>[0088]在本实施方式的技术方案中，与第一比较例的技术方案不同，溅射装置10具有进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部21b。因此，在本实施方式的技术方案中，因多个反馈控制存在所引起的振荡的问题被消除。
[0089]另外，作为一边消除振荡一边使腔室11内的反应性气体的分布沿着Y方向变均匀的技术方案，考虑只由一个第二供给部21b向腔室11内供给反应性气体的技术方案(第二比较例)。在该技术方案中，在腔室11十分小且腔室11内的各部分的结构在Y方向一侧与另一侧成为对称配置的情况下才有效。然而，在腔室11大的情况或腔室11内的各部分的结构在Y方向一侧与另一侧成为非对称的配置的情况下，由一个第二供给部21b难以使腔室11内的反应性气体的分布变均匀。特别地，近年，在考虑腔室11随着基板74的大型化而大型化时，只由一个第二供给部21b使腔室11内的反应性气体的分布变均匀特别困难。在此，基板74为大型就意味着基板74的宽度方向的长度在700_(毫米)以上。
[0090]在本实施方式的技术方案中，与第二比较例的技术方案不同，溅射装置10除了进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部21b，还具有以固定的第一供给量供给反应性气体的两个第一供给部21a。因此，在本实施方式的技术方案中，通过根据装置结构合适地设定第一供给量，在腔室11大的情况或腔室11内的各部分的结构在Y方向一侧与另一侧成为非对称的配置的情况下，也能够使腔室11内的反应性气体的分布变均匀。
[0091]另外，在一边供给作为反应性气体的氧气一边溅射铝靶材而在基板上形成氧化铝的膜的情况下，因靶材表面迅速被氧化等的影响，使膜质稳定化特别困难。这样，在反应性气体的供给量的调整进一步要求高精度的情况下，反馈控制第二供给量的本实施方式的技术方案特别有效。
[0092]<2变形例>
[0093]上面，说明了本发明的实施方式，但本发明在不脱离其宗旨的范围内，能够进行上述实施方式以外的各种变更。
[0094]在上述实施方式中，说明了由反应性溅射进行氧化铝成膜的处理的技术方案，但并不限定于此。本发明也能够适用于各种技术方案，例如，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在处理空间内对沿着搬运方向被搬运的基材实施等离子体处理。例如，本发明也能够适用于，一边向腔室11内(处理空间内)供给气体一边在该腔室11内对被搬运的基板进行等离子体CVD处理的技术方案。
[0095]另外，在上述实施方式中，对开口部22a、开口部22b以及开口部22a沿着腔室11内的基板74的宽度方向(Y方向)按顺序配置的技术方案进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以是开口部22b、开口部22a以及开口部22b沿着腔室11内的基板74的宽度方向(Y方向)按顺序配置。另外，作为别的例子，也可以是开口部22a、开口部22b、开口部22a、开口部22b以及开口部22a沿着腔室11内的基板74的宽度方向(Y方向)按顺序配置。这样，若是开口部22a与开口部22b沿着宽度方向交替地配置的技术方案，则多个开口部22b不会相邻，从而能够有效地防止振荡。另外，在溅射装置10具有多个第二供给部21b的情况下，优选溅射装置10具有与各第二供给部21b对应的多个分光器111。由此，能够由各第二供给部21b进行更精密的反馈控制。
[0096]另外，在上述实施方式中，对一个开口部22a由一个开口构成且一个开口部22b由一个开口构成的技术方案进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以是一个开口部22a由多个开口构成的技术方案和一个开口部22b由多个开口构成的技术方案。在该情况下，被调整流量的气体在上述供给路径的中途被分支而从多个开口被供给。
[0097]另外，在上述实施方式中，在观察XY平面时，对两个开口部22a向基板74的主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口且开口部22b向基板74的主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口的技术方案进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以是两个开口部22a向基板74的主面中的处理区域开口的技术方案。但是，在只有以反馈控制的第二供给量导入气体的开口部22b向处理区域开口的上述实施方式的技术方案中，优选能够以实时调整的流量向处理区域供给气体。
[0098]上面，对实施方式及其变形例的等离子体处理装置以及等离子体处理方法进行了说明，但它们只是本发明的优选的实施方式的例子，并不限定本发明的实施范围。本发明能够在其发明的范围内自由组合各实施方式，或者能够对各实施方式的任意构成要素进行变形，或者能够在各实施方式中省略任意构成要素。
【主权项】
1.一种等离子体处理装置，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于， 具有: 搬运部，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材， 至少一个第一供给部，以预定的固定的第一供给量从至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体， 至少一个第二供给部，以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体， 调整部，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述等离子体处理中的所述第二供给量，以及等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体； 在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700毫米以上。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 所述气体为氧气， 在所述等离子体处理中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。5.如权利要求1?4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 所述调整部利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。6.一种等离子体处理方法，一边向生成等离子体的处理空间供给气体，一边在所述处理空间内对沿着搬运方向进行搬运的基材执行等离子体处理，其特征在于， 具有: 设定工序，对从至少一个第一开口部向所述处理空间供给所述气体时的第一供给量进行设定，以及 等离子体处理工序，执行所述等离子体处理； 所述等离子体处理工序具有: 第一供给工序，至少一个第一供给部以固定的所述第一供给量从所述至少一个第一开口部向所述处理空间内供给所述气体， 第二供给工序，至少一个第二供给部以第二供给量从至少一个第二开口部向所述处理空间内供给所述气体， 调整工序，对所述处理空间内的存在于中央侧的所述气体的量进行测量，并根据测量结果进行反馈控制，从而调整所述第二供给量， 等离子体生成工序，在所述处理空间内生成等离子体，以及 搬运工序，在所述处理空间内沿着所述搬运方向搬运所述基材； 在所述处理空间内的与所述基材的主面平行的面内，所述至少一个第一开口部与所述至少一个第二开口部沿着与所述搬运方向垂直的宽度方向交替地配置。7.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于， 所述第一开口部向所述基材的所述主面中的不成为等离子体处理的对象的非处理区域开口，所述第二开口部向所述基材的所述主面中的成为等离子体处理的对象的处理区域开口。8.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于， 所述基材呈矩形形状，所述基材的所述宽度方向的长度为700毫米以上。9.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于， 所述气体为氧气， 在所述等离子体处理工序中，在所述处理空间内溅射铝靶材，并在与该铝靶材对置的所述基材上形成氧化铝的膜。10.如权利要求6?9中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于， 在所述调整工序中，利用等离子体发射监控PEM法来调整所述第二供给量。
【专利摘要】本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法，提供能够解决振荡等问题的气体供给技术。两个第一供给部(21a)以固定的第一供给量从开口部(22a)向腔室(11)内供给反应性气体。第二供给部(21b)以可变的第二供给量从开口部(22b)向腔室(11)内供给反应性气体。在等离子体处理中，利用PEM法的反馈控制调整第二供给量。这样，由于溅射装置(10)具有进行第二供给量的反馈控制的一个第二供给部(21b)，所以能够消除因存在多个反馈控制所引起的振荡的问题。
【IPC分类】C23C14/34, H01J37/32, C23C16/44
【公开号】CN105470088
【申请号】CN201510617300
【发明人】大泽笃史, 山本悟史
【申请人】株式会社思可林集团
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月24日