子溅射形成。优选的，该底端粘合层3的材质为氮化钛；如图4所示的结构。
[0041]步骤三、于底端粘合层3的上表面形成金属层4 ;在本发明的实施例中，该金属层4是在高温真空条件于底端粘合层3的上表面采用物理离子溅射形成。优选的，该金属层4的材质为铝、铜或钨；如图5所示的结构。
[0042]步骤四、于金属层4的上表面形成抗反射层5 ;在本发明的实施例中，该抗反射层5是在高温真空条件于金属层4的上表面采用物理离子溅射形成。优选的，该抗反射层5的材质为氮氧化硅或氮化钛；如图6所示的结构。
[0043]步骤五、于抗反射层5的上表面形成一层光刻胶，并对具有光刻胶进行图案化工艺，以形成若干具有栅极图形的光阻，该光刻工艺可以采用本领域技术人员所熟知的技术，在此便不予赘述。
[0044]步骤六、以若干具有栅极图形的光阻为掩膜，按照从上至下的顺序依次刻蚀抗反射层5、金属层4和底端粘合层3以于具有半导体衬底1的背面上方形成上表面均具有抗反射层5的若干金属栅格，在本发明的实施例中，该若干金属栅格可以防止不同的光电二极管2之间的光的串扰，且该抗反射层5可以降低金属栅格的光反射率，进而达到降低背照式图像传感器噪音的效果；如图7所示的结构。
[0045]如图8所示，通过拟合不同厚度的抗反射层，可以得到这种工艺能够将金属栅格的反射率降低到40%以下。
[0046]不难发现，本实施例为与上述背照式影像传感器的实施例相对应的方法实施例，本实施例可与上述背照式影像传感器的实施例互相配合实施。上述背照式影像传感器的实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在上述背照式影像传感器的实施例中。
[0047]综上，本发明公开了一种背照式影像传感器及其制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后；于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，该抗反射层可以降低金属栅格的反射率，进而达到降低背照式图像传感器的噪音的效果，且该工艺简单易行，能够适应于不同的金属栅格工
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[0048]本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0049]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种背照式传感器，其特征在于，包括: 半导体衬底，具有正面和相对所述正面的背面，且所述半导体衬底中设置有若干光电二极管； 若干金属栅格，设置于所述半导体衬底的背面上方，以防止所述光电二极管之间的光的串扰； 其中，若干所述金属栅格的上表面均设置有抗反射层。2.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。3.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述金属栅格包括底端粘合层和覆盖所述底端粘合层上表面的金属层。4.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述底端粘合层的材质为氮化钛。5.如权利要求1所述的背照式传感器，其特征在于，所述金属层的材质为铝、铜或钨。6.一种背照式传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管； 于所述半导体衬底的背面上方形成若干金属栅格，以防止所述光电二极管之间的光的串扰； 其中，若干所述金属栅格的上表面均具有抗反射层。7.如权利要求6所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述抗反射层的材质为氮氧化硅或氮化钛。8.如权利要求6所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，形成上表面均具有所述抗反射层的若干所述金属栅格的方法包括: 按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成底端粘合层、金属层； 于所述金属层的上表面形成抗反射层； 于所述抗反射层上表面形成一层光刻胶，并对所述光刻胶进行图案化工艺，以形成若干具有栅极图形的光阻； 以所述若干具有栅极图形的光阻为掩膜，按照从上至下的顺序依次刻蚀抗反射层、金属层和底端粘合层以于所述半导体衬底的背面上方形成若干所述金属栅格。9.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述底端粘合层的材质为氮化钛。10.如权利要求8所述的背照式传感器的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为招、铜或妈。
【专利摘要】本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式影像传感器及其制备方法，通过在进行金属栅格底端粘合层，金属层镀膜制程之后；于金属层之上沉积抗反射层，最后通过图形和刻蚀形成上表面具有抗反射层的若干金属栅格，该抗反射层可以降低金属栅格的反射率，进而达到降低背照式图像传感器的噪音的效果，且该工艺简单易行，能够适应于不同的金属栅格工艺。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN105390516
【申请号】CN201510715481
【发明人】胡胜, 孙鹏
【申请人】武汉新芯集成电路制造有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月28日