一种等离子体助燃激励器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种等离子体助燃激励器。
【背景技术】
[0002]非平衡等离子体助燃技术是在工作气体(燃料、氧化剂或者可燃混合气)中进行放电，利用产生的非平衡等离子体的化学活性提高燃料的点火性能及燃烧特性的技术。其实质是等离子体中高能电子与反应物分子的非弹性碰撞，使反应物分子内能增加或能量转移及“形变”，导致分子键松弛、断裂或裂解成自由基，也可能发生电离和离解等过程，从宏观上可观察到反应物分子发生了电击穿，即放电现象。放电过程中产生了大量的活性原子、基团，从而影响燃烧系统的化学平衡，加速燃烧的化学动力学过程。
[0003]介质阻挡放电DBD可以在大气压或高于大气压的条件下产生等离子体不需要真空设备就能在较低的温度下获得化学反应所需的活性粒子具有特殊的光热声电等物理过程及化学过程，目前在表面处理材料改进环境工程等离子体点火与助燃等领域的应用已经受到越来越多的关注。
[0004]目前的激励器都安装在通道内壁，以不同形状、结构进行组合，这种激励器对通道中心助燃效果很弱，整体效率差。
【发明内容】
[0005]本实用新型提供了一种通道中心助燃效果好的等离子体助燃激励器。
[0006]本实用新型的技术方案:
[0007]该等离子体助燃激励器，包括支撑环和至少一个电极组件，其中电极组件的数量根据具体应用环境而定。电极组件固定在支撑环上且与支撑环的轴向垂直；电极组件包括两个电极片和绝缘层，绝缘层紧贴固定于两个电极片中间。
[0008]为了提高气体的流通性，电极片和绝缘层采用网片状结构。
[0009]上述绝缘层是在网片状电极的表面喷涂绝缘材料制成的或者网片状的绝缘材料。
[0010]上述两个电极片和绝缘层的网片状结构的网线重叠。
[0011]每个电极片的边缘部分均布有两个扇形缺口和两个接线柱，扇形缺口和接线柱交叉分布。
[0012]本实用新型的优点:
[0013]本实用新型采用网状电极结构，结构简单，有利于气体的流通，对通道内任何区域助燃效果一致；同时，可根据需要安装多组电极组片，大大提高助燃效果。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的结构示意图；
[0015]图2是本实用新型电极组件的结构示意图；
[0016]图3是一个电极片的结构示意图；
[0017]图4是另外一个电极片的结构示意图。
[0018]附图标记说明:1_通道；2_电极组件；3_支撑环；4_电极片A ;5_绝缘层；6-接线柱；7_扇形缺口。
【具体实施方式】
[0019]以下结合附图对本实用新型进行详述:
[0020]该等离子体助燃激励器，包括支撑环3和至少一个电极组件2，其中电极组件2的数量根据具体应用环境而定，支撑环固定在通道I上。电极组件2固定在支撑环3上且与支撑环3的轴向垂直；电极组件2包括两个电极片4和绝缘层5，绝缘层5紧贴固定于两个电极片4中间。为了提高气体的流通性，电极片4和绝缘层5采用网片状结构。绝缘层5是在网片状电极的表面喷涂绝缘材料制成的或者网片状的绝缘材料。两个电极片4和绝缘层5的网片状结构的网线重叠。每个电极片4的边缘部分均布有两个扇形缺口 7和两个接线柱6，扇形缺口 7和接线柱6交叉分布。
【主权项】
1.一种等离子体助燃激励器，其特征在于:包括支撑环和至少一个电极组件，电极组件固定在支撑环上且与支撑环的轴向垂直；所述电极组件包括两个电极片和绝缘层，绝缘层紧贴固定于两个电极片中间。2.根据权利要求1所述的等离子体助燃激励器，其特征在于:所述电极片是网片状结构。3.根据权利要求2所述的等离子体助燃激励器，其特征在于:所述绝缘层为网片状结构。4.根据权利要求3所述的等离子体助燃激励器，其特征在于:所述绝缘层是在网片状电极片的表面喷涂绝缘材料制成的。5.根据权利要求4所述的等离子体助燃激励器，其特征在于:所述两个电极片和绝缘层的网片状结构的网线重叠。6.根据权利要求5所述的等离子体助燃激励器，其特征在于:每个电极片的边缘部分均布有两个扇形缺口和两个接线柱，扇形缺口和接线柱交叉分布。
【专利摘要】本实用新型提供了一种等离子体助燃激励器，包括支撑环和至少一个电极组件，其中电极组件的数量根据具体应用环境而定。电极组件固定在支撑环上且与支撑环的轴向垂直；电极组件包括两个电极片和绝缘层，绝缘层紧贴固定于两个电极片中间。为了提高气体的流通性，电极片和绝缘层采用网片状结构；绝缘层是在网片状电极的表面喷涂绝缘材料制成的或者网片状的绝缘材料。该等离子体助燃激励器采用网状电极结构，结构简单，有利于气体的流通，对通道内任何区域助燃效果一致；同时，可根据需要安装多组电极组片，大大提高助燃效果。
【IPC分类】H05H1/24
【公开号】CN204906836
【申请号】CN201520364431
【发明人】王红飞, 刘欢, 杨利青, 张洪, 王浩静, 蒋昱东
【申请人】中国科学院西安光学精密机械研究所
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年5月29日