一种led红光封装结构的制作方法

文档序号:8848679阅读:400来源:国知局
一种led红光封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型一种LED红光封装结构,属于LED封装技术领域。
【背景技术】
[0002]传统LED封装形式为单纯芯片封装,即对芯片起到简单放大作用,不改变芯片本身电性参数。故封装成品电性参数完全取决于所选择封装的芯片。
[0003]在此封装形式下,一般LED红光封装结构成品正向电压基本取决于红光芯片自身正向电压,电压分布为1.8?2.4V,低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间,在应用端须增加电阻贴片工序,或在恒压驱动下红光须串接电阻才能正常使用,可靠性和经济性差。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型克服了现有技术存在的不足,提供了一种在不改变现有封装流程的情况下,直接在封装体内串接一齐纳二极管,从而保证成品正向电压分布在2.8?3.6V之间的LED红光封装结构。
[0005]为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种LED红光封装结构,包括红光芯片和封装本体,所述红光芯片设置在封装本体内,还包括齐纳管,所述齐纳管设置在封装本体上,并与红光芯片串联在一起,所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为 2.8 ?3.6Vo
[0006]优选地,所述红光芯片和齐纳管的极性相反。
[0007]优选地,所述红光芯片与齐纳管之间以一引线联接彼此金属焊垫。
[0008]优选地,所述红光芯片与齐纳管的底部均以导电胶与封装本体的功能区结合。
[0009]本实用新型与现有技术相比具有的有益效果是:本实用新型鉴于LED红光芯片电压分布于1.8?2.4V之间,低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间,在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用,解决了红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题,方便应用端应用。
【附图说明】
[0010]下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
[0011]图1为本实用新型的结构示意图。
[0012]图中,I为红光芯片、2为封装本体、3为齐纳管。
【具体实施方式】
[0013]如图1所示,本实用新型一种LED红光封装结构,包括红光芯片I和封装本体2,所述红光芯片I设置在封装本体2内,还包括齐纳管3,所述齐纳管3设置在封装本体2上,并与红光芯片I串联在一起,所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8?3.6V。
[0014]所述红光芯片I和齐纳管3的极性相反。
[0015]所述红光芯片I与齐纳管3之间以一引线联接彼此金属焊垫。
[0016]所述红光芯片I与齐纳管3的底部均以导电胶与封装本体2的功能区结合。
[0017]本实用新型鉴于LED红光芯片电压分布于1.8?2.4V之间,低于LED蓝、绿芯片2.8?3.6V区间,故在封装成品使用过程红光单独增加电阻或其他方式来保证其可与LED蓝、绿混用,本实用新型封装结构旨在解决红光芯片与蓝、绿芯片电压压降不一问题,方便应用端应用。
[0018]本实用新型封装结构在内部加装一齐纳管与红光芯片串接,保证成品电压分布在2.8 ?3.6V。
[0019]具体地,本实用新型的连接要求为:
[0020]1、要求红光芯片I与齐纳管3极性相反;
[0021]2、封装成品电压分布2.8?3.6V;
[0022]3、红光芯片I与齐纳管3以一引线联接彼此金属焊垫;
[0023]4、红光芯片I与齐纳管3底部以导电胶与支架功能区结合;
[0024]上面结合附图对本实用新型的实施例作了详细说明,但是本实用新型并不限于上述实施例,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种LED红光封装结构,包括红光芯片(I)和封装本体(2),所述红光芯片(I)设置在封装本体(2 )内,其特征在于:还包括齐纳管(3 ),所述齐纳管(3 )设置在封装本体(2 )上,并与红光芯片(I)串联在一起,所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8?3.6V。
2.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构,其特征在于:所述红光芯片(I)和齐纳管(3)的极性相反。
3.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构,其特征在于:所述红光芯片(I)与齐纳管(3)之间以一引线联接彼此金属焊垫。
4.根据权利要求1所述的一种LED红光封装结构,其特征在于:所述红光芯片(I)与齐纳管(3)的底部均以导电胶与封装本体(2)的功能区结合。
【专利摘要】本实用新型一种LED红光封装结构,属于LED封装技术领域;解决的技术问题是提供了一种在不改变现有封装流程的情况下,直接在封装体内串接一齐纳二极管,从而保证成品正向电压分布在2.8~3.6V之间的LED红光封装结构;采用的技术方案为:一种LED红光封装结构,包括红光芯片和封装本体,所述红光芯片设置在封装本体内,还包括齐纳管,所述齐纳管设置在封装本体上,并与红光芯片串联在一起,所述LED红光封装结构封装成品的输入电压为2.8~3.6V;本实用新型可广泛应用于LED红光封装领域。
【IPC分类】H01L25-16, H01L33-48
【公开号】CN204558463
【申请号】CN201520187893
【发明人】徐龙飞
【申请人】长治虹源光电科技有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年3月31日
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