机 控制算法进行补偿。微致动器114可被设置为以特定频率连续不断地或时断时续地根据源 自对齐标记322的对齐数据来对齐掩模320。因此，微致动器114能依照基板102上的特征 来维持掩模320的适当所需的对齐和尺寸。
[0027] 在进一步的实施方式中，微致动器114能提供限定至基板102上当前沉积区域的 张力。由于在扫描期间知道蒸发头/喷嘴（图1中的源108)在多点源阵列或线源配置中 的位置，所以掩模320的微致动器114能调整，以便至少在基板102的受影响区域上正确对 齐掩模320。在此实施方式中，认为只需要在头部的位置维持瞬时和局部对齐。更局部化控 制掩模320的对齐能减小维持掩模与基板对齐的挑战。
[0028] 在一个实施方式中，框架112和掩模320由掺杂或未掺杂的玻璃材料、蓝宝石、碳 化硅或类似材料制成。在另一实施方式中，框架112和掩模106可由包括不同陶瓷和金属 组分的复合材料制成，比如具有分散陶瓷颗粒的金属。举例来说，框架112和掩模320由 掺有金属的陶瓷材料制成，比如氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料、氧化锂硅玻璃材 料、氮化铝、氧化铝、含钇材料、氧化钇（Y203)、钇-铝-石榴石（YAG)、氧化钛（TiO)或氮化 钛（TiN)。在一特定实施方式中，框架112和掩模106由氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻 璃材料、氧化锂硅玻璃材料或类似材料制成。
[0029] 如上所述，由于相对于框架112而言掩模320直接暴露于来自等离子体的腐蚀性 物种，因此在某些实施方式中，掩模320可由不同于框架112的材料制成，以为掩模320提 供更耐等离子体或更耐热的材料，以使掩模320在等离子体工艺期间维持下去。在这个特 定实施方式中，掩模320由掺杂或未掺杂的玻璃材料制成，而框架112可由任何材料制成， 包括陶瓷材料、介电材料、金属材料或任何所需要的导电材料。在一个实例中，掩模320由 诸如氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料或氧化锂硅玻璃材料之类的陶瓷材料制成， 框架112由诸如铝、氧化铝、INVAR(64FeNi)、ASTM标准5钛（Ti-6A1-4V)、钛、铝、钼、铜、440 不锈钢、HASTELLOY?合金C-276、镍、铬钼钢、304不锈钢、其它含铁组成物之类的金 属材料或上述材料的组合制成。
[0030] 本实用新型公开的实施方式涉及可用于制造屏蔽掩模组件的陶瓷材料，所述屏蔽 掩模组件包括设置在屏蔽掩模组件中的掩模和框架。由于被选择以用于制造掩模和框架的 材料被选择成在热处理期间具有最小热膨胀系数，因此可有效消除沉积轮廓变形且可满意 地获得沉积工艺控制质量。由陶瓷材料制造的屏蔽掩模组件可产生更精确的沉积产物。
[0031] 虽然上述内容针对本实用新型的实施方式，但在不背离本实用新型的基本范围的 情况下可设计本实用新型的其它及进一步的实施方式。
【主权项】
1. 一种屏蔽掩模组件，其特征在于，所述屏蔽掩模组件包含： 掩模，所述掩模内形成有多个图案界定特征，其中所述掩模由陶瓷材料制成；及 框架，所述框架连接至所述掩模。
2. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模包含掺杂或未掺杂的 玻璃材料。
3. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模包含选自由以下材料 组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料。
4. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模包含热膨胀系数小于 0? I ym/(m*K)的材料。
5. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述框架包含掺杂或未掺杂的 玻璃材料。
6. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述框架包含选自由以下材料 组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料。
7. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模包含选自由以下材料 组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料，而所述 框架由铝、氧化铝、1爪^1?(64卩6附）、43了11标准5钛〇1-641-4￥)、钛、铝、钼、铜、440不锈钢、 镍、铬钼钢、304不锈钢或上述材料的组合制成。
8. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述框架通过多个微致动器连 接至所述掩模。
9. 根据权利要求1所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模能从所述框架移除。
10. -种屏蔽掩模组件，其特征在于，所述屏蔽掩模组件包含： 陶瓷框架； 陶瓷掩模，所述陶瓷掩模连接至所述陶瓷框架，其特征在于，所述陶瓷掩模包含： 片状物；及 至少一个图案界定特征，所述图案界定特征形成在所述片状物中。
11. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述片状物包含陶瓷材料。
12. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述陶瓷掩模包含掺杂或未 掺杂的玻璃材料。
13. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述陶瓷掩模包含选自由以 下材料组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料。
14. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述掩模能从所述框架移除。
15. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述框架包含掺杂或未掺杂 的玻璃材料。
16. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述框架包含选自由以下材 料组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料。
17. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述陶瓷掩模包含选自由以 下材料组成的群组的材料：氧化锂铝硅玻璃材料、氧化铝硅玻璃材料和氧化锂硅玻璃材料， 而所述框架由铝、氧化铝、INVAR(64FeNi)、ASTM标准5钛（Ti-6A1-4V)、钛、铝、钼、铜、440 不锈钢、镍、铬钼钢、304不锈钢或上述材料的组合制成。
18. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述陶瓷掩模进一步包含： 穿过所述陶瓷掩模的一或多个掩模开口；及 多个微致动器，所述多个微致动器通过所述一或多个掩模开口将所述框架耦接至所述 陶瓷掩模。
19. 根据权利要求18所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述微致动器与所述陶瓷掩 模和所述框架共面。
20. 根据权利要求10所述的屏蔽掩模组件，其特征在于，所述陶瓷掩模和所述框架由 热膨胀系数小于0.1 ym/(m*K)的材料制成。
【专利摘要】本实用新型所描述的实施方式大体涉及一种屏蔽掩模组件。所述屏蔽掩模组件能用于沉积腔室中，尤其用于OLED领域。在一个实施方式中，屏蔽掩模组件包括：掩模，所述掩模具有由围绕图案的多个掩模支撑件界定的图案，其中所述掩模由陶瓷材料制成；及连接至所述掩模的框架。
【IPC分类】H01L51-56
【公开号】CN204424321
【申请号】CN201420703445
【发明人】迪特尔·哈斯
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2014年11月20日