一匹配模块34，与比较模块33连接，用于若所述至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，则确定至少两台离子注入机的离子注入能量的工艺参数匹配。
[0058]其中，其中，所述目标组的前一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且等于所述参考电阻值。
[0059]进一步，第一匹配模块34，还用于若所述目标组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值不相同，则调整对应的离子注入机的能量控制单元的设备参数，以使所述离子注入能量的工艺参数匹配。
[0060]本发明实施例中，通过针对至少两组中每一组晶圆，利用至少两台离子注入机分别对所对应的晶圆以预设工艺参数进行离子注入，然后对至少两组离子注入后的各晶圆进行热处理，比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值，若至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，则确定离子注入能量的工艺参数匹配，其中，至少两组中膜层厚度依次减小，且目标组满足在其前一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且等于离子注入前至少两组晶圆的衬底的参考电阻值，也就是说目标组的膜层厚度使得在当前离子注入能量下注入离子刚好穿透，由于在注入离子刚好穿透膜层时，膜层所覆盖衬底的电阻值与离子注入机的注入能量相关，因此，根据衬底的电阻值即可确定离子注入机的注入能量是否相同，实现了离子注入机的注入能量的匹配，提高了工艺参数匹配的准确度。
[0061]图4为本发明另一实施例提供的基于离子注入的工艺参数匹配装置的结构示意图，在上一实施例的基础上，本实施例中的装置，如图4所示，进一步包括:测试模块41和第二匹配模块42。
[0062]测试模块41，比较模块33和热处理模块32连接，用于去除所述至少两组离子注入后的各晶圆的膜层，获得所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底；测试所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底的电阻值。
[0063]第二匹配模块42，与第一匹配模块34连接，用于对所述离子注入机采用离子注入剂量的匹配方法，调整离子注入机的剂量控制单元的设备参数，以使离子注入剂量的工艺参数匹配；所述离子注入机所注入离子的投影射程Rp满足Rp > (3X ARp)。
[0064]本发明实施例中，通过针对至少两组中每一组晶圆，利用至少两台离子注入机分别对所对应的晶圆以预设工艺参数进行离子注入，然后对至少两组离子注入后的各晶圆进行热处理，比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值，若至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，则确定离子注入能量的工艺参数匹配，其中，至少两组中膜层厚度依次减小，且目标组满足在其前一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且等于离子注入前至少两组晶圆的衬底的参考电阻值，也就是说目标组的膜层厚度使得在当前离子注入能量下注入离子刚好穿透，由于在注入离子刚好穿透膜层时，膜层所覆盖衬底的电阻值与离子注入机的注入能量相关，因此，根据衬底的电阻值即可确定离子注入机的注入能量是否相同，实现了离子注入机的注入能量的匹配，提高了工艺参数匹配的准确度。
[0065]本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括:R0M、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0066]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，包括: 针对至少两组中每一组晶圆，利用至少两台离子注入机分别对所对应的晶圆以预设工艺参数进行离子注入；所述晶圆包括衬底和在所述衬底表面覆盖的膜层，所述至少两组晶圆的衬底的电阻值均为参考电阻值，同一组晶圆的膜层厚度相同，各组晶圆的膜层厚度按照离子注入顺序依次减小； 对所述至少两组离子注入后的各晶圆进行热处理； 比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值； 若所述至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，则确定所述至少两台离子注入机的离子注入能量的工艺参数匹配；其中，所述目标组的前一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且等于所述参考电阻值。2.根据权利要求1所述的基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，所述比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值之后，还包括: 若所述目标组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值不相同，则调整对应的离子注入机的能量控制单元的设备参数，以使所述离子注入能量的工艺参数匹配。3.根据权利要求1所述的基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，所述比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值之前，包括: 去除所述至少两组离子注入后的各晶圆的膜层，获得所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底； 测试所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底的电阻值。4.根据权利要求1所述的基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，所述至少两组中的第一组的膜层厚度不小于(RP+6X Λ Rp)，所述至少两组中的最后一组的膜层厚度不大于(RP+3X ARp);其中，Rp为离子注入机所注入离子的投影射程Rp，ARp为所述投影射程Rp的标准偏差。5.根据权利要求1-4任一项所述的基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，所述确定离子注入能量的工艺参数匹配之后，还包括: 对所述离子注入机采用离子注入剂量的匹配方法，调整离子注入机的剂量控制单元的设备参数，以使离子注入剂量的工艺参数匹配；所述离子注入机所注入离子的投影射程Rp满足 Rp > (3X Δ Rp)。6.根据权利要求1-4任一项所述的基于离子注入的工艺参数匹配方法，其特征在于，同一组晶圆的掺杂类型相同，若晶圆为P型掺杂则进行离子注入所采用的注入离子为N型，若晶圆为N型掺杂则进行离子注入所采用的注入离子为P型。7.一种基于离子注入的工艺参数匹配装置，其特征在于，包括: 离子注入模块，用于针对至少两组中每一组晶圆，利用至少两台离子注入机分别对所对应的晶圆以预设工艺参数进行离子注入；所述晶圆包括衬底和在所述衬底表面覆盖的膜层，所述至少两组晶圆的衬底的电阻值均为参考电阻值，同一组晶圆的膜层厚度相同，各组晶圆的膜层厚度按照离子注入顺序依次减小； 热处理模块，用于对所述至少两组离子注入后的各晶圆进行热处理； 比较模块，用于比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值； 第一匹配模块，用于若所述至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，则确定所述至少两台离子注入机的离子注入能量的工艺参数匹配；其中，所述目标组的前一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且等于所述参考电阻值。8.根据权利要求7所述的基于离子注入的工艺参数匹配装置，其特征在于， 所述第一匹配模块，还用于若所述目标组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值不相同，则调整对应的离子注入机的能量控制单元的设备参数，以使所述离子注入能量的工艺参数匹配。9.根据权利要求7所述的基于离子注入的工艺参数匹配装置，其特征在于，所述装置，还包括: 测试模块，用于去除所述至少两组离子注入后的各晶圆的膜层，获得所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底；测试所述至少两组离子注入后的各晶圆的衬底的电阻值。10.根据权利要求7-9任一项所述的基于离子注入的工艺参数匹配装置，其特征在于，所述装置，还包括: 第二匹配模块，用于对所述离子注入机采用离子注入剂量的匹配方法，调整离子注入机的剂量控制单元的设备参数，以使离子注入剂量的工艺参数匹配；所述离子注入机所注入离子的投影射程Rp满足Rp > (3X Δ Rp)。
【专利摘要】本发明提供一种基于离子注入的工艺参数匹配方法和装置，通过针对至少两组中每一组在衬底表面覆盖有膜层的晶圆，利用至少两台离子注入机分别对所对应的晶圆以预设工艺参数进行离子注入，然后对至少两组离子注入后的各晶圆进行热处理，比较同一组热处理后的各晶圆的衬底的电阻值，若至少两组中的目标组中，热处理后的各晶圆的衬底的电阻值相同且不等于所述参考电阻值，从而确定离子注入能量的工艺参数匹配，提高了工艺参数匹配的准确度。
【IPC分类】H01J37/317, H01L21/67, H01J37/304, H01L21/66
【公开号】CN105448757
【申请号】CN201410400308
【发明人】潘光燃, 王焜, 文燕, 石金成, 高振杰
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月14日