面顺从地伸展。这就是说，导电连接件的伸展至少部分地给定壳体本体的几何外轮廓。导电连接件尤其可以通过电镀、压印工艺和/或3D拓扑覆层来施加、印制和/或设置。
[0024]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，完全地通过壳体本体覆盖透射辐射的生长衬底的背离有源层的后侧。这就是说，除了侧面之外，通过壳体本体也覆盖生长衬底的后侧。生长衬底或部件的主侧、尤其位于生长衬底的主侧上的有源层至少局部地保持没有壳体本体。尤其，壳体本体可以与透射辐射的生长衬底的背离有源层的后侧和侧面直接接触。
[0025]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，将镜层设置在透射辐射的生长衬底和壳体本体之间，其中镜层至少局部地覆盖透射辐射的生长衬底的后侧和/或侧面。如果镜层设置在透射辐射的生长衬底和壳体本体之间，那么壳体本体与透射辐射的生长衬底不直接接触。镜层将射到其上的电磁辐射沿与生长衬底的后侧和侧面背离的方向反射。换而言之，在设置、蒸镀和/或印制有镜层的位置处可以为壳体本体使用匹配于 CTE 的(“Coefficient of Thermal Expans1n (热膨胀系数)”，德语为 thermischerAusdehnungskoeffizient)、成本适宜的和电绝缘的材料，并且弃用成本密集的用于壳体材料的反射的填料。
[0026]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，电绝缘的壳体材料以对于电磁辐射进行辐射吸收的方式构成。如果电绝缘的壳体材料构成为是吸收辐射的，那么通过壳体材料吸收电磁辐射的至少85%、优选至少90%、特别优选至少95%。这就是说，可以部分或完全地取消关于镜层的覆层工艺。
[0027]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，电绝缘的壳体材料包括基体材料，其中反射光的和/或散射光的颗粒引入到基体材料中，使得壳体材料显得是白色的。反射光的和/或散射光的颗粒例如借助下述材料中的至少一种形成并且包含下述材料中的至少一种:Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y。颗粒以使得基体材料显得白色的浓度在基体材料中被引入。例如，基体材料包含硅酮或由硅酮制成并且颗粒由氧化钛构成。例如，壳体本体本身可以反射电磁辐射。尤其，因此壳体材料构成为是光学反射的，这样可以至少局部地弃用将镜层施加到透射辐射的生长衬底上，例如弃用施加到其后侧和/或侧面上。这就是说，可以部分或完全取消关于镜层的覆层工艺。
[0028]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，电绝缘的壳体材料构成为是透射辐射的。如果壳体材料是透射辐射的，那么在生长衬底的后侧和侧面上构成镜层和/或反射性的金属薄膜。如果在该实施方式中取消镜层，那么例如提出体积发射的半导体组件。该实施方式尤其是成本有效的，因为可以弃用成本密集的反射光的和/或散射光的颗粒。
[0029]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，将转换元件从有源层的背离生长衬底的一侧至少局部地设置在有源层和导电连接件上。转换元件尤其可以作为连续的或无中断的转换层存在。在有源层中产生的电磁辐射的至少80%、优选至少90%、尤其优选至少90%经过转换元件。转换元件可以经由连接机构与半导体组件的辐射出射面连接。此外，转换元件可以与辐射出射面直接接触。
[0030]转换元件可以通过喷涂、EPD(电泳沉积)、沉降、筛网印刷和/或刮涂尤其施加到半导体组件的有源层上。转换元件包含发光材料或由其制成，所述发光材料设置用于吸收由光电子半导体芯片在运行中产生的电磁辐射并且再发射与光电子半导体芯片不同的波长范围中的电磁辐射。例如，光电子半导体芯片在运行中产生蓝光并且由转换元件的发光材料再发射黄光，所述黄光与蓝光混合成白光。转换元件例如可以以转换材料颗粒的形式施加，所述转换材料颗粒在基体材料例如硅酮或陶瓷中引入。此外，基体材料也可以包含有机分子，所述有机分子转换电磁辐射的至少一部分。此外，转换元件作为陶瓷小板施加到有源层上，所述陶瓷小板包含发光材料或由陶瓷转换材料制成。
[0031]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，在光电子半导体芯片的背离有源层的一侧上设置有导电层并且与导电连接件导电连接。导电层尤其可以与透射辐射的生长衬底的后侧或与壳体本体的背离有源层的一侧直接接触。导电层可以分别与有源层的P型传导的或η型传导的层导电地接触。导电层尤其可以构成用于与另外的在此描述的半导体构件电接触，其中导电层为了避免短路而不连续地构成。导电层例如可以印制、粘贴和/或层压在光电子半导体芯片的背离有源层的一侧上。导电层也可以已经在壳体本体的制造工艺期间借助于导电连接件与半导体芯片连接。导电层可以设置用于与电路板或印刷电路板接触。
