压Vb的时间的2倍，为保证第一电极2011a上的静电荷量和第二电极2011b上的静电荷量相等，则应该设置第一电压Va的数值为第二电压Vb的数值的1/2。
[0057]还需要说明的是，在本实施例中，承载装置201采用双电极的静电吸附方式固定。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以采用单电极静电吸附方式固定，即，吸附电极的数量为一个，其与电源的正极或负极电连接，用于向其提供正电压或负电压。在上述情况下，如图8所示，导电层221为沿转轴22的周向设置的环形导电层，吸附电极与环形导电层相连接，在环形导电层的外侧固定设置有与环形导电层相接触的接触电极26，因此，吸附电极、环形导电层、接触电极26和电源的正极或负极依次电连接，其中，接触电极26的数量可以为一个或者多个，只要能够实现环形导电层和电源的正极或负极电连接即可，如图8所示，接触电极的数量为两个且分别为26a和26b。
[0058]进一步需要说明的是，承载装置201也可以多电极静电吸附方式固定，在这种情况下，吸附电极的数量为至少两个，吸附电极、导电层221、接触电极26和电源25输出端(或者电源)一一对应，且为至少两个，至少两个导电层221沿转轴22的周向间隔设置，电源25每个输出端的输出电压为周期等于转轴旋转周期T的周期电压信号，并且每个输出端的输出电压设置方式与上述双电极静电吸附方式中电源每个输出端的输出电压的设置方式相类似，在此不再详述。
[0059]另外需要说明的是，在本实施例中，转轴22不仅具有旋转传递功能，还具有以下两个功能:第一，实现电源25和吸附电极连接的功能，第二，实现输送冷却介质的功能。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，转轴22还可以在具有旋转传递功能的同时仅具有第一功能，在这种情况下，转轴22的一端不需要贯穿承载装置201的上下表面，只需要贯穿承载装置201的下表面与承载装置201固定，且使转轴22导电层221和承载装置201内吸附电极连接即可。转轴22还可以在具有旋转传递功能的同时仅具有第二功能，在这种情况下，转轴22的一端需要贯穿承载装置201的上下表面，且使得转轴22的第一冷却管道223与托盘202的第二冷却管道相连通，而且，转轴22的一端不仅可以与托盘202固定连接，而且还可以与承载装置201固定连接。
[0060]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种等离子体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有承载装置和托盘，所述托盘用于承载多个基片，所述承载装置用于承载所述托盘，其特征在于，在所述承载装置内设置有吸附电极，所述吸附电极与电源电连接，以使所述托盘与所述承载装置采用静电吸附的方式固定，还包括驱动装置和转轴，所述转轴对应所述托盘的中心区域设置，所述转轴的一端与所述承载装置固定连接，所述转轴的另一端与所述驱动装置的驱动轴相连接，借助所述驱动装置的驱动轴旋转驱动所述转轴围绕该转轴中心轴水平旋转，以带动所述承载装置和所述托盘围绕该托盘中心轴水平旋转。2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述转轴的一端贯穿所述承载装置的下表面与所述承载装置固定连接；并且，所述转轴的外周壁上设置有导电层，所述导电层与所述吸附电极电连接，在所述导电层的外侧固定设置有与所述导电层相接触的接触电极，所述接触电极与所述电源电连接，所述电源通过所述接触电极、所述导电层与所述吸附电极电连接。3.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述导电层、所述吸附电极、所述接触电极和所述电源输出端一一对应，且至少为两个，并且至少两个所述导电层沿所述转轴的周向间隔设置。4.根据权利要求3所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述吸附电极包括第一电极和第二电极，定义所述第一电极和所述第二电极上需要施加的电压分别为第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压的电性相反；所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别与所述第一电极和第二电极电连接；所述接触电极包括与第一导电层和第二导电层对应的第一接触电极和第二接触电极；所述电源包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端与所述第一接触电极电连接，所述第二输出端与所述第二接触电极电连接；预设所述第一输出端和第二输出端的输出电压均为周期等于所述转轴旋转周期的周期电压信号，并且 所述第一输出端的输出电压设置为:当所述转轴的第一导电层旋转至与所述第一接触电极相接触的位置处时，所述第一输出端的输出电压为所述第一电压；当所述转轴的所述第二导电层旋转至与所述第一接触电极相接触的位置处时，所述第一输出端的输出电压为所述第二电压； 所述第二输出端的输出电压设置为:当所述转轴的第一导电层旋转至与所述第二接触电极相接触的位置处时，所述第二输出端的输出电压为所述第一电压；当所述转轴的所述第二导电层旋转至与所述第二接触电极相接触的位置处时，所述第二输出端的输出电压为所述第二电压。5.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述导电层为沿所述转轴的周向设置的环形导电层，所述吸附电极与所述环形导电层电连接，在所述环形导电层的外侧固定设置有与所述环形导电层相接触的接触电极，所述接触电极与所述电源的电连接，所述电源通过所述接触电极、所述环形导电层与所述吸附电极电连接。6.根据权利要求3或5所述的等离子体加工设备，其特征在于，在所述导电层和所述转轴的外周壁之间设置有绝缘层。7.根据权利要求3所述的等离子体加工设备，其特征在于，在相邻两个所述导电层之间设置有绝缘层。8.根据权利要求1或2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述转轴的一端贯穿所述承载装置的上下表面且与所述托盘接触，在所述转轴内且沿所述转轴的长度方向还设置有第一冷却管道，并且，在所述托盘内还设置有第二冷却管路，所述第一冷却管道与所述第二冷却管道相连通，冷却介质自所述第一冷却管道输送至所述第二冷却管路，以实现对所述基片进彳丁冷却。9.根据权利要求8所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述第一冷却管的输入端所在的所述转轴的端口处设置有磁流体密封件。10.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述承载装置由上至下依次设置有静电吸盘、卡座和加热台，所述转轴的一端与所述静电吸盘固定连接；或者，所述转轴的一端与所述静电吸盘和所述卡座均固定连接；或者，所述转轴的一端与所述静电吸盘、所述卡座和所述加热台均固定连接。11.根据权利要求1或10所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述转轴带动所述托盘水平旋转的相对旋转表面之间填充有硅胶或者硅胶与玻璃纤维的复合物。12.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述驱动装置设置在所述反应腔室的外侧，所述转轴的另一端贯穿所述反应腔室的腔室壁与所述驱动装置的驱动轴相连接，并且，在所述转轴与所述反应腔室的腔室壁相连接的位置处设置有磁流体密封件。13.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述托盘旋转的转速范围在O?1000转/分钟。14.根据权利要求13所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述托盘旋转的转速范围在O?100转/分钟。
【专利摘要】本发明提供了一种等离子体加工设备，包括反应腔室、驱动装置和转轴，在反应腔室内设置有承载装置和托盘，托盘用于承载多个基片，承载装置用于承载托盘，在承载装置内设置有吸附电极，吸附电极与电源电连接，以使托盘与承载装置采用静电吸附的方式固定，转轴对应托盘的中心区域设置，转轴的一端与承载装置固定连接，转轴的另一端与驱动装置的驱动轴相连接，借助驱动装置的驱动轴旋转驱动转轴围绕该转轴中心轴水平旋转，以带动承载装置和托盘围绕该托盘中心轴水平旋转。该等离子体加工设备可以提高位于同一圈层内多个基片的片间均匀性，从而可以提高单次工艺多个基片的均匀性。
【IPC分类】H01L21/687, H01L21/67, H01J37/32
【公开号】CN105448774
【申请号】CN201410438682
【发明人】马亮, 王铮
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月29日