触孔；
[0073]步骤S103:在所述层间介电层上形成位于所述PN结二极管上方的电容。
[0074]实施例三
[0075]本发明实施例提供一种电子装置，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连的电子组件。其中，该半导体器件为实施例一所述的半导体器件，或根据实施例二所述的半导体器件的制造方法所制得的半导体器件。该电子组件，可以为分立器件、集成电路等任何电子组件。
[0076]示例性地，所述电子装置包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。
[0077]本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括上述半导体器件的中间产品。
[0078]本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而同样具有上述优点。
[0079]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容为MOM电容，其包括层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层与所述第二金属层之间以及所述第二金属层与所述第三金属层之间为金属间介电层。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述P型离子注入区通过位于所述层间介电层内的接触孔与所述第一金属层相连。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容在所述半导体衬底的上表面的投影完全落入所述P型离子注入区所在的区域。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成所述N阱的工艺条件包括:注入的离子为砷，注入能量为300Kev，注入剂量为2.6E12，注入角度为7°。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，形成所述P型离子注入区的工艺条件包括:注入的离子为硼，注入能量为30Kev，注入剂量为1E12，注入角度为0°。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括CMOS图像传感器，其中，所述CMOS图像传感器包括光电二极管，所述光电二极管包括位于半导体衬底内的P型区和N型区，所述N阱与所述光电二极管的N型区的材料相同，所述P型离子注入区与所述光电二极管的P型区的材料相同。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括CMOS图像传感器，其中所述PN结二极管为所述CMOS图像传感器的光电二极管。9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤SlOl:提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分； 步骤S102:形成位于所述半导体衬底上的层间介电层以及位于所述层间介电层内的接触孔； 步骤S103:在所述层间介电层上形成位于所述PN结二极管上方的电容。10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成的所述电容为MOM电容，所述MOM电容包括层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层，其中所述第一金属层与所述第二金属层之间以及所述第二金属层与所述第三金属层之间为金属间介电层。11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，形成的所述接触孔位于所述P型离子注入区的上方并与所述P型离子注入区相连；并且，在所述步骤S103中，形成的所述第一金属层通过所述接触孔与所述P型离子注入区相连。12.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，形成的所述电容在所述半导体衬底的上表面的投影完全落入所述P型离子注入区所在的区域。13.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤SlOl中，形成所述N阱的工艺条件包括: 注入的离子为砷，注入能量为300Kev，注入剂量为2.6E12，注入角度为7°。14.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤SlOl中，形成所述P型离子注入区的工艺条件包括: 注入的离子为硼，注入能量为30Kev，注入剂量为1E12，注入角度为0°。15.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件还包括CMOS图像传感器，其中，所述CMOS图像传感器包括光电二极管，所述光电二极管包括位于半导体衬底内的P型区和N型区，所述N阱与所述光电二极管的N型区在同一工艺中制造，所述P型离子注入区与所述光电二极管的P型区在同一工艺中制造。16.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括CMOS图像传感器，其中所述PN结二极管为所述CMOS图像传感器的光电二极管。17.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。
【专利摘要】本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的层间介电层和位于所述层间介电层上的电容，还包括位于所述半导体衬底内且位于所述电容下方的由P型离子注入区和N阱构成的PN结二极管，其中所述N阱位于所述P型离子注入区的下方并包围所述P型离子注入区位于所述半导体衬底内的部分。本发明的半导体器件由于包括设置于电容下方的PN结二极管，因此可以防止来自半导体衬底的噪声进入电容，提高半导体器件的抗噪声能力。本发明的制造方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，因而同样具有上述优点。
【IPC分类】H01L21/02, H01L21/265, H01L23/64
【公开号】CN105514091
【申请号】CN201410486996
【发明人】殷登平
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月22日
【公告号】US20160086940