薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、一种显示基板、一种显示装置和一种薄膜晶体管的制作方法。
【背景技术】
[0002]随着薄膜晶体管(TFT)显示技术的飞速发展，显示器件的尺寸也在迅速的增大，但对于大尺寸显示器件，随着栅线和数据线行列数的增加，会导致TFT的充电时间过长，甚至充电不完全，出现灰阶下降等问题，因此需要增大TFT的开态电流。与此同时，如果TFT的关态漏电流过大，会使TFT的电压保持特性降低，功耗增加，因此也需要减小关态漏电流，提高薄膜晶体管的开关比，从而进一步提高薄膜晶体管的性能。
[0003]为此，现有技术主要通过双栅甚至多栅结构的TFT来实现上述效果，但双栅或多栅结构的TFT制备工艺比较复杂，会使成本增加。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何提高薄膜晶体管的开态电流，降低关态漏电流。
[0005]为此目的，本发明提出了一种薄膜晶体管，包括:
[0006]栅极；
[0007]栅绝缘层，设置在所述栅极之上；
[0008]第一有源层，设置在所述栅绝缘层之上；
[0009]第二有源层，设置在所述第一有源层之上，长度小于所述第一有源层的长度；
[0010]源极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第一侧面相接触；
[0011]漏极，设置在所述第一有源层之上，且与所述第二有源层的第二侧面相接触。
[0012]优选地，所述第一有源层的电阻率小于所述第二有源层的电阻率。
[0013]优选地，所述第一有源层和第二有源层的材料为铟镓锌氧化物。
[0014]优选地，所述第二有源层中铟的含量小于所述第一有源层中铟的含量。
[0015]优选地，所述第二有源层的垂直平分线与所述第一有源层的垂直平分线重合。
[0016]本发明还提出了一种显示基板，包括上述薄膜晶体管。
[0017]本发明还提出了一种显示装置，包括上述显示基板。
[0018]本发明还提出了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0019]在基底上形成栅极；
[0020]在所述栅极之上形成栅绝缘层；
[0021 ]在所述栅绝缘层之上形成第一有源层；
[0022]在所述第一有源层之上形成长度小于所述第一有源层的长度的第二有源层；
[0023]在所述第一有源层之上形成分别与第二有源层的两个侧面相接触的源极和漏极。
[0024]优选地，形成第一有源层和形成第二有源层包括:
[0025]在所述栅绝缘层之上形成第一半导体材料层；
[0026]在所述第一有源层材料层之上形成第二半导体材料层；
[0027]在所述第二半导体材料层之上形成光刻胶；
[0028]通过半掩膜对所述光刻胶进行蚀刻，以完全去除第一区域的光刻胶，部分去除第二区域的光刻胶，保留第三区域的光刻胶；
[0029]蚀刻掉所述第一区域的第一半导体材料层和第二半导体材料层，将剩余的第一半导体材料层作为所述第一有源层；
[0030]蚀刻掉所述第二区域的光刻胶；
[0031]蚀刻掉所述第二区域的第二半导体材料层，将剩余的第二半导体材料层作为所述第二有源层。
[0032]优选地，形成第一半导体材料层和第二半导体材料层包括:
[0033]通过磁控溅射铟镓锌氧化物的靶材以形成第一半导体材料层和第二半导体材料层。
[0034]优选地，形成第一半导体材料层包括:
[0035]通过第一功率在所述栅绝缘层之上磁控溅射铟镓锌氧化物的靶材；
[0036]形成第二半导体材料层包括:
[0037]通过第二功率在所述第一半导体材料层上磁控溅射铟镓锌氧化物的靶材，其中，所述第二功率大于所述第一功率。
[0038]通过上述技术方案，在有源层导通时，与导电底面相连的两个侧壁为第一有源层的两个侧壁，而在整个有源层的厚度与现有技术中有源层的厚度相同时，第一有源层的厚度小于现有技术中有源层的厚度，也即第一有源层的两个侧壁高度小于现有技术中有源层的两个侧壁的高度，因此相对于现有技术中有源层两个侧壁的电阻更小，从而提高了开态电流。
