出吸收辐射的层和/或半导体部件的辐射出射面。换句话说，辐射可穿透的层的外面对于外部观察者而言由于位于其下的吸收辐射的层而至少局部地显现为黑色。例如，辐射可穿透的层利用硅树脂构成，所述硅树脂至少部分地被氧化(也称为玻璃化)。例如辐射可穿透的层的外面至少部分地被氧化。有利地，可以通过对辐射可穿透的层至少部分地进行氧化来减小辐射可穿透的层的外面的粘性。如此例如可以避免不希望的外部颗粒(例如灰尘颗粒)保持粘附和/或粘接在辐射可穿透的层的外面处。
[0018]根据至少一个实施方式，光电子半导体器件的载体具有至少一个连接部位。例如，该连接部位局部地构成载体的上侧处的面。
[0019]根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括布置在载体的连接部位的至少一个上方的至少一个层开口，所述层开口完全穿过吸收辐射的层并且从吸收辐射的层的背离载体的上侧朝着载体的下侧的方向延伸。例如，层开口具有至少一个侧面。开口的该至少一个侧面至少局部地通过吸收辐射的层构成。“在…上方”就此而言意指，连接部位和层开口在垂直方向上至少局部地重叠。在连接部位与层开口重叠的部位处，连接部位至少局部地无吸收辐射的层的材料。例如，连接部位可以经由吸收辐射的层中的层开口从外部被电接触。
[0020]根据至少一个实施方式，层开口在横向方向上与半导体部件相间隔地布置。也就是说，层开口布置在半导体部件的侧向上并且例如垂直于或基本上垂直于横向方向地伸展。
[0021 ]根据至少一个实施方式，在层开口中至少局部地布置导电材料。该导电材料例如利用金属或能导电的粘合剂构成。例如，该导电材料完全填充层开口。
[0022]根据至少一个实施方式，所述导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上。如果例如吸收辐射的层本身的背离载体的外面至少局部地构成器件的外面，则该导电材料可以至少局部地布置在吸收辐射的层的外面上并且与该外面在这些部位处直接接触。相应地适用于以下情况:辐射可穿透的层的背离载体的外面至少局部地构成器件的外面。
[0023]根据至少一个实施方式，所述导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接。也就是说，该导电材料将半导体部件与层开口连接并且在此在横向方向上在半导体部件和层开口之间至少局部地在器件的外面上伸展。
[0024]根据至少一个实施方式，借助于贯通接触部利用在载体的与上侧相对的下侧处的接触面建立在连接部位与载体的上侧处的另一连接部位之间的至少一个导电连接。在此，贯通接触部贯穿载体地延伸并且在侧向上被载体包围。借助于在载体的下侧处的接触面，光电子半导体器件例如可以借助于表面安装技术(也称为SMT)安装。
[0025]根据至少一个实施方式，层开口附加地完全穿过反射辐射的层和/或辐射可穿透的层。在该情况下，层开口的所述至少一个侧面附加地局部地通过吸收辐射的层或反射辐射的层构成。
[0026]根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少两个在载体的上侧处在横向方向上并排布置的发射辐射的半导体部件，其中发射辐射的半导体部件中的至少两个发射不同颜色的光。例如，光电子半导体器件包括发射蓝色光的发射辐射的半导体部件和发射黄色光的发射辐射的半导体部件。同样，根据对光电子半导体器件所提出的照明要求也可设想发射辐射的半导体器件的、可以发射不同颜色光的任意其它组合。有利地，发射不同颜色的半导体器件可以以可变的布置彼此节省空间地和紧凑地布置在一个共同的载体上。
[0027]根据至少一个实施方式，半导体部件的接合线接触部至少局部地由吸收辐射的层覆盖。接合线接触部将连接部位与半导体部件例如借助于接合线电连接。例如，接合线接触部完全地由吸收辐射的层覆盖。换句话说，于是接合线接触部完全地在吸收辐射的层内伸展。在该情况下，接合线接触部的接合线不伸出半导体部件。
[0028]根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少一个布置在载体的上侧处并且完全地由吸收辐射的层覆盖的电子部件。换句话说，在对半导体器件的外面的俯视图情况下，对于外部观察者而言该电子部件不再可识别。例如，该电子部件以与半导体部件相同的方式被电接触。也就是说，该电子部件可以同样经由接合线接触部和/或经由引入到吸收辐射的层中的层开口被接触，在所述层开口中至少局部地布置导电材料。例如，电子部件包含防止由静电充电引起的破坏的保护电路(也称为ESD保护电路)或者就是防止由静电充电引起的破坏的保护电路。
[0029]根据至少一个实施方式，所述导电材料局部地直接邻接吸收辐射的层。例如，该导电材料在此局部地在吸收辐射的层的背离载体的外面处伸展并且在那里部分地对该外面进行覆盖。在此，尤其可能的是，该导电材料利用辐射可穿透的材料，例如TCO(透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide))构成。作为福射可穿透的材料在此尤其是考虑ITO或ΖΝ0。由于对于该导电材料使用辐射可穿透的材料，吸收辐射的层的吸收辐射的作用未被降低。
[0030]根据至少一个实施方式，所述导电材料可以是辐射可穿透的，尤其是清澈的(klarsichtig)和透明的。
【附图说明】
[0031]下面根据实施例和附图更详细地阐述这里所述的光电子半导体器件。
[0032]图1A、1B、1C、1D、2A、2B、2C、2D、2E、3A、3B、3C、3D、4A和4B以示意性视图示出这里所述的光电子半导体器件的不同实施例。
[0033]在所述实施例中和在图中，相同的或作用相同的组成部分分别配备有相同的附图标记。所示的元件不应被看作是按比例的，更确切地各个元件为了更好的理解可以不同大小地示出。
【具体实施方式】
[0034]图1A在示意性剖面图中示出这里所述的光电子半导体器件100的实施例。半导体器件100的载体I具有上侧11以及与上侧11相对的下侧12。例如，载体I利用塑料材料和/或陶瓷材料构成。另外，载体I在其上侧I I处具有连接部位13。以一排在横越方向(Querrichtung)LU参见图1B和1C)中发射福射的半导体部件2的形式分别利用半导体部件2的两个分别相对的主面之一施加到载体I的在横向方向L上分别布置在连接部位13旁边的连接部位2A上。该横越方向LI在此与载体I的主延伸方向平行地以及与横向方向L成直角地伸展。每个发射辐射的半导体部件2借助于接合线接触部9与分配给发射辐射的半导体部件2的连接部位13电接触。另外，载体I在其下侧12处具有在横向方向L上并排布置的接触面14A和14B。在接触面14A、14B与载体I的上侧11处的连接部位13、2A之间的导电连接借助于贯通接触部15来建立。换句话说，贯通接触部15从载体I的上侧11出发连贯地向载体I的下侧12的方向延伸。
[0035]在此，接触面14A用于电接触分别分配给其的连接部位13，而接触面14B用于电接触分别分配给其的连接部位2A ο如果载体I利用其接触面14A、14B被施加在接触载体上，则光电子半导体器件100可以经由接触面14A、14B被电接触。于是光电子半导体器件100是可表面安装的。
[0036]另外，每个发射辐射的半导体部件2均具有辐射出射面6，在发射辐射的半导体部件2运行中所产生的电子辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开半导体部件2。辐射出射面6是发射辐射的半导体部件2的背离载体I的主面。发射辐射的半导体部件2的侧面23将两个主面相互连接并且与两个主面成直角地或者基本上成直角地伸展。
[0037]另外，光电子半导体器件100包括完全地和形