屏蔽掩模组件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型公开的实施方式大体涉及一种掩模。特定而言，本实用新型公开的实 施方式大体涉及一种用于制造光电器件的陶瓷掩模。
【背景技术】
[0002] 采用有机材料的光电器件因多种原因正日益成为理想选择。由于许多用于制造此 类器件的材料相对便宜，因此有机光电器件比无机器件具有成本优势潜力。而且，有机材料 的柔韧性等固有特性可有利于一些具体应用，比如用于在柔性基板上沉积或形成的应用。 有机光电器件的实例包括有机发光器件（OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光 电探测器。
[0003] 对于OLED，有机材料被认为较传统材料优势更明显。举例来说，有机发射层发射光 的波长一般可易于用适当的掺杂剂调节。OLED采用了在电流流过器件时发射光的有机薄 膜。OLED正成为一种日益受到关注的用于诸如智能手机及平板显示器、照明和背光之类的 应用的技术。
[0004] 在OLED材料蒸发沉积之前和期间，沉积过程中批次间的细小差异和温度变化导 致掩模（例如用于将特征转移至基板表面上的掩模）变形或断裂。处理过程中的温度波动 和变化限制了掩模用来对相对小的基板进行蒸发图案化的使用。此外，掩模与基板表面间 的热膨胀系数不匹配经常会造成所述基板表面与所述掩模之间出现过宽的间隙，进而导致 沉积膜不均匀或轮廓变形。另外，热处理期间来自掩模的热膨胀通常导致与基板接触的表 面平整度不足，进而造成基板表面上沉积结构的轮廓变形或外张。
[0005] 因此，对在光电器件的制造工艺期间具有最小热变形的改进的掩模具有持续的需 要。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型公开的实施方式大体涉及一种用于制造光电器件的陶瓷屏蔽掩模组 件。在一个实施方式中，屏蔽掩模组件包括：具有由围绕图案的多个掩模支撑件界定的图案 的掩模，其中所述掩模由陶瓷材料制造；及连接至所述掩模的框架。
[0007] 在另一实施方式中，屏蔽掩模组件包括框架、连接至陶瓷框架的陶瓷掩模，其中所 述陶瓷掩模包含至少一个图案界定特征和与所述至少一个图案界定特征的一侧相邻形成 的多个掩模支撑件。
【附图说明】
[0008] 为了能详细理解本实用新型的上述特征，可通过参照实施方式获得上文简要概述 的本实用新型的更加具体的描述，其中一些实施方式示于附图中。然而，应注意的是，附图 中仅图示本实用新型的典型实施方式，并因此不应视为对本实用新型的范围的限制，因为 本实用新型可允许其它同等有效的实施方式。
[0009] 图1图示根据一个实施方式的其内设置有陶瓷掩模的处理腔室的截面图；
[0010] 图2图示在处理腔室中使用的屏蔽掩模组件的一个实施方式的顶视图；及
[0011] 图3图示在处理腔室中使用的屏蔽掩模组件的另一实施方式的顶视图。
[0012] 为帮助理解，已尽可能使用相同标记数字来表示各附图中共用的相同元件。应考 虑到，一个实施方式的元件和特征可有利地并入其它实施方式而无需进一步详述。
【具体实施方式】
[0013] 本实用新型公开的实施方式大体涉及一种沉积期间用于处理腔室中的屏蔽掩模 组件，尤其涉及一种由陶瓷材料制成的屏蔽掩模组件。陶瓷屏蔽掩模组件用于在材料沉积 至基板上期间将特征转移至基板表面上。所述陶瓷屏蔽掩模组件可在沉积工艺期间提供最 小热膨胀，以防止所述屏蔽掩模组件变形，所述变形会不良地导致不期望的膜不均匀。所述 陶瓷屏蔽掩模组件用于有机器件的发射层的沉积，其中显示器的不同颜色均通过所述陶瓷 屏蔽掩模组件分别沉积且所述陶瓷屏蔽掩模组件被设计成仅允许在显示器中存在的有源 OLED的一部分上沉积（例如，通过陶瓷屏蔽掩模组件仅沉积红色发射层的陶瓷屏蔽掩模组 件、通过另一陶瓷屏蔽掩模组件仅沉积绿色或蓝色发射层的另一陶瓷屏蔽掩模组件等）。