【附图说明】
[0039]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0040]图1示出了根据本发明一个实施例的薄膜晶体管的结构示意图；
[0041 ]图2示出了现有技术中有源层中的电流方向；
[0042]图3示出了根据本发明一个实施例的有源层中的电流方向；
[0043]图4示出了根据本发明一个实施例的薄膜晶体管的制作方法的示意流程图；
[0044]图5至图15示出了根据本发明一个实施例的薄膜晶体管的制作方法的具体示意流程图。
[0045]附图标号说明:
[0046]1-栅极;2-栅绝缘层;3-第一有源层;4-第二有源层;5-源极;6_漏极;7_钝化层;8_光刻胶;9-半掩膜;30-第一有源层材料层;40-第二有源层材料层。
【具体实施方式】
[0047]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0048]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0049]如图1所示，根据本发明一个实施例的薄膜晶体管，包括:
[0050]栅极I;
[0051]栅绝缘层2，设置在栅极I之上；
[0052]第一有源层3，设置在栅绝缘层2之上；
[0053]第二有源层4，设置在第一有源层3之上，长度小于第一有源层3的长度；
[0054]源极5，设置在第一有源层3之上，且与第二有源层4的第一侧面相接触；
[0055]漏极6，设置在第一有源层3之上，且与第二有源层4的第二侧面相接触，在源极5和漏极6之上设置有钝化层7。
[0056]在薄膜晶体管在导通状态下，如图2所示，现有技术中有源层中的电流方向是从与源极接触的侧壁向下，然后沿着底面流向与漏极接触的侧壁，最后从与漏极接触的侧壁向上。
[0057]其中，在有源层未导通状态下，有源层底面的电阻较大，例如为104Ω，两侧壁的电阻较小，例如分别为10 Ω，在有源层导通状态下，栅极位于有源层之下，使其底面电阻减小到趋近于O，而对于两侧壁的电阻影响较小，因此在有源层导通时，与底面直接相连的两个侧壁对导通电阻影响最大。
[0058]如图3所示，根据本实施例，在有源层导通时，与导电底面相连的两个侧壁为第一有源层3的两个侧壁，而在整个有源层(第一有源层和第二有源层)的厚度与现有技术中有源层的厚度相同时，第一有源层3的厚度小于现有技术中有源层的厚度，也即第一有源层3的两个侧壁高度小于现有技术中有源层的两个侧壁的高度，因此相对于现有技术中有源层两个侧壁的电阻更小，从而提高了开态电流。
[0059]除此之外，由于第二有源层4位于第一有源层3之上，因此第二有源层4对于从上方射入的光可以起到一定的遮挡作用，从而降低光对第一有源层3的影响。
[0060]优选地，第一有源层3的电阻率小于第二有源层4的电阻率。
[0061]本实施例可以降低源极5和漏极6之间沟道区(第一有源层3)的电阻，从而进一步降低开态回路中源极5和漏极6之间的电阻，进而提高开态电流。
[0062]并且在薄膜晶体管未导通状态下，漏电流的方向是从漏极6流经第二有源层4到源极5，本实施例将第二有源层4的电阻设置的较大(例如15 Ω)，可以起到降低关态漏电流的作用。
[0063]优选地，第一有源层3和第二有源层4的材料为铟镓锌氧化物。
[0064]IGZO(铟镓锌氧化物)的载流子迀移率是传统沟道区材料(非晶硅)的20?30倍，可以大大提高薄膜晶体管的充放电速率，从而提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应速度也提高了像素的行扫描速率。
[0065]优选地，第二有源层4中铟的含量小于第一有源层3中铟的含量。
[0066]由于铟镓锌氧化物的铟、镓和锌三种元素中，铟的s层电子轨道半径最大，所