绝缘层15。在本申请实施例中，仅对所述第一氮化硅层14b进行刻蚀。进一步的，仅保留所述第一栅极15保护的第一氮化硅层14b，去除了其余区域的所有第一氮化硅层14b。
[0045]在本申请的其他实施例中，也可以对所述第一氮化娃层14b和第一氧化娃层14a均进行刻蚀。具体的，可以仅保留所述第一栅极15保护的第一氮化硅层14b和第一氧化硅层14a，去除了其余区域的所有第一氮化硅层14b以及其余区域的全部厚度或者部分厚度的第一氮化硅层14b。
[0046]接着，如图3所示，在所述第一栅极15上形成第二栅绝缘层16，在此即所述第二栅绝缘层16覆盖所述第一栅极15及暴露出的第一氧化硅层14a。在本申请实施例中，所述第一栅绝缘层14的厚度与所述第二栅绝缘层16及(第一栅极15保护区域以外区域的)第一栅绝缘层14刻蚀剩余部分的总厚度不同。具体的，所述第一栅绝缘层14的厚度比所述第二栅绝缘层16及(第一栅极15保护区域以外区域的)第一栅绝缘层14刻蚀剩余部分的总厚度大。进一步的，所述第二栅绝缘层16的厚度比所述第一栅绝缘层14的厚度小。优选的，所述第二栅绝缘层16为单层结构，其包括第二氮化硅层。
[0047]如图4所示，在所述第二栅绝缘层16上形成第二栅极17。优选的，仅在周边电路区域中形成栅极(即第二栅极17)。即在本申请实施例中，所述第一栅极15为像素区域中的栅极，所述第二栅极17为周边电路区域中的栅极。由此便可兼具降低像素区域的开态电流及保证周边GIP电路区域有较大电流。
[0048]在本申请的其他实施例中，也可以所述第一栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极，所述第二栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极。即像素区域中有部分第一栅极和/或部分第二栅极，周边电路区域中有部分第一栅极和/或部分第二栅极。即使得整个0LED显示器中的薄膜晶体管具有两种不同的栅绝缘层厚度，从而可以满足不同的设计需求。
[0049]接下去，可接着在所述第二栅极17上形成层间介质层(ILD)(图4中未示出)，即所述层间介质层覆盖所述第二栅极17以及暴露出的第二栅绝缘层16，所述层间介质层可采用现有技术，同时可继续采用现有技术执行后续工艺，具体包括在所述层间介质层上依次形成阳极、有机发光层及阴极等结构，本申请对此不再赘述。
[0050]通过上述工艺后，便可形成0LED显示器，所述0LED显示器包括:基板10，所述基板10上形成有源极11、漏极13及沟道14 ;位于所述基板10上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的第一栅极15及第二栅极17 ;其中，所述第一栅极15至沟道的距离与所述第二栅极17至沟道的距离不同。进一步的，所述第一栅极15至沟道的距离比所述第二栅极17至沟道的距离大。进一步的，所述0LED显示器还包括:形成于所述第二栅极上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的阳极；形成于所述阳极上的有机发光层；及形成于所述有机发光层上的阴极等结构。在本申请实施例中，所述第一栅极15为像素区域中的栅极，所述第二栅极17为周边电路区域中的栅极。在本申请的其他实施例中，所述第一栅极15为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极，所述第二栅极17为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极。由此，便可兼具降低像素区域的开态电流及保证周边GIP电路区域有较大电流；或者使得整个0LED显示器中的薄膜晶体管具有两种不同的栅绝缘层厚度，满足不同的设计需求。
[0051]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED显示器的制造方法，其特征在于，包括: 提供基板，所述基板上形成有源极、漏极及沟道； 在所述基板上形成第一栅绝缘层； 在所述第一栅绝缘层上形成第一栅极； 以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层； 在所述第一栅极上形成第二栅绝缘层；及 在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极； 其中，所述第一栅极至沟道的距离与所述第二栅极至沟道的距离不同。2.如权利要求1所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅绝缘层包括形成于所述基板上的第一氧化硅层以及形成于所述第一氧化硅层上的第一氮化硅层。3.如权利要求2所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层中仅对所述第一氮化硅层进行刻蚀。4.如权利要求2所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层中对所述第一氮化硅层和第一氧化硅层均进行刻蚀。5.如权利要求1?4中任一项所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的栅极，所述第二栅极为周边电路区域中的栅极。6.如权利要求1?4中任一项所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极，所述第二栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极。7.如权利要求1?4中任一项所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层的厚度比所述第一栅绝缘层的厚度小。8.如权利要求7所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，所述第二栅绝缘包括第二氮化娃层。9.如权利要求1?4中任一项所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，还包括:在所述第二栅极上形成层间介质层。10.如权利要求9所述的0LED显示器的制造方法，其特征在于，还包括:在所述层间介质层上依次形成阳极、有机发光层及阴极。11.一种0LED显示器，其特征在于，包括: 基板，所述基板上形成有源极、漏极及沟道； 位于所述基板上的栅绝缘层； 位于所述栅绝缘层上的第一栅极及第二栅极； 其中，所述第一栅极至沟道的距离与所述第二栅极至沟道的距离不同。12.如权利要求10所述的0LED显示器，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的栅极，所述第二栅极为周边电路区域中的栅极。13.如权利要求10所述的0LED显示器，其特征在于，所述第一栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极，所述第二栅极为像素区域中的部分栅极和/或周边电路区域中的部分栅极。14.如权利要求11?13中任一项所述的0LED显示器，其特征在于，还包括: 形成于所述第二栅极上的层间介质层；形成于所述层间介质层上的阳极；形成于所述阳极上的有机发光层；及形成于所述有机发光层上的阴极。
【专利摘要】本发明提供了一种OLED显示器的制造方法，所述OLED显示器的制造方法包括：提供基板，所述基板上形成有源极、漏极及沟道；在所述基板上形成第一栅绝缘层；在所述第一栅绝缘层上形成第一栅极；以所述第一栅极为掩膜，刻蚀所述第一栅绝缘层；在所述第一栅极上形成第二栅绝缘层；及在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极；其中，所述第一栅极至沟道的距离与所述第二栅极至沟道的距离不同。由此像素区域与周边电路区域可采用不同厚度的栅绝缘层，从而便可兼具降低像素区域的开态电流及保证周边GIP电路区域有较大电流。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105405866
【申请号】CN201511029765
【发明人】来春荣
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月31日