1和22的厚度大于金属层30和第二绝缘层40的厚度之和)，且半导体层的上表面与第一区域和第二区域的金属层的上表面位于同一水平面(即半导体层50的上表面和金属层31与32的上表面位于同一水平面)。
[0053]根据本实施例，可以在形成第二绝缘层后，在第一区域和第二区域之间形成低于第一区域的金属层31和第二区域的金属层32的凹陷，形成的凹陷由半导体层50填充;并且由于半导体层的上表面与第一区域的金属层31和第二区域的金属层32的上表面位于同一水平面，可以使半导体层50与其两侧的金属层的接触面最大，也即有源层与源极和漏极的接触面最大，从而充分利用源极和漏极的侧面进行电荷传输，进而保证形成的薄膜晶体管信号传导能力尽可能的大。
[0054]由于本实施例中的半导体层与基底上的金属层，也即有源层与栅极之间的距离较小，可以使得栅极快速驱动薄膜晶体管导通与关断，提高形成的薄膜晶体管的开关灵敏度。
[0055]可选地，上述方法还包括:在半导体层的上表面形成第三绝缘层60，例如图10为在图8的基础上形成第三绝缘层60的结构，图11为在图9的基础上形成第三绝缘层60的结构。
[0056]本发明实施例中第三绝缘层60可以作为钝化层，用于避免半导体层与其他电路接触形成短路。
[0057]可选地，在第一区域和第二区域的金属层的上表面低于第一区域与第二区域之间的第三绝缘层60的上表面时，本发明实施例提供的薄膜晶体管的制备方法还包括:
[0058]如图12所示，刻蚀掉位于第一区域和第二区域的高于第一区域和第二区域之间第三绝缘层的层结构;或者，
[0059]如图13所示，在第一区域和第二区域之间第三绝缘层上形成填充层70，该填充层70的上表面与第一区域和第二区域中第三绝缘层60上表面位于同一水平面。
[0060]实际应用中，可以将本发明实施例提供的薄膜晶体管上表面设置为平面，从而方便后续在其上表面上设置其他层结构。
[0061]当然，除了上述两种实现薄膜晶体管上表面为平面的方法外，也可以在第一区域、第二区域和两者之间的区域形成平坦化层，以使三个区域的上表面位于同一水平面。
[0062]第二方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管，如图7所示，包括:
[0063]形成在基底10上第一区域与第二区域上如图4所示的第一绝缘层21与22;
[0064]形成在该第一绝缘层上和第一区域与第二区域之间基底上的金属层;如图5所示，具体包括在第一绝缘层21上表面形成金属层31，在第一绝缘层22上表面形成金属层32，以及第一区域与第二区域之间基底上的金属层30;
[0065]形成在上述金属层30、31和32上的第二绝缘层，如图6所示，具体包括在第一区域形成第二绝缘层41，在第二区域形成第二绝缘层42，在第一区域与第二区域之间形成第二绝缘层40 ；
[0066]形成在第二绝缘层之40、41和42上如图7所示的半导体层50、51和52，该半导体层50与上述第一绝缘层上的金属层31和32相接触。
[0067]可选地，第一绝缘层20的厚度等于金属层30与第二绝缘层40的厚度之和，且半导体层50的厚度大于或者等于金属层30的厚度。
[0068]可选地，第一绝缘层20的厚度大于金属层30与第二绝缘层40的厚度之和，且半导体层50的上表面与第一区域和第二区域的金属层31和32的上表面位于同一水平面。
[0069]可选地，本发明实施例提供的制备装置还包括形成在半导体层、第一绝缘层之上的金属层上的平坦化层。
[0070]其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
[0071]由上可以看出，本发明实施例提供的薄膜晶体管基于上文的薄膜晶体管的制备方法实现，因而可以解决同样的技术问题，并取得相同的技术效果，在此不再一一赘述。
[0072]第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，利用上述的薄膜晶体管制成。
[0073]第四方面，本发明实施例又提供了一种显示装置，利用上述的阵列基板制成。该显示装置可以为:显示面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0074]可以看出，上述阵列基板与显示装置由于包括上述任意一种阵列基板，因而可以解决同样的技术问题，并取得相同的技术效果，在此不再一一赘述。
[0075]需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0076]还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限定的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0077]以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限定;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 在基底上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上的第一区域和第二区域形成光刻胶； 蚀刻掉所述第一区域和所述第二区域之间的第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上和所述第一区域与所述第二区域之间的基底上形成金属层； 在所述金属层上形成第二绝缘层； 在所述第一区域与所述第二区域之间的第二绝缘层之上形成半导体层，半导体层与所述第一绝缘层上的金属层相接触。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度等于所述金属层与所述第二绝缘层的厚度之和，并且所述半导体层的厚度大于或者等于所述金属层的厚度。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度大于所述金属层与所述第二绝缘层的厚度之和，并且所述半导体层的上表面与所述第一区域和第二区域的金属层的上表面位于同一水平面。4.根据权利要求1?3任意一项所述的制备方法，其特征在于，还包括:在所述半导体层上形成第三绝缘层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一区域和第二区域的金属层的上表面低于所述第一区域与所述第二区域之间的第三绝缘层的上表面，所述方法还包括: 刻蚀掉位于所述第一区域和第二区域的高于所述第一区域和所述第二区域之间第三绝缘层的层结构;或者， 在所述第一区域和所述第二区域之间第三绝缘层上形成填充层，填充层的上表面与第一区域和第二区域中第三绝缘层上表面位于同一水平面。6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括: 形成在基底上第一区域与第二区域上的第一绝缘层； 形成在所述第一绝缘层上和所述第一区域与所述第二区域之间基底上的金属层； 形成在所述金属层上的第二绝缘层； 形成在所述第一区域与所述第二区域之间的第二绝缘层之上的半导体层，所述半导体层与所述第一绝缘层上的金属层相接触。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度等于所述金属层与所述第二绝缘层的厚度之和，且所述半导体层的厚度大于或者等于所述金属层的厚度。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度大于所述金属层与所述第二绝缘层的厚度之和，且所述半导体层的上表面与所述第一区域和第二区域的金属层的上表面位于同一水平面。9.根据权利要求6?8任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成在所述半导体层、所述第一绝缘层之上的金属层上的平坦化层。10.—种阵列基板，其特征在于，包括权利要求6?9任意一项所述的薄膜晶体管。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该制备方法包括：在基底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上的第一区域和第二区域形成光刻胶；蚀刻掉第一区域和第二区域之间的第一绝缘层；在第一绝缘层上和第一区域与第二区域之间基底上形成金属层；在金属层上形成第二绝缘层；在第一区域与第二区域之间的第二绝缘层之上形成半导体层，半导体层与第一绝缘层上的金属层相接触。该阵列基板与显示装置采用上述制备方法制备的薄膜晶体管制成。本发明仅需在蚀刻掉第一区域和第二区域之间的第一绝缘层进行一次掩膜工艺，减少薄膜晶体管的制作流程中掩膜工艺使用次数，简化了工艺流程、降低了制造难度。
【IPC分类】H01L29/786, H01L27/12, H01L21/336, H01L21/28
【公开号】CN105679675
【申请号】CN201610048623
【发明人】丁远奎, 程磊磊, 黄勇潮
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月25日