处理装置以及处理方法
【专利说明】处理装置以及处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2014年11月4日提出的日本在先申请第2014-224480号并要求其优先权，该申请的全部内容通过弓I用记入本申请中。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及处理装置以及处理方法。
【背景技术】
[0004]在半导体装置、平板显示器等电子设备的制造中，执行使用了氢氟酸缓冲液(BHF ;buffered hydrogen fluoride)的蚀刻处理和洗净处理等。
[0005]在使用了氢氟酸缓冲液的处理中，为了应对微细化而不断地将氢氟酸缓冲液的处理速率(例如蚀刻处理中的蚀刻速率、洗净处理中的除去速率等)设定得低。
[0006]此外，在使用了氢氟酸缓冲液的处理中，不断地将已使用的氢氟酸缓冲液回收而再利用。
[0007]但是，若反复使用相同的氢氟酸缓冲液，则有处理速率逐渐变高的问题。
[0008]若处理速率逐渐变高，则使得氧化膜等的除去量逐渐增加等，成为电子设备的品质不均匀的主要原因。
[0009]因此，期望即使是再利用氢氟酸缓冲液的情况也能够抑制处理速率的变动的技术的开发。
【发明内容】
[0010]—技术方案的处理装置具备:收纳部，收纳氢氟酸缓冲液；处理部，使用上述氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理；供给部，将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给；回收部，将在上述处理部中使用后的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给；运算部，对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算；以及补充液供给部，将包含氨和水在内、与运算后的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给。
[0011]另一技术方案的处理方法，具备如下工序:使用氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理的工序；将进行上述处理物的处理的工序中所使用过的上述氢氟酸缓冲液回收并再利用的工序；求取所回收的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量的工序；以及将含有氨和水在内、与所求出的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向进行再利用的上述氢氟酸缓冲液供给的工序。
【附图说明】
[0012]图1是用于例示本实施方式的处理装置I的示意图。
[0013]图2是用于例示处理液100的蒸发量和蚀刻速率(处理速率)的关系的曲线图。
[0014]图3是用于例示补充液110的氨的浓度与蚀刻速率的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0015]实施方式的处理装置具备:收纳氢氟酸缓冲液的收纳部；使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部；将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部；将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部；对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部；以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。
[0016]以下，参照附图对实施方式进行例示。
[0017]图1是用于例示本实施方式的处理装置I的示意图。
[0018]如图1所示，处理装置I中设有处理部2、处理液供给回收部3、补充液供给部4以及控制部5。
[0019]处理部2使用氢氟酸缓冲液(以下称为处理液100)来进行处理物的处理。
[0020]处理部2能够设为使用处理液100的蚀刻装置、洗净装置等。
[0021]处理部2能够设为片(日语:枚葉)式的装置(例如向旋转的处理物供给处理液100的装置)、分批(batch)式的装置(例如使多个处理物浸渍在处理液100之中的装置)、向通过辊等输送的处理物供给处理液100的装置等。
[0022]另外，处理部2中能够使用已知的蚀刻装置、洗净装置等，因此省略详细的说明。
[0023]处理液供给回收部3向处理部2供给处理液100，并回收在处理部2中使用过的处理液100。
[0024]处理液供给回收部3中设有收纳部31、检测部32、供给部33以及回收部34。
[0025]收纳部31收纳处理液100。
[0026]检测部32对处理液100的液面10a的位置进行检测。
[0027]如后述那样，只要检测处理液100的液面10a的位置的变化，就能够直接求出处理液100的蒸发量。
[0028]另外，蒸发量可以是重量也可以是体积。
[0029]检测部32能够设为具有例如投光部和受光部的光电传感器等。
[0030]收纳部31的侧壁连接着具有透光性的由氟树脂等形成的测量部31a。测量部31a能够由管状体形成。测量部31a在收纳部31的高度方向上延伸，上端侧和下端侧与收纳部31的内部相连。测量部31a的上端位于比液面10a靠上方。测量部31a的下端位于比液面10a靠下方。因此，收纳部31的内部的液面10a的位置和测量部31a的内部的液面10a的位置成为相同。
[0031]检测部32能够沿着测量部31a延伸的方向设置多个。例如，检测部32能够沿着测量部31a延伸的方向而等间隔地排列设置。由于处理液100的折射率和空气等气体的折射率不同，因此折射角根据处理液100的有无而变化。因此，从测量部31a出射的光的行进方向变化。在从测量部31a出射的光的行进方向变化时，向受光部入射的光的量变化，因此根据从沿着测量部31a延伸的方向设置的多个检测部32的各自的受光部的输出，能够检测液面10a的位置。
[0032]另外，测量部31a并不是必须的，但若设置测量部31a则能够将液面10a的起伏等除去。
[0033]此外，例示了对液面10a的位置进行直接检测的情况，但也能够通过检测浮标等来间接地检测液面10a的位置。
[0034]此外，例示了检测部32是光电传感器的情况，但例如检测部32也可以是近距离传感器、超声波传感器等。
[0035]以上是基于处理液100的液面10a的位置的变化而求取处理液100的蒸发量的情况。
[0036]处理液100的蒸发量也能够基于例如处理液100的重量的变化而直接地求取。
[0037]此外，处理液100的蒸发量也能够基于例如处理液100的粘度的变化、处理液100的氢离子指数的变化而间接地求取。
[0038]因此，检测部32能够设为，对处理液100的液面10a的位置、处理液100的重量、处理液100的粘度、处理液100的氢离子指数等进行检测。
[0039]处理液100的重量能够通过在例如收纳部31的下方设置重量计或负荷传感器(load cell)等、从测量值减去事先求出的收纳部31的重量而求取。
[0040]此外，处理液100中含有容易蒸发的成分和难以蒸发的成分。
[0041]因此，由于处理液100蒸发时容易蒸发的成分较多地蒸发，所以通过处理液100的蒸发，处理液100的组分比变化。
[0042]例如，在作为氢氟酸缓冲液的处理液100中含有氟酸(氢氟酸)、氨、水。该情况下，氨以及水与氟酸相比容易蒸发，因此在处理液100蒸发时处理液100所包含的氟酸的浓度变高。
[0043]处理液100的组分比的变化能够通过对处理液100的粘度、氢离子指数等进行测量而求取。此外，在处理液100的组分比的变化与处理液100的蒸发量之间存在相关关系，因此根据处理液100的粘度、氢离子指数等能够间接地求取处理液100的蒸发量。
[0044]处理液100的粘度能够通过例如已知的粘度计来测量。
[0045]处理液100的氢离子指数能够通过例如已知的pH传感器来测量。
[0046]另外，处理液100的粘度、氢离子指数既能够在收纳部31的内部进行测量，也能够在收纳部31的外部(例如供给部33、回收部34等)进行测量。
[0047]此外，在电子设备的制造中以温度或压力等环境条件成为规定的范围内的方式进行控制。
[0048]因此，在处理液100的蒸发量与处理时间之间存在相关关系。
[0049]从而，根据事先通过实验或仿真等求出的处理液100的蒸发量与处理时间之间的关系、和测量出的处理时间，也能够求取处理液100的蒸发量。
[0050]若这样做则能够省略检测部32、测量部31a等。
[0051]供给部33将收纳部31所收纳的处理液100向处理部2供给。
[0052]供给部33中设有管线33a、开闭阀33b、管线33c、栗33d以及管线33e。
[0053]管线33a的一端设置在收纳部31所收纳的处理液100之中。
[0054]管线33a的另一端与开闭阀33b连接。
[0055]开闭阀33b能够设为例如具有对处理液100的抗性(日语:耐性)的气动阀等。
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