[0032]例如，导电层形成至少两个分开的并且彼此电绝缘的接触区域。接触区域于是例如可以从光电子半导体芯片的背离有源层的一侧起接触。在俯视图中，这两个接触区域例如部分地或完全地被有源层遮盖。
[0033]例如，将两个用于接触半导体芯片的电接触部这两者都设置在半导体芯片的背离导电层或生长衬底的一侧上。这两个接触部于是可以分别借助于如上面描述的导电连接件与接触区域电接触。半导体芯片在该情况下尤其构成为倒装芯片。
[0034]根据至少一个实施方式，如此构成的半导体组件是自承的。这就是说，不需要其他载体以使半导体组件机械稳定。尤其，在导电层和生长衬底之间不需要附加的载体。为了机械稳定，在导电层的背离半导体芯片的一侧上也不需要载体。
[0035]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，导电层构成为预制的结构化的金属薄膜。例如，结构化的金属薄膜包括Cu或由Cu构成。结构化的金属薄膜包括位于半导体芯片之下的孔、裂口和/或穿孔。换而言之，金属薄膜的该无材料的区域与半导体芯片的横向扩展至少局部地叠加。
[0036]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，所述光电子半导体组件包括光电子半导体芯片中的至少两个，所述光电子半导体芯片以彼此相邻的方式设置在导电层上。这就是说，两个在此描述的半导体芯片彼此间隔地设置并且分别具有在此描述的壳体本体。至少两个光电子半导体芯片尤其经由导电层连接，其中导电层至少局部地没有壳体材料。
[0037]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，导电连接件与导电层至少局部地直接接触并且导电连接件将至少两个光电子半导体芯片串联。导电连接件例如将第一半导体芯片的有源层的η型传导层与第二半导体芯片的有源层的ρ型传导层连接，其中导电连接件可以连续地构成并且与导电层尤其直接接触。
[0038]根据可表面安装的光电子半导体组件的至少一个实施方式，导电连接件和/或转换元件在背离生长衬底的侧面的面上至少局部地具有分割工艺的痕迹。借助于在没有壳体材料的区域中尤其穿过电连接件和转换元件以及穿过半导体组件的导电层进行锯割、激光分离和/或冲压，可以将彼此串联的半导体芯片分割。分割工艺的痕迹在导电连接件的、转换元件的和/或导电层的露出的端部处构成。露出的端部分别位于半导体组件的背离生长衬底的侧面的一侧上。
[0039]此外，描述一种用于制造可表面安装的光电子半导体组件的方法。例如，在此描述的可表面安装的光电子半导体组件可以通过该方法制造。这就是说，针对在此描述的方法详述的特征也针对在此描述的可表面安装的光电子半导体组件公开，并且反之亦然。
[0040]根据方法的至少一个实施方式，在步骤A中提供至少两个光电子半导体芯片，其各具有透射辐射的生长衬底和有源层，所述有源层以外延的方式沉积在生长衬底上。至少两个光电子半导体芯片尤其可以直接彼此相邻地设置。例如，半导体芯片彼此隔开地设置成一排。
[0041]优选地，半导体芯片在步骤A中施加到薄膜上。薄膜例如施加在半导体芯片的背离生长衬底的一侧上。随后，薄膜例如保护半导体芯片的背离生长衬底的一侧以免稍后施加的壳体材料影响。尤其，薄膜施加成，使得辐射耦合输出面和/或接触部在半导体芯片上被薄膜覆盖。薄膜于是例如可以保护辐射耦合输出面和/或接触部以免壳体材料影响，使得辐射耦合输出面和/或接触部在囊封之后不借助壳体材料覆盖。薄膜尤其一件式地和/或连续地和/或柔软地构成。例如，薄膜单独地制造并且作为制成的元件提供。
[0042]根据方法的至少一个实施方式，在步骤B中，借助电绝缘的壳体材料对光电子半导体芯片围绕成形，使得光电子半导体芯片的生长衬底的全部侧面完全地被壳体材料覆盖。换而言之，提供具有在此描述的半导体芯片和壳体本体的人造晶片。壳体本体尤其可以与生长衬底的侧面不直接接触。在壳体本体和侧面之间设置有镜层。
[0043]根据方法的至少一个实施方式，在步骤C中，将导电层设置在光电子半导体芯片的背离有源层的一侧上。导电层例如可以为预制的结构化的金属薄膜。导电层例如可以设置用于经由导电连接件电接触半导体芯片。
[0044]根据方法的至少一个实施方式，在步骤D中，借助于成型工具或材料剥离在至少两个直接彼此相邻的光电子半导体芯片之间构成凹处，使得在壳体本体的背离生长衬底的侧面的面上构成材料剥离的痕迹或成型工具的痕迹。在构成凹处时尤其可以露出导电层或预制的结构化的金属薄膜。
[0045]例如，在步骤B之前，成型工具设置在半导体芯片之间，其中半导体芯片例如可以在成型工具处校准。在用壳体材料对半导体芯片环绕成形之后