有关，即凹槽2271的深度与存储电容的容量值成正比例关系，即凹槽2271的深度越深，第一公共电极层2253与第二公共电极层229形成的存储电容的容量值越大，使得液晶显示面板的存储电容的容量值越大。
[0029]本实施例通过第二金属层225形成新的第一公共电极层2253，与原ITO层的第二公共电极层229形成新的存储电容，相比现有技术，本发明能够增加液晶显示面板的存储电容的容量。进一步地，本实施例通过在树脂层227所对应的透光区域A-A上挖孔形成凹槽2271，且第二公共电极层229设置在凹槽2271上，从而降低了第一公共电极层2253与第二公共电极层229之间的距离，进一步加大了存储电容的容量，同时树脂层227所对应的非透光区域的厚度保持不变，不影响液晶显示面板的寄生电容的容量。
[0030]如图3所示，图3是本发明TFT基板的制造方法的流程示意图。该方法包括以下步骤:
[0031]步骤SlOl:在衬底层221形成第一金属层222。
[0032]步骤S102:在第一金属层222上形成第一绝缘层223。
[0033]步骤S103:在第一绝缘层223上形成半导体活性层224。
[0034]步骤S104:形成第二金属层225，其中，第二金属层225包括设置在半导体活性层224上的漏极2252和源极2251以及设置在第一绝缘层223上的第一公共电极层2253。
[0035]应理解，在步骤S104中，在形成第二金属层225时，需要将第二金属层225形成漏极2252和源极2251时，还需要将第二金属层225形成第一公共电极层2253，通过形成第二金属层225的步骤形成具有漏极2252、源极2251和第一公共电极层2253，能够节省制造成本。
[0036]步骤S105:在第二金属层225上形成第二绝缘层226。
[0037]步骤S106:在第二绝缘层226上形成树脂层227。
[0038]在步骤S106中，还包括在树脂层227上设置有露出第二绝缘层226的凹槽2271的步骤。其中，凹槽2251与TFT基板的透光区域A-A对应设置。应理解，本发明并不限定通过凹槽2271露出第二绝缘层226，在一些实施例中，凹槽2271可以不穿过树脂层227，凹槽2271的深度可以根据实际需要而设定，只要凹槽2271能够满足降低第一公共电极层2253与第二公共电极层229之间的距离即可。值得注意的是，凹槽2271的深度跟液晶显示面板的存储电容的容量值有关，即凹槽2271的深度与存储电容的容量值成正比例关系，即凹槽2271的深度越深，第一公共电极层2253与第二公共电极层229形成的存储电容的容量值越大，使得液晶显示面板的存储电容的容量值越大。
[0039]在步骤S106中，还包括在树脂层227上设置有露出第二金属层225的过孔2272的步骤。其中，过孔2272与TFT基板的非透光区域对应设置，
[0040]步骤S107:在树脂层227上形成ITO层(228、229)，其中，11'0层(228、229)包括第二公共电极层229。
[0041]在本实施例中，设置在TFT基板的透光区域A-A的第二公共电极层226设置在凹槽2271上。应理解，第二公共电极层229是部分设置在TFT基板的透光区域的，第二公共电极层229还有部分是设置在TFT基板的非透光区域的。另外，ITO层(228、229)还包括像素电极层228，像素电极层228设置在TFT基板的非透光区域，像素电极层228设置在过孔2272上。
[0042]本实施例通过第二金属层225形成新的第一公共电极层2253，与原ITO层的第二公共电极层229形成新的存储电容，相比现有技术，本发明能够增加液晶显示面板的存储电容的容量。进一步地，本实施例通过在树脂层227所对应的透光区域A-A上挖孔形成凹槽2271，且第二公共电极层229设置在凹槽2271上，从而降低了第一公共电极层2253与第二公共电极层229之间的距离，进一步加大了存储电容的容量，同时树脂层227所对应的非透光区域的厚度保持不变，不影响液晶显示面板的寄生电容的容量。
[0043]综上，本发明的TFT基板的制造方法包括:在衬底层形成第一金属层；在第一金属层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成半导体活性层;形成第二金属层，其中，第二金属层包括设置在半导体活性层上的漏极和源极以及设置在第一绝缘层上的第一公共电极层;在第二金属层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成树脂层;在树脂层上形成ITO层，其中，ITO层包括第二公共电极层;其中，第一公共电极层和第二公共电极层分别与TFT基板的透光区域对应设置。通过上述方式，本发明能够增大存储电容的容量，避免因增加存储电容的容量而造成的开口率下降的问题发生，同时能够使得液晶显示面板的穿透率变大，有效提升液晶显示面板的画面品质。
[0044]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在衬底层形成第一金属层； 在所述第一金属层上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成半导体活性层； 形成第二金属层，其中，所述第二金属层包括设置在所述半导体活性层上的漏极和源极以及设置在所述第一绝缘层上的第一公共电极层； 在所述第二金属层上形成第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上形成树脂层； 在所述树脂层上形成ITO层，其中，所述ITO层包括第二公共电极层； 其中，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别与所述TFT基板的透光区域对应设置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 在所述树脂层上设置有露出所述第二绝缘层的凹槽，其中，所述凹槽与所述TFT基板的透光区域对应设置。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，设置在所述TFT基板的透光区域的所述第二公共电极层设置在所述凹槽上。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ITO层还包括像素电极层，所述像素电极层设置在所述TFT基板的非透光区域。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 在所述树脂层上设置有露出所述第二金属层的过孔，其中，所述过孔与所述TFT基板的非透光区域对应设置，所述像素电极层设置在所述过孔上。6.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括衬底层、设置在所述衬底层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的半导体活性层、第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的树脂层以及设置在所述树脂层上的ITO层，其中，所述第二金属层包括设置在所述半导体活性层上的漏极和源极以及设置在所述第一绝缘层上的第一公共电极层，所述ITO层包括第二公共电极层，所述第一公共电极层和所述第二公共电极层分别与所述TFT基板的透光区域对应设置。7.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述树脂层设置有露出所述第二绝缘层的凹槽，所述凹槽与所述TFT基板的透光区域对应设置，设置在所述TFT基板的透光区域的所述第二公共电极层设置在所述凹槽上。8.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述ITO层还包括像素电极层，所述像素电极层设置在所述TFT基板的非透光区域。9.根据权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述树脂层上设置有露出所述第二金属层的过孔，其中，所述过孔与所述TFT基板的非透光区域对应设置，所述像素电极层设置在所述过孔上。10.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求6-9任一项所述的TFT基板。
【专利摘要】本发明公开了一种TFT基板的制造方法，包括：在衬底层形成第一金属层；在第一金属层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体活性层；形成第二金属层，其中，第二金属层包括设置在半导体活性层上的漏极和源极以及设置在第一绝缘层上的第一公共电极层；在第二金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成树脂层；在树脂层上形成ITO层，其中，ITO层包括第二公共电极层；其中，第一公共电极层和第二公共电极层分别与TFT基板的透光区域对应设置。本发明还公开一种液晶显示面板和TFT基板。通过上述方式，本发明能够增大存储电容的容量，避免因增加存储电容的容量而造成的开口率下降的问题发生。
【IPC分类】H01L23/522, G02F1/1362, H01L27/12
【公开号】CN105633096
【申请号】CN201610006482
【发明人】郝思坤
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月5日