[0014] 图1图示根据一个实施方式的具有屏蔽掩模组件107的处理腔室100的一部分。 处理腔室100可为适用于所述实施方式的标准处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室100 可为购自AKT美国公司（AKTAmerica,Inc.，美国加州圣克拉拉市应用材料公司（Applied Materials,Inc.)的子公司）的腔室。应了解，本实用新型所述实施方式可在其它腔室上实 施，包括其他制造商出售的腔室。
[0015] 基板102可安置在处理腔室100中与静电夹盘（未图示）连接。基板102可为适 用于沉积OLED的基板。在一个实施方式中，基板102实质上由玻璃构成。基板102可具有 大范围的尺寸（例如长度、宽度、形状、厚度等）。在一个实施方式中，基板102大约长1米、 宽1米。在此实施方式中，图示基板102具有形成在下表面103上的阴极层104。阴极层 104可包含氧化铟锡（ITO)。在其它实施方式中，阴极层104不连续且结合OLED层（未图 示）的形成而形成在基板102上。
[0016] 源108设在基板102和阴极层104下方。通常源108可以是能够产生沉积气体110 的源舟或其它容器或盛器。能设置沉积气体110以在阴极层104之上沉积其它层，比如发 射层、空穴传输层、颜色变化层或形成OLED结构所要求或需要的其它层（未图示）。在一个 实施方式中，源108产生沉积气体110,以在阴极层104之上形成发射层（未图示）且在所 述发射层之上形成颜色变化层。在另一实施方式中，源108产生沉积气体110,以在阴极层 104之上形成颜色发射层（未图示）。可在阴极层104之上形成一或多个额外的层，比如电 子传输层（未图不）。
[0017] 基板102与源108之间设有屏蔽掩模组件107。应了解的是，屏蔽掩模组件107并 未按比例绘制，其相对于相关结构在长度、宽度或高度方面可能小于或大于图示尺寸。在一 个实施方式中，用于屏蔽掩模组件107或其部件的合适材料包括提供良好强度和耐久性以 及良好热传递特性的陶瓷材料，比如掺杂或未掺杂的石英材料、玻璃材料、含硅材料、介电 材料、陶瓷与金属的复合材料，或在沉积工艺期间提供最小热膨胀（例如最小热膨胀系数） 的任何其它合适材料。
[0018] 屏蔽掩模组件107可具有允许覆盖基板102的至少一部分的尺寸和形状。在一个 实施方式中，屏蔽掩模组件107长2米到3米、高1. 5米到2米。屏蔽掩模组件107厚度 可小于200ym，比如其厚度为100ym。在一个实施方式中，屏蔽掩模组件107小于100ym。 屏蔽掩模组件107可包括设在框架112中的掩模106。此外，能使用一或多个微致动器114 将掩模106连接至框架112。框架112可具有允许微致动器114作用于掩模106而框架112 不变形或有限变形的刚度。在一个实施方式中，框架112可由与掩模106的材料类似的材料 构成。在一个实施方式中，框架112连同掩模106可由提供良好强度和耐久性以及良好热 传递特性的陶瓷材料制成，比如掺杂或未掺杂的石英材料、玻璃材料、含硅材料、介电材料、 陶瓷与金属的复合材料，或由在沉积工艺期间提供最小热膨胀（例如最小热膨胀系数）的 任何其它合适的材料制成。尽管从该图中仅能看到两个微致动器114,但能使用一或多个微 致动器114以将掩模106安置在框架112内。
[0019] 掩模106被放入框